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大尺寸弛豫铁电单晶PIMNT的坩埚下降法生长 被引量:8
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作者 陈红兵 柯毅阳 +4 位作者 罗来慧 倪峰 赵学洋 方义权 潘建国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期117-123,127,共8页
PIMNT单晶是近年来最新发现的弛豫铁电晶体材料,该三元固溶体单晶具有比较理想的压电、铁电和介电性能,本文报道了大尺寸PIMNT单晶的熔体坩埚下降法生长的实验研究结果。采用固相合成钙钛矿相多晶料,采用垂直坩埚下降法成功生长出最大... PIMNT单晶是近年来最新发现的弛豫铁电晶体材料,该三元固溶体单晶具有比较理想的压电、铁电和介电性能,本文报道了大尺寸PIMNT单晶的熔体坩埚下降法生长的实验研究结果。采用固相合成钙钛矿相多晶料,采用垂直坩埚下降法成功生长出最大直径为3英寸的PIMNT单晶;从所生长单晶原胚的三方相区段切割加工出(001)取向晶片,就(001)晶片的介电、压电及铁电性能进行了测试表征,表明其材料性能能够满足相关超声换能器件制作的实用需求。本论文还着重讨论了PIMNT单晶生长所涉及的系列关键技术问题,如富铅熔体对铂金坩埚的侵蚀、晶体原胚的单晶性表征、晶体生长过程的组分偏析与单晶原胚的性能分布等。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 PIMNT 单晶生长 坩埚下降法
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Er^(3+)掺杂弛豫铁电材料PMNT的单晶生长与性能表征 被引量:2
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作者 向军涛 杜鹏 +4 位作者 罗来慧 方义权 赵学洋 胡旭波 陈红兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期135-140,共6页
按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被... 按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被掺杂进入钙钛矿相铁电体晶格;测试了Er3+掺杂PMNT晶片的介电、压电与铁电性能以及上转换发光性能。结果表明,Er3+掺杂PMNT晶体呈现跟三方相纯PMNT晶体相近的介电、压电与铁电性能;在980 nm激发光作用下,该掺杂晶体呈现出Er3+离子特有的较强上转换荧光发射,并且极化后掺杂晶体的上转换发光强度得到增强。 展开更多
关键词 Er3+掺杂PMNT晶体 单晶生长 坩埚下降法 电学性能 上转换发光
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PIMNT单晶生长用多晶料的固相合成 被引量:1
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作者 柯毅阳 梁哲 +4 位作者 沈琦 罗来慧 董友仁 潘建国 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1371-1375,1393,共6页
以In2O3、Nb2O5、4MgCO3.Mg(OH)2.4H2O、TiO2、PbO为初始试剂,先合成出前体化合物MgNb2O6和InNbO4;按照0.25Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.44Pb(Mg1/2Nb2/3)O3-0.31PbTiO3的组分比例,添加1.5 mol%过量PbO,通过高温固相反应合成出PIMNT多晶料。X射... 以In2O3、Nb2O5、4MgCO3.Mg(OH)2.4H2O、TiO2、PbO为初始试剂,先合成出前体化合物MgNb2O6和InNbO4;按照0.25Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.44Pb(Mg1/2Nb2/3)O3-0.31PbTiO3的组分比例,添加1.5 mol%过量PbO,通过高温固相反应合成出PIMNT多晶料。X射线粉末衍射、差热/热重分析表明,PIMNT多晶系钙钛矿结构的固溶体化合物。采用本实验合成PIMNT多晶料锭,通过坩埚下降法成功生长出25 mm直径的PIMNT单晶,证实采用预先合成多晶料有助于钙钛矿相PIMNT单晶的稳定生长。 展开更多
关键词 PIMNT 多晶料 固相合成 单晶生长
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CuO掺杂对0.99Bi_(0.47)Na_(0.47)Ba_(0.06)TiO_3-0.01KNbO_3(BNBT-1%KN)压电陶瓷电学性能的影响 被引量:1
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作者 倪峰 罗来慧 潘孝胤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期942-946,968,共6页
采用固相反应法制备了0.99Bi0.47Na0.47Ba0.06TiO3-0.01KNbO3+x mol%CuO(x=0,0.25,0.5,1,2)(BNBT-1%KN+x mol%CuO)无铅压电陶瓷。使用XRD、Agilent4294A精密阻抗分析仪等对该体系的结构、电学性能进行表征。结果显示所制备的压电陶瓷具... 采用固相反应法制备了0.99Bi0.47Na0.47Ba0.06TiO3-0.01KNbO3+x mol%CuO(x=0,0.25,0.5,1,2)(BNBT-1%KN+x mol%CuO)无铅压电陶瓷。使用XRD、Agilent4294A精密阻抗分析仪等对该体系的结构、电学性能进行表征。结果显示所制备的压电陶瓷具有纯的钙钛矿结构;CuO掺杂能够对材料的电学性能有很大影响,少量掺杂能使铁电材料"硬化"。在x=0.5时,陶瓷样品的电性能达到:d33=170 pC/N,kp=24%,Qm=157,tanδ=2.1%,ε33=874;此外还发现少量的CuO还能提高BNBT-1%KN的退极化温度,在x=0.5时陶瓷具有最高的温度稳定性,退极化温度Td达到99℃。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 介电 掺杂
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高相变温度弛豫铁电单晶PMN-PT-PZ的生长与性能表征 被引量:2
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作者 吴冠洁 邓安猛 +3 位作者 蔡帅 汪振海 罗来慧 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2741-2746,共6页
