纳米材料和纳米科技的进展、应用及产业化现状 被引量：36

1

作者 翟华嶂 李建保 黄勇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期43-48,共6页

综述了纳米材料和纳米科技的最新进展 ,着重介绍了纳米科技在电子学、生物学、国防。

关键词 纳米材料 纳米科技 中国 应用 产业化 研究进展 电子学 生物学 陶瓷 国际科技

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发动机高温部件的陶瓷材料应用及性能测试 被引量：11

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作者 翟华嶂 李建保 +1 位作者 吴疆 才鸿年 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期78-83,共6页

回顾了陶瓷发动机研究进展的主要历程。着重介绍高温热机部件用的氮化硅陶瓷和莫来石涂层等材料的性能改进和热机环境下测试评价。

关键词 陶瓷热机部件 氮化硅 莫来石涂层 性能

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纳米镍包覆氮化硅粉体的制备和磁性能研究 被引量：6

3

作者 翟华嶂 戴金辉 +2 位作者 李建保 曹传宝 才鸿年 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期204-207,共4页

利用一种简单的无催化化学镀法制备了纳米镍晶粒包覆氮化硅陶瓷的复合粉体。通过不同的反应PH值和搅拌工艺对比获得了较为均匀的包覆。利用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对包覆粉体的物相及显微形貌进行表征分析。磁性能测量表明包覆... 利用一种简单的无催化化学镀法制备了纳米镍晶粒包覆氮化硅陶瓷的复合粉体。通过不同的反应PH值和搅拌工艺对比获得了较为均匀的包覆。利用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对包覆粉体的物相及显微形貌进行表征分析。磁性能测量表明包覆粉体具有良好的铁磁性能和磁各向异性。 展开更多

关键词 包覆粉体 纳米镍 氮化硅 化学镀 磁滞回线

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退火对Al_2O_3/SiC纳米复合材料裂纹愈合行为的影响 被引量：3

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作者 翟华嶂 李建保 +2 位作者 黄向东 戴金辉 张淑霞 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期3-6,共4页

研究不同密度的 Al2 O3 / Si C纳米复合材料在退火条件下的裂纹愈合行为。利用维氏压痕法引入可控的预制裂纹 ,通过测量退火前后材料抗弯强度的变化来表征裂纹愈合程度。当退火温度在 85 0℃以上时 ,裂纹愈合效应随退火温度提高明显增... 研究不同密度的 Al2 O3 / Si C纳米复合材料在退火条件下的裂纹愈合行为。利用维氏压痕法引入可控的预制裂纹 ,通过测量退火前后材料抗弯强度的变化来表征裂纹愈合程度。当退火温度在 85 0℃以上时 ,裂纹愈合效应随退火温度提高明显增强 ,在 115 0℃左右退火 1h后 ,不同密度的试样的抗弯强度均恢复到试样的固有强度。裂纹愈合的机制主要归结于退火过程中残余应力的驰豫导致扩散键合和裂纹表面碳化硅颗粒的氧化作用。然而 。 展开更多

关键词 AL2O3/SIC 纳米复合材料 裂纹愈合 抗弯强度 退火 碳化硅 氧化铝

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原位选择性氮化法制备t-ZrO_2-TiN复合粉料 被引量：3

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作者 翟华嶂 李建保 +2 位作者 张淑霞 张波 黎义 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期32-35,共4页

研究以固溶反应为基础的粉料制备技术。应用热力学原理分析计算了 (Zr,Ti) O2 固溶系统的选择性的氮化条件 ,确定了反应温度对该系统氮化后相组成的影响。采用碳热还原法 ,在高纯氮气氛下原位反应生成氮化钛 ,同时保持氧化锆组成和结构... 研究以固溶反应为基础的粉料制备技术。应用热力学原理分析计算了 (Zr,Ti) O2 固溶系统的选择性的氮化条件 ,确定了反应温度对该系统氮化后相组成的影响。采用碳热还原法 ,在高纯氮气氛下原位反应生成氮化钛 ,同时保持氧化锆组成和结构不变。利用 X射线衍射和 X射线荧光光谱对氮化后粉料的物相和氮化效果进行分析 。 展开更多

关键词 原位选择性氮化 氮化钛 固溶体 复合粉料 四方氧化锆 复合材料 复合陶瓷

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微波非热效应诱发的陶瓷材料中物质各向异性扩散 被引量：7

6

作者 翟华嶂 李建保 +1 位作者 黄向东 戴金辉 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期29-31,35,共4页

利用微波烧结Cr_2O_3-Al_2O_3/Al_2O_3双层复合材料,通过对材料断面的X射线能谱线扫描发现,铬离子从富铬的氧化铝层通过界面向纯氧化铝层扩散时,扩散距离是各向异性的,沿入射微波振动方向的扩散距离比沿入射波传播方向深大约28％。这种... 利用微波烧结Cr_2O_3-Al_2O_3/Al_2O_3双层复合材料,通过对材料断面的X射线能谱线扫描发现,铬离子从富铬的氧化铝层通过界面向纯氧化铝层扩散时,扩散距离是各向异性的,沿入射微波振动方向的扩散距离比沿入射波传播方向深大约28％。这种扩散的各向异性是由于入射波的方向性电场在微波加热过程中叠加在示踪离子的化学势上导致的。从微波场对带电粒子跃迁影响的角度阐述微波非热效应加速陶瓷材料中固有的扩散过程,推导出微波场中物质扩散通量J_M和物质的本征扩散通量J_C之间的关系式。 展开更多

关键词 非热效应 微波加热 各向异性扩散

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直流电弧等离子体喷射(DCPJ)法在沉积金刚石膜上的应用 被引量：1

