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氢引起光纤损耗增加的实验估算
被引量：
1
1
作者
宁鼎
胡恺生
《光通信技术》
CSCD
1991年第4期213-217,共5页
通过对MCVD多模光纤进行高温通氢实验和对样品在空气中恢复情况的测量,提出了一种估算氢分子与氢氧根对1.3μm、1.55μm处影响损耗增加的方法。用导出公式对光纤中由氢引起的损耗增加进行了预测。
关键词
多模光纤
光纤
损耗
氢气
高温
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职称材料
纯绿LED的辐射机理和深能级研究
2
作者
高瑛
赵家龙
+5 位作者
苏锡安
刘学彦
胡恺生
丁祖昌
毋必先
华为民
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第4期296-303,共8页
本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光...
本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.
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关键词
发光器件
LED
绿色
辐射机制
能级
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职称材料
砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
3
作者
郭小兵
周智慧
+1 位作者
胡恺生
张绵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期229-233,共5页
用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 。
关键词
砷化镓
衬底
金属-肖特基势垒
场效应晶体管
深能级
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职称材料
半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究
4
作者
郭小兵
周智慧
+1 位作者
胡恺生
张绵
《半导体情报》
2000年第4期41-43,共3页
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现...
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现象的方法。
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关键词
MESFET器件
光敏特性
半绝缘
砷化镓
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职称材料
发光二极管(LED)亮度与效率的测量
5
作者
胡恺生
于宝贵
傅德惠
《发光学报》
EI
CAS
1973年第5期19-30,共12页
有一光源A向四周发射能量,在每单位时间内通过某个面积的能量流称为辐射通量p,单位是瓦。同样是一瓦的光,但波长不同,引起眼睛的视觉并不一样。譬如眼睛对5550A的光最敏感（明视觉,即亮度要大于毫朗伯≈1呎朗伯,LED亮度比这亮,能满足这...
有一光源A向四周发射能量,在每单位时间内通过某个面积的能量流称为辐射通量p,单位是瓦。同样是一瓦的光,但波长不同,引起眼睛的视觉并不一样。譬如眼睛对5550A的光最敏感（明视觉,即亮度要大于毫朗伯≈1呎朗伯,LED亮度比这亮,能满足这个条件）。我们取此处的视觉灵敏度Φ5550A=1,则其他各处视觉不灵敏,故φλ<1。实际上在λ=5550A处一瓦的功率全变成光功率E5550A（单位流明）为680流明,即光功当量Km=680流明/瓦,其他各处一瓦只能变成小于680流明。
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关键词
透镜
朗伯
外量子效率
点光源
照明光源
立体角
硒光电池
余弦
LED
发光二极管
结型发光器件
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职称材料
题名
氢引起光纤损耗增加的实验估算
被引量：
1
1
作者
宁鼎
胡恺生
机构
机械电子工业部第四十六研究所
出处
《光通信技术》
CSCD
1991年第4期213-217,共5页
文摘
通过对MCVD多模光纤进行高温通氢实验和对样品在空气中恢复情况的测量,提出了一种估算氢分子与氢氧根对1.3μm、1.55μm处影响损耗增加的方法。用导出公式对光纤中由氢引起的损耗增加进行了预测。
关键词
多模光纤
光纤
损耗
氢气
高温
Keywords
Multimode optical fiber Optcial fiber loss Optical fiber hydrogen loss Hydrogen loss mechanism
分类号
TQ342.82 [化学工程—化纤工业]
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职称材料
题名
纯绿LED的辐射机理和深能级研究
2
作者
高瑛
赵家龙
苏锡安
刘学彦
胡恺生
丁祖昌
毋必先
华为民
机构
中国科学院长春物理研究所
机电部电子材料研究所
浙江大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第4期296-303,共8页
基金
国家自然科学基金
中国科学院长春物理所激发态开放实验室基金
文摘
本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.
关键词
发光器件
LED
绿色
辐射机制
能级
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
3
作者
郭小兵
周智慧
胡恺生
张绵
机构
天津电子材料研究所
河北半导体研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期229-233,共5页
文摘
用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 。
关键词
砷化镓
衬底
金属-肖特基势垒
场效应晶体管
深能级
Keywords
GaAs
substrate
MESFET
deep level
分类号
TN386.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究
4
作者
郭小兵
周智慧
胡恺生
张绵
机构
电子四十六所
电子十三所
出处
《半导体情报》
2000年第4期41-43,共3页
文摘
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现象的方法。
关键词
MESFET器件
光敏特性
半绝缘
砷化镓
Keywords
Deep level MESFET device Photosensitivity
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
发光二极管(LED)亮度与效率的测量
5
作者
胡恺生
于宝贵
傅德惠
出处
《发光学报》
EI
CAS
1973年第5期19-30,共12页
文摘
有一光源A向四周发射能量,在每单位时间内通过某个面积的能量流称为辐射通量p,单位是瓦。同样是一瓦的光,但波长不同,引起眼睛的视觉并不一样。譬如眼睛对5550A的光最敏感（明视觉,即亮度要大于毫朗伯≈1呎朗伯,LED亮度比这亮,能满足这个条件）。我们取此处的视觉灵敏度Φ5550A=1,则其他各处视觉不灵敏,故φλ<1。实际上在λ=5550A处一瓦的功率全变成光功率E5550A（单位流明）为680流明,即光功当量Km=680流明/瓦,其他各处一瓦只能变成小于680流明。
关键词
透镜
朗伯
外量子效率
点光源
照明光源
立体角
硒光电池
余弦
LED
发光二极管
结型发光器件
分类号
G6 [文化科学—教育学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢引起光纤损耗增加的实验估算
宁鼎
胡恺生
《光通信技术》
CSCD
1991
1
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职称材料
2
纯绿LED的辐射机理和深能级研究
高瑛
赵家龙
苏锡安
刘学彦
胡恺生
丁祖昌
毋必先
华为民
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
砷化镓衬底与MESFET中深能级研究
郭小兵
周智慧
胡恺生
张绵
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究
郭小兵
周智慧
胡恺生
张绵
《半导体情报》
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
发光二极管(LED)亮度与效率的测量
胡恺生
于宝贵
傅德惠
《发光学报》
EI
CAS
1973
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
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