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单轴硅微加速度传感器的原理与电路设计被引量：10: 1; 作者王文涛耿增建《现代电子技术》 2005年第14期92-94,共3页; 单轴硅微加速度传感器将敏感部分与外围信号调理电路集成在一起,成为一个完整的加速度测量系统。系统除供电电源外不需要任何外加因素,能够实现电路的无触摸启动工作。敏感部分采用差动电容式结构具有高灵敏度、宽量程、较低的非线性误... 展开更多; 关键词差动电容电容电压转换相位调制开关电容解调; 在线阅读下载PDF 职称材料

0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系: 2; 作者唐威刘佑宝 +1 位作者耿增建吴龙胜《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1031-1036,共6页; 研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相... 展开更多; 关键词 SOI 抗总剂量辐射部分耗尽俘获电荷背沟道反型; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计: 3; 作者季轻舟耿增建魏海龙《现代电子技术》 2008年第23期78-80,83,共4页; 采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0．5μmCMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1．6MHz的范围内。通过Cadencespectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该... 展开更多; 关键词真随机数发生器扩展频谱振荡器 DC/DC转换器噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计被引量：7: 4; 作者黄松姜洪雨 +1 位作者刘智耿增建《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第10期89-92,98,共5页; 提出了一种低噪声高电源纹波抑制比(PSR)的低压差线性稳压器(LDO).该低压差线性稳压器通过提高带隙基准和误差放大器的噪声抑制性能以及PSR性能以达到提高LDO性能的目的.在0.6μm BiCMOS工艺下进行了流片验证,测试结果表明,当负载电流为... 展开更多; 关键词低压差线性稳压器噪声电源纹波抑制比; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种基于斩波稳零运放的电流/频率转换器设计被引量：3: 5; 作者李莺耿增建《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第3期82-84,共3页; I/F(电流/频率)转换电路本质上是一个电荷平衡式转换电路,利用电荷平衡法,输出脉冲频率与输入电流有精密的线性关系。文章介绍了一种基于高增益斩波自稳零运放的I/F转换器,使电路本身能够对零位和漂移进行自校正。经测试该转换器具有高... 展开更多; 关键词低漂移斩波稳霉电荷平衡武线性度; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单轴硅微加速度传感器的原理与电路设计被引量：10: 1; 作者王文涛耿增建; 机构西安微电子技术研究所; 出处《现代电子技术》 2005年第14期92-94,共3页; 文摘单轴硅微加速度传感器将敏感部分与外围信号调理电路集成在一起,成为一个完整的加速度测量系统。系统除供电电源外不需要任何外加因素,能够实现电路的无触摸启动工作。敏感部分采用差动电容式结构具有高灵敏度、宽量程、较低的非线性误差、外围电路简单等优点。外围电路将敏感输出信号相位调制后,通过解调输出。解调电路采用开关电容(SC)的形式,通过负反馈系统反馈电荷影响采样-积分幅度的思路,设计电路对有效信息解调。本文介绍单轴硅微加速度计敏感部分的原理与外围调理电路的设计思路。; 关键词差动电容电容电压转换相位调制开关电容解调; Keywords differential capacitor convert of capacitor to voltage phase modulate switchcapacitor demodulate; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学] TM93 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系: 2; 作者唐威刘佑宝耿增建吴龙胜; 机构西安微电子技术研究所; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1031-1036,共6页; 文摘研究了深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET的抗总剂量辐射特性,主要讨论不同偏置状态对器件抗总剂量辐射性能的影响及其原因。通过器件模拟发现,辐射过程中的不同偏置状态使器件的电场分布差异很大,而器件埋层中俘获空穴的分布与电场密切相关,进而对器件产生不同的影响。模拟结果表明,器件在关态偏置下,背沟道附近陷获电荷密度最高,引起的阈值电压负向漂移和泄漏电流最大,即该偏置状态为浮体器件抗总剂量辐射的最劣偏置状态。; 关键词 SOI 抗总剂量辐射部分耗尽俘获电荷背沟道反型; Keywords SOI, total dose irradiation, partially depleted, trapped charge, back channel inversion; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计: 3; 作者季轻舟耿增建魏海龙; 机构西安微电子技术研究所; 出处《现代电子技术》 2008年第23期78-80,83,共4页; 文摘采用恒流源充放电技术，以比较器为核心，利用一种新型真随机数发生器产生随机控制信号，设计一种基于0．5μmCMOS工艺的扩展频谱振荡器，振荡频率在1～1．6MHz的范围内。通过Cadencespectre仿真工具对电路进行仿真验证，结果表明，该方案能够在1～1．6MHz的范围内产生随机振荡信号。该振荡器可以用于改善DC／DC转换器的噪声性能。; 关键词真随机数发生器扩展频谱振荡器 DC/DC转换器噪声; Keywords random number generator spread spectrum oscillator DC/DC converter noise; 分类号 TM13 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计被引量：7: 4; 作者黄松姜洪雨刘智耿增建; 机构西安微电子技术研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第10期89-92,98,共5页; 文摘提出了一种低噪声高电源纹波抑制比(PSR)的低压差线性稳压器(LDO).该低压差线性稳压器通过提高带隙基准和误差放大器的噪声抑制性能以及PSR性能以达到提高LDO性能的目的.在0.6μm BiCMOS工艺下进行了流片验证,测试结果表明,当负载电流为100mA时,100Hz电源纹波抑制比为75dB;10kHz时电源纹波抑制比为72dB.输出噪声电压(100Hz^100KHz)为15μVRMS.; 关键词低压差线性稳压器噪声电源纹波抑制比; Keywords LDO NOISE PSR; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种基于斩波稳零运放的电流/频率转换器设计被引量：3: 5; 作者李莺耿增建; 机构西安微电子研究所; 出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第3期82-84,共3页; 文摘 I/F(电流/频率)转换电路本质上是一个电荷平衡式转换电路,利用电荷平衡法,输出脉冲频率与输入电流有精密的线性关系。文章介绍了一种基于高增益斩波自稳零运放的I/F转换器,使电路本身能够对零位和漂移进行自校正。经测试该转换器具有高精度、低漂移、良好的线性度及较宽的频率范围等优点,有着良好的市场前景。可广泛用于导航、雷达、遥控遥测、模拟信号传输、数据采集和通讯系统、现代导航系统等领域。; 关键词低漂移斩波稳霉电荷平衡武线性度; Keywords Low offset Chopper-stabilized, Charge balance, Linearity; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	单轴硅微加速度传感器的原理与电路设计	王文涛耿增建	《现代电子技术》	2005	10	在线阅读下载PDF 职称材料
2	0.35μm部分耗尽SOI NMOSFET的总剂量辐射效应与偏置状态的关系	唐威刘佑宝耿增建吴龙胜	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种基于真随机数发生器的扩展频谱CMOS振荡器的设计	季轻舟耿增建魏海龙	《现代电子技术》	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种低噪声高纹波抑制比的LDO设计	黄松姜洪雨刘智耿增建	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2018	7	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种基于斩波稳零运放的电流/频率转换器设计	李莺耿增建	《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料