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X波段金刚石衬底GaN功率放大器MMIC
1
作者
胡官昊
余旭明
+3 位作者
吴立枢
王金
陈堂胜
陶洪琪
《固体电子学研究与进展》
2025年第3期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所基于101.6 mm(4英寸)0.25 um金刚石GaN HEMT MMIC工艺平台,解决了GaN外延层剥离与表面活化键合、金刚石GaN背孔金属化以及宽带高压低损耗匹配等关键技术,研制出X波段功率放大器MMIC,如图1所示。该金刚石衬底GaN功率...
南京电子器件研究所基于101.6 mm(4英寸)0.25 um金刚石GaN HEMT MMIC工艺平台,解决了GaN外延层剥离与表面活化键合、金刚石GaN背孔金属化以及宽带高压低损耗匹配等关键技术,研制出X波段功率放大器MMIC,如图1所示。该金刚石衬底GaN功率放大器芯片窄脉冲条件下在8-12 GHz频段内输出功率(Po)≥52.5 dBm,功率附加效率(PAE)≥38%(如图2所示)。
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关键词
功率放大器
MMIC
金刚石衬底
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职称材料
题名
X波段金刚石衬底GaN功率放大器MMIC
1
作者
胡官昊
余旭明
吴立枢
王金
陈堂胜
陶洪琪
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
2025年第3期F0003-F0003,共1页
文摘
南京电子器件研究所基于101.6 mm(4英寸)0.25 um金刚石GaN HEMT MMIC工艺平台,解决了GaN外延层剥离与表面活化键合、金刚石GaN背孔金属化以及宽带高压低损耗匹配等关键技术,研制出X波段功率放大器MMIC,如图1所示。该金刚石衬底GaN功率放大器芯片窄脉冲条件下在8-12 GHz频段内输出功率(Po)≥52.5 dBm,功率附加效率(PAE)≥38%(如图2所示)。
关键词
功率放大器
MMIC
金刚石衬底
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
发文年
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1
X波段金刚石衬底GaN功率放大器MMIC
胡官昊
余旭明
吴立枢
王金
陈堂胜
陶洪琪
《固体电子学研究与进展》
2025
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