7

作者 翟华嶂 曹传宝 朱鹤孙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期32-34,共3页

直流电弧等离子体喷射法是制备金刚石膜的一项很有前途的技术。综述了直流电弧等离子体喷射法的原理、进展状况、工艺上的改进和建立机理模型上的努力。

关键词 等离子体喷射 化学气相沉积 金刚石 薄膜 DCPJ

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陶瓷吸波材料的研究现状 被引量：27

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作者 孙晶晶 李建保 +2 位作者 张波 翟华嶂 孙格靓 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期43-47,共5页

简述了电磁波吸收的基本原理,吸收材料的种类;详细介绍了陶瓷吸波材料的国内外研究现状,其中以碳化硅和铁氧体为重点;最后简述了本实验室的一些相关工作。

关键词 陶瓷吸波材料 电磁波 碳化硅 铁氧体 吸收原理 碳纤维

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纳米碳化硅粉的制备及其微波介电行为 被引量：10

9

作者 张波 李建保 +2 位作者 孙晶晶 张淑霞 翟华嶂 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-21,共3页

通过碳热还原法合成了纳米 Si C粉并对其在 8.2～ 12 .4GHz频率范围的介电参数进行了测量。通过改变铝含量和反应气氛分别得到了 β,12 H和 2 1R型碳化硅粉。β- Si C粉具有比 α- Si C粉高得多的相对介电常数ε′r=30～ 5 0 )和介电损... 通过碳热还原法合成了纳米 Si C粉并对其在 8.2～ 12 .4GHz频率范围的介电参数进行了测量。通过改变铝含量和反应气氛分别得到了 β,12 H和 2 1R型碳化硅粉。β- Si C粉具有比 α- Si C粉高得多的相对介电常数ε′r=30～ 5 0 )和介电损耗角正切值 (tgδ =～ 0 .7)。虽然 Al和 N的固溶将 Si C粉的电阻率减小到 10 2 Ω· cm的量级 ,但其相对介电常数和介电损耗却并没有增加 ,反而随 展开更多

关键词 介电性能 缺陷 碳热还原 碳化硅 纳米粉 合成 结构陶瓷 微波烧结 微波吸收剂 微波介电行为

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陶瓷材料的显微结构设计与自补强韧化组元的生成机理 被引量：10

10

作者 李建保 翟华嶂 +1 位作者 黎义 黄勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第4期16-19,25,共5页

结合近期在陶瓷领域的一些主要成果,从物理化学角度,论述了在材料内部原位生成棒晶、板晶等补强韧化组元的几种形成机理及其应用。

关键词 原位全成 相图 棒晶 板晶 晶须 陶瓷材料 显微结构设计 自补强韧化组元 生成机理 调幅分解

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钛酸锆固溶体微波介电瓷的制备与性能 被引量：4

11

作者 张淑霞 李建保 +2 位作者 曹俊 翟华嶂 张波 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期29-31,35,共4页

用共沉淀的方法制备了一系列 Zrx Ti1 - x O4(0 .4≤ x≤ 0 .6 )纳米粉 ,XRD物相分析为 Zr Ti O4固溶体 ,TEM观察粒子粒径为 2 0～ 30 nm。通过制陶实验对该系列固溶体的烧结特性、形貌及介电性能进行了研究。结果表明 ,Ti O2含量影响... 用共沉淀的方法制备了一系列 Zrx Ti1 - x O4(0 .4≤ x≤ 0 .6 )纳米粉 ,XRD物相分析为 Zr Ti O4固溶体 ,TEM观察粒子粒径为 2 0～ 30 nm。通过制陶实验对该系列固溶体的烧结特性、形貌及介电性能进行了研究。结果表明 ,Ti O2含量影响固溶体的最佳烧结温度 ,在相同的烧结温度下 ,Ti O2 含量越高 ,瓷体的相对密度越低 ,晶粒越大。该材料有很好的频率、温度稳定性 ,其介电性能与组成和瓷体的相对密度有关。介电常数和品质因数随瓷体相对密度增大而增大。当材料的相对密度高于 90 %时 ,随着 Ti O2 含量增加 ,其介电常数增大 。 展开更多

关键词 固溶体 制备 介电性能 钛酸锆 微波介电陶瓷 烧结性能

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不同形貌TaC_x晶须的制备及生长机理 被引量：4

12

作者 陈拥军 李建保 +1 位作者 魏强民 翟华嶂 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期15-18,共4页

通过不同的原料体系在合适的工艺条件下成功制备出碳化钽晶须 (Ta Cx)。由 Ta2 O5- Na Cl- C- Ni和 Ta2 O5- Na F-C- C1 2 H2 2 O1 1 (蔗糖 )体系制备的晶须呈平直的纤维形态 ,其生长机理为气 -液 -固 (VL S)机制。由 Ta2 O5- KCl- C- N... 通过不同的原料体系在合适的工艺条件下成功制备出碳化钽晶须 (Ta Cx)。由 Ta2 O5- Na Cl- C- Ni和 Ta2 O5- Na F-C- C1 2 H2 2 O1 1 (蔗糖 )体系制备的晶须呈平直的纤维形态 ,其生长机理为气 -液 -固 (VL S)机制。由 Ta2 O5- KCl- C- Ni体系制备的晶须一部分通过 VL S机理生长 ,而另一部分则通过 L S机理生长 ,前者呈四方柱状 ,后者呈具有锥状柱体和之字形端部的特殊形貌。所有的原料体系均是在相近的工艺条件下进行 ,即反应温度 115 0～ 135 0℃ ,氮气气氛保护。本工作对晶须的化学成分、形貌。 展开更多

关键词 制备 TaCx晶须 形貌 生长机理 碳化钽 晶体结构

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