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机械硬盘加速寿命试验及状态监测技术研究: 1; 作者孟苓辉董明 +3 位作者张诚权侯波肖庆中周振威《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第3期34-40,共7页; 机械硬盘的健康状态监测和诊断对于企业的安全可靠运行和节约运维成本起着至关重要的作用。首先,分析了硬盘的基本组成和不同环境应力下的故障模式和机理;其次,根据实际运行环境制定了加速寿命试验,并在试验过程中对硬盘的SMART数据进... 展开更多; 关键词机械硬盘加速寿命试验 SMART参数状态监测; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究被引量：3: 2; 作者张战刚雷志锋 +10 位作者黄云恩云飞张毅童腾李晓辉师谦彭超何玉娟肖庆中李键坷路国光《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期725-733,共9页; 开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内... 展开更多; 关键词大气中子单粒子效应高海拔软错误率; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响被引量：2: 3; 作者恩云飞何玉娟 +2 位作者罗宏伟潘金辉肖庆中《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期350-352,452,共4页; 采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。; 关键词静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地n型金属-氧化物-半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS存储器IDD频谱图形测试被引量：3: 4; 作者李少平肖庆中《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第4期50-52,共3页; 通过对ＣＭＯＳ存储器ＩＤＤ频谱图形测试过程的介绍，测试及试验数据证实ＣＭＯＳ存储器ＩＤＤ频谱图：形测试是可行的。; 关键词互补金属氧化物半导体存储器电源电流频谱图形测试向量缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践被引量：2: 5; 作者李少平肖庆中《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第2期60-62,共3页; 分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性，介绍了CMOS集成电路新的测试方法--IDD频谱图形测试方法的测试原理，以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图。; 关键词 CMOS集成电路 IDD频谱图形互补金属氧化物半导体集成电路电源电流缺陷测试原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

电路板级互连焊点故障监测和预警被引量：2: 6; 作者万明陆裕东 +3 位作者尧彬恩云飞肖庆中王歆《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期800-803,812,共5页; 针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级互连焊点故障监测和预警电路的实... 展开更多; 关键词焊点蠕变失效可靠性电阻电桥故障预测与健康管理; 在线阅读下载PDF 职称材料

乡土植物在娄底市园林绿化中的应用初探被引量：1: 7; 作者肖庆中《南方农业》 2018年第15期74-75,共2页; 乡土树种在园林绿化中具有重要作用,因此越来越受到人们的重视和喜爱。基于此,阐述了乡土树种的概念、优特点和作用,分析了娄底园林绿化中乡土树种应用现状及前景,并对乡土树种在园林绿化中的应用提出一些可行的建议。; 关键词乡土树种生态环境景观物种资源城市绿化; 在线阅读下载PDF 职称材料

