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半导体硅材料最新发展现状被引量：16: 1; 作者蒋荣华肖顺珍《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期3-6,共4页; 概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求，叙述了近年来国际半导体多晶硅和单晶硅材料的发展状况与趋势。; 关键词半导体硅多晶硅单晶硅半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化物半导体的研究进展被引量：1: 2; 作者蒋荣华肖顺珍李艳《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期16-20,共5页; 叙述了ＧａＮ的研究进展及其材料制备的关键技术。; 关键词微电子光电子半导体材料氮化物; 在线阅读下载PDF 职称材料

砷化镓材料的发展与前景被引量：13: 3; 作者蒋荣华肖顺珍《世界有色金属》 2002年第8期7-13,共7页; 综述了世界GaAs材料的生长技术发展状况、生产状况、应用和市场状况及发展趋势。; 关键词砷化镓微电子材料光电子材料单晶生长工艺发展前景; 在线阅读下载PDF 职称材料

我国半导体硅材料的发展现状被引量：6: 4; 作者蒋荣华肖顺珍《半导体情报》 2001年第6期31-35,共5页; 叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距。; 关键词半导体硅多晶硅单晶硅半导体材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN基材料的特性及光电器件应用被引量：2: 5; 作者蒋荣华肖顺珍《世界有色金属》 2003年第2期35-39,共5页; GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大,以及介电常数小等特点,因此,它们在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器,以及在高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。; 关键词光电器件微电子器件氮化镓热导率介电常数发光二权管; 在线阅读下载PDF 职称材料

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