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国产ITO靶材的镀膜工艺研究
1
作者
彭传才
黄广连
+7 位作者
胡云慧
曹志刚
余圣发
魏敏
易可可
姚吉升
唐三川
陈坚
《矿冶工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期61-63,共3页
介绍了国产ＩＴＯ靶材磁控溅射制备ＩＴＯ膜的工艺实验。实验结果表明，国产ＩＴＯ靶材具有良好的工艺稳定性和重现性，在优选镀膜工艺参数条件下，获得了性能优良的ＩＴＯ透明导电膜，并且在室温基片上也获得了满意的结果。
关键词
ITO靶
ITO膜
放电特性
氧分压
基片温度
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职称材料
题名
国产ITO靶材的镀膜工艺研究
1
作者
彭传才
黄广连
胡云慧
曹志刚
余圣发
魏敏
易可可
姚吉升
唐三川
陈坚
机构
国防科技大学
长沙矿冶研究院
出处
《矿冶工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期61-63,共3页
文摘
介绍了国产ＩＴＯ靶材磁控溅射制备ＩＴＯ膜的工艺实验。实验结果表明，国产ＩＴＯ靶材具有良好的工艺稳定性和重现性，在优选镀膜工艺参数条件下，获得了性能优良的ＩＴＯ透明导电膜，并且在室温基片上也获得了满意的结果。
关键词
ITO靶
ITO膜
放电特性
氧分压
基片温度
Keywords
ITO target, ITO film, Discharge characterization, O 2 partial pressure, Substrate temperature
分类号
O484 [理学—固体物理]
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1
国产ITO靶材的镀膜工艺研究
彭传才
黄广连
胡云慧
曹志刚
余圣发
魏敏
易可可
姚吉升
唐三川
陈坚
《矿冶工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
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