多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究被引量：1: 8; 作者何玉娟罗宏伟肖庆中《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期501-504,共4页; 研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。; 关键词静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地N型金属-氧化层-半导体器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄层金属晶粒结构定量分析技术研究被引量：1: 9; 作者焦慧芳肖庆中施明哲《电子产品可靠性与环境试验》 1998年第6期20-23,共4页; 本文论述了薄层金属晶粒结构定量分析技术的重要性，国内外研究动态，并结合本实验室的软、硬件，阐述了计算机图像分析技术的测试原理，测试程序，同时给出了应用实例，取得了有意义的结果。; 关键词薄层金属晶粒结构 VLSI IC 计算机图像分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名机械硬盘加速寿命试验及状态监测技术研究: 1; 作者孟苓辉董明张诚权侯波肖庆中周振威; 机构工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室辽宁红沿河核电有限公司; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2024年第3期34-40,共7页; 文摘机械硬盘的健康状态监测和诊断对于企业的安全可靠运行和节约运维成本起着至关重要的作用。首先,分析了硬盘的基本组成和不同环境应力下的故障模式和机理;其次,根据实际运行环境制定了加速寿命试验,并在试验过程中对硬盘的SMART数据进行采集和存储;最后,经过对比和分析发现了该型号硬盘的敏感SMART参数,并发现寻道出错率具有明显的退化趋势,可用于故障预警和预测。; 关键词机械硬盘加速寿命试验 SMART参数状态监测; Keywords hard disk drive accelerated life testing SMART parameter condition monitoring; 分类号 TB114.37 [理学—概率论与数理统计] TP301.6 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究被引量：3: 2; 作者张战刚雷志锋黄云恩云飞张毅童腾李晓辉师谦彭超何玉娟肖庆中李键坷路国光; 机构工业和信息化部电子第五研究所中国科学院高能物理研究所; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期725-733,共9页; 基金国家自然科学基金(12075065) 广东省省级科技计划(2017B090921001) 广州市应用基础研究项目(202002030299)。; 文摘开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转(MCU)在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转(SBU)和MCU失效率(FIT)。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。; 关键词大气中子单粒子效应高海拔软错误率; Keywords atmospheric neutron single event effect high-altitude soft error rate; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学] V216 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响被引量：2: 3; 作者恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中; 机构西安电子科技大学微电子学院电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所); 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期350-352,452,共4页; 基金国家预研项目(5130804108) 信息功能材料国家重点实验室开放课题资助; 文摘采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。; 关键词静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地n型金属-氧化物-半导体; Keywords ESD protection SOI TLP test GGNMOS; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS存储器IDD频谱图形测试被引量：3: 4; 作者李少平肖庆中; 机构信息产业部电子第五研究所; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第4期50-52,共3页; 基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金(99JS03.7.1ZS0305)资助。; 文摘通过对ＣＭＯＳ存储器ＩＤＤ频谱图形测试过程的介绍，测试及试验数据证实ＣＭＯＳ存储器ＩＤＤ频谱图：形测试是可行的。; 关键词互补金属氧化物半导体存储器电源电流频谱图形测试向量缺陷; Keywords CMOS memory IDD spectrum graphics test vector defect; 分类号 TP333.52 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践被引量：2: 5; 作者李少平肖庆中; 机构信息产业部电子第五研究所; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第2期60-62,共3页; 基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金项目:集成电路IDD频谱图形测试方法研究 99JS03.7.1ZS0305; 文摘分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性，介绍了CMOS集成电路新的测试方法--IDD频谱图形测试方法的测试原理，以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图。; 关键词 CMOS集成电路 IDD频谱图形互补金属氧化物半导体集成电路电源电流缺陷测试原理; Keywords CMOS IC； IDD； defect； switch current； spectrum graphics； test vector; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电路板级互连焊点故障监测和预警被引量：2: 6; 作者万明陆裕东尧彬恩云飞肖庆中王歆; 机构华南理工大学材料科学与工程学院特种功能材料教育部重点实验室工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期800-803,812,共5页; 基金科技部国际科技合作与交流重大专项(2010DFB10070) 国家预研基金项目(9140A08070310DZ15); 文摘针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级互连焊点故障监测和预警电路的实现路径的方法。嵌入式监测电路在电阻缓慢退化阶段和快速退化阶段设置合理的监测起始和终止点,适合对服役中的焊点健康状况进行实时监测和评估。同时,电路具有预警功能,在焊点电性能退化的初期发出预警,并实时采集焊点阻值数据用于焊点剩余寿命的预测,以实现焊点退化的及时预警和退化焊点剩余寿命的预计。; 关键词焊点蠕变失效可靠性电阻电桥故障预测与健康管理; Keywords solder joint creep failure reliability resistiv e bridge prognostics and health management（PHM）; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名乡土植物在娄底市园林绿化中的应用初探被引量：1: 7; 作者肖庆中; 机构湖南娄底娄星公园管理办公室; 出处《南方农业》 2018年第15期74-75,共2页; 文摘乡土树种在园林绿化中具有重要作用,因此越来越受到人们的重视和喜爱。基于此,阐述了乡土树种的概念、优特点和作用,分析了娄底园林绿化中乡土树种应用现状及前景,并对乡土树种在园林绿化中的应用提出一些可行的建议。; 关键词乡土树种生态环境景观物种资源城市绿化; 分类号 S688 [农业科学—观赏园艺]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究被引量：1: 8; 作者何玉娟罗宏伟肖庆中; 机构电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期501-504,共4页; 基金国家预研项目资助项目(51308040403); 文摘研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD能力最强,而环栅结构的器件抗ESD能力最弱,其原因可能与器件有缘区面积和电流分布有关。; 关键词静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地N型金属-氧化层-半导体器件; Keywords electrostatic protection silicon-on-insulator （SO1） transmission line pulsing test gate grounded NMOS; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄层金属晶粒结构定量分析技术研究被引量：1: 9; 作者焦慧芳肖庆中施明哲; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 1998年第6期20-23,共4页; 文摘本文论述了薄层金属晶粒结构定量分析技术的重要性，国内外研究动态，并结合本实验室的软、硬件，阐述了计算机图像分析技术的测试原理，测试程序，同时给出了应用实例，取得了有意义的结果。; 关键词薄层金属晶粒结构 VLSI IC 计算机图像分析; 分类号 TN470.3 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP391.4 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	机械硬盘加速寿命试验及状态监测技术研究	孟苓辉董明张诚权侯波肖庆中周振威	《电子产品可靠性与环境试验》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究	张战刚雷志锋黄云恩云飞张毅童腾李晓辉师谦彭超何玉娟肖庆中李键坷路国光	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2022	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响	恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	CMOS存储器IDD频谱图形测试	李少平肖庆中	《电子产品可靠性与环境试验》	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践	李少平肖庆中	《电子产品可靠性与环境试验》	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	电路板级互连焊点故障监测和预警	万明陆裕东尧彬恩云飞肖庆中王歆	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	乡土植物在娄底市园林绿化中的应用初探	肖庆中	《南方农业》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究	何玉娟罗宏伟肖庆中	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	薄层金属晶粒结构定量分析技术研究	焦慧芳肖庆中施明哲	《电子产品可靠性与环境试验》	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料