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纳米管中旋错缺陷相互作用的理论研究
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作者 翟啸波 张探涛 +2 位作者 黄雪丽 曾渝 解忧 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第9期1593-1599,共7页
碳纳米管具有优异的物理化学性能。5/7边形旋错缺陷是碳基纳米材料中最常见的一种拓扑缺陷,显著影响碳纳米管的力学、电学和热学等性质。因此,研究旋错相互作用对碳纳米管的应用具有重要意义。旋错间的相互作用势与液晶中涡旋相互作用相... 碳纳米管具有优异的物理化学性能。5/7边形旋错缺陷是碳基纳米材料中最常见的一种拓扑缺陷,显著影响碳纳米管的力学、电学和热学等性质。因此,研究旋错相互作用对碳纳米管的应用具有重要意义。旋错间的相互作用势与液晶中涡旋相互作用相似,可以通过格林函数计算其势能。考虑到弯曲系统中曲率与缺陷的耦合作用,由此可以获得弯曲系统的旋错缺陷能。然而,对于碳纳米管,由于柱面周期边界条件,按常规投影会导致格林函数发散。针对这一问题,本文设计了几种不同的共形变换方案,解决了柱面格林函数发散问题,探讨了各方案的优劣,揭示了一种探寻共形变换的方法。最终给出了一种同时满足周期性、对称性、连续且光滑的最优柱面格林函数,从而计算了纳米管中的旋错缺陷能,并揭示了旋错势的分布规律,解释了为何正反旋错多以旋错对或在纳米管两侧出现。纳米管中缺陷能的等能面,在靠近旋错中心时接近圆形,远离旋错中心呈纺锤形,较远时几乎变为直线。研究结果对碳纳米管的应用具有一定理论指导作用。 展开更多
关键词 纳米管 旋错缺陷能 柱面格林函数 共形变换
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