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基于透射阵的宽带低剖面双向2D波束扫描天线
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作者 翟振钧 林峰 孙厚军 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期64-67,共4页
本文提出一种毫米波宽带低剖面双向辐射2D波束扫描天线。该天线通过两个在空间上重叠的正交镜像折叠透射阵实现独立控制的双向辐射波束,显著降低了天线剖面。每个折叠透射阵由馈源、曲面极化器和收发阵列组成。收发阵列单元包括两个宽... 本文提出一种毫米波宽带低剖面双向辐射2D波束扫描天线。该天线通过两个在空间上重叠的正交镜像折叠透射阵实现独立控制的双向辐射波束,显著降低了天线剖面。每个折叠透射阵由馈源、曲面极化器和收发阵列组成。收发阵列单元包括两个宽带蝶形偶极子天线和一对具有真时延和连续360°移相范围的差分微带线移相器。通过沿x或y方向移动极化器,该天线可实现在整个工作频带内具有恒定波束方向的2D波束扫描。该天线的高度直径比(H/D)为0.5。在27-39 GHz范围内,双向波束测试扫描范围在E面和H面均覆盖±10°,最大扫描损耗为1.9 dB。最大增益测试结果为27.1 dBi,最大口径效率为53.4%。 展开更多
关键词 二维波束扫描 增材制造电子(AME) 双向辐射天线 折叠透射阵 毫米波 宽带
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基于AlGaN/GaN HEMT外差探测器的太赫兹线阵列矢量探测系统 被引量:1
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作者 王凯出 丁青峰 +7 位作者 周奇 蔡昕航 张金峰 朱凯强 翟振钧 孙厚军 王林军 秦华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期166-175,共10页
为了研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)外差探测器应用于太赫兹来波方向(Direction of Arrival,DOA)估计领域的可行性及量化性能指标,基于AlGaN/GaN HEMT 243GHz外差探测器搭建了太赫兹波线阵... 为了研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)外差探测器应用于太赫兹来波方向(Direction of Arrival,DOA)估计领域的可行性及量化性能指标,基于AlGaN/GaN HEMT 243GHz外差探测器搭建了太赫兹波线阵列矢量探测系统,实现了太赫兹连续波的相位分布和来波方向的测量。该系统的核心器件为准光-波导耦合的太赫兹外差探测器线阵列组件,阵元平均噪声等效功率(Noise-Equivalent-Power,NEP)为-123.89dBm/Hz。通过测试,表明该系统相位解析稳定度优于0.6°,线阵列组件法线(阵列芯片的垂线)方向左右11°以内的太赫兹来波方向的检测误差小于0.25°。讨论了存在误差的原因及可能的解决方案,为后续基于AlGaN/GaN HEMT面阵列的太赫兹相控阵雷达及定向通信系统的研制提供了基础。 展开更多
关键词 太赫兹来波方向(DOA)估计 阵列混频器 外差(相干)探测 氮化镓HEMT
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