按照0.624Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.336Pb TiO3-0.04Pb ZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶。应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物... 按照0.624Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.336Pb TiO3-0.04Pb ZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶。应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物相分析,测试了PMN-PT-PZ晶片的介电温谱、电滞回线和压电常数。结果表明,所得三元固溶体单晶PMN-PT-PZ为不含焦绿石相的纯钙钛矿相结构,其三方-四方相变温度Trt达130℃,居里温度Tc为165-170℃,取自单晶原坯三方相区段的(001)取向晶片的压电常数d33在1300-1800 p C/N之间;其矫顽电场Ec为4-4.5 k V/cm,剩余极化强度Pr为20-31.5μC/cm2。跟PMN-PT单晶比较,PMN-PT-PZ单晶仍具有较大压电常数d33,而三方-四方相变温度明显提高,其矫顽电场有所增大。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 PMN-PT-PZ 坩埚下降法 相变温度 电学性能
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全光谱白光发光二极管用Eu^(3+)掺杂Ca_(2)KZn_(2)(VO_(4))_(3)黄色荧光粉的制备及光学性能 被引量:5
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作者 朱久军 罗来慧 +1 位作者 杜鹏 薛俊鹏 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第2期244-252,共9页
基于蓝光芯片激发黄色荧光粉或近紫外芯片激发三基色荧光粉构建的白光发光二极管(WLED)在青光区域呈现明显的凹口,导致白光的色彩性能不够理想。为了弥补这一缺陷,实现全光谱白光,我们设计了Eu^(3+)掺杂Ca_(2)KZn_(2)(VO_(4))_(3)黄色... 基于蓝光芯片激发黄色荧光粉或近紫外芯片激发三基色荧光粉构建的白光发光二极管(WLED)在青光区域呈现明显的凹口,导致白光的色彩性能不够理想。为了弥补这一缺陷,实现全光谱白光,我们设计了Eu^(3+)掺杂Ca_(2)KZn_(2)(VO_(4))_(3)黄色荧光粉,其发射波长范围为400~750 nm。在387 nm激发下,在所制荧光粉中可同时获得来自VO_(4)^(3-)基团和Eu^(3+)的发射光。Eu^(3+)在Ca_(2)KZn_(2)(VO_(4))_(3)基质中的最佳掺杂浓度(物质的量分数)为0.05,且VO_(4)^(3-)基团向Eu^(3+)的能量传递效率达到64.9%。基于变温的发射光谱,揭示了所制荧光粉的热稳定性并发现VO_(4)^(3-)基团和Eu^(3+)的激活能分别为0.538和0.510 eV。此外,将所制黄色荧光粉与商用蓝色荧光粉和近紫外芯片进行封装整合,得到可发射暖白光的WLED器件,其色温和显色指数分别为3843 K和85.8。 展开更多
关键词 白光发光二极管 荧光粉 荧光 稀土离子
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高性能(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)陶瓷无铅医用超声换能器及其成像 被引量:1
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作者 陈兴飞 黄尧 +5 位作者 李晓兵 孙丰龙 杨钊萍 李尧 罗来慧 周长江 《压电与声光》 CAS 北大核心 2023年第6期910-916,共7页
(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)(KNN)陶瓷作为一类重要的高性能无铅压电材料体系,有望推动医用超声成像换能器技术的无铅化。对KNN陶瓷进行有效掺杂改性研究,采用固相烧结法制备了具有优异压电性能的KNN基压电陶瓷,其压电常数达400 pC/N,机... (K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)(KNN)陶瓷作为一类重要的高性能无铅压电材料体系,有望推动医用超声成像换能器技术的无铅化。对KNN陶瓷进行有效掺杂改性研究,采用固相烧结法制备了具有优异压电性能的KNN基压电陶瓷,其压电常数达400 pC/N,机电耦合系数为55%。基于其高压电、低声阻抗的综合性能设计制备了高分辨力、大带宽及高频率的医用超声换能器,其纵向分辨率达47μm,-6 dB带宽达93%,中心频率为18.0 MHz。利用此换能器对人体组织模型进行B模式超声成像,获得管状组织的高分辨率结构图像。结果表明,KNN体系陶瓷是一种应用于医用高频超声成像中综合性能优异的材料。 展开更多
关键词 无铅压电材料 (K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)基陶瓷 超声成像 超声换能器
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<001>-取向(1-x)PbMg_(1/3)Nb_(2/3)O_3-xPbTiO_3单晶电卡效应的组分依赖性
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作者 徐超祥 罗来慧 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期323-328,共6页
以<001>取向的PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT为代表,研究了PT含量对PMN-x PT单晶电卡效应的影响。通过测试单晶的变温电滞回线,计算了PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT的电卡效应。计算结果显示PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.... 以<001>取向的PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT为代表,研究了PT含量对PMN-x PT单晶电卡效应的影响。通过测试单晶的变温电滞回线,计算了PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT的电卡效应。计算结果显示PMN-0.14PT,PMN-0.17PT,PMN-0.28PT单晶的电卡效应最大值随着PT含量的增加而增加,在较小的4 k V/mm电场情况下,分别达到1 K,1.17 K,1.96 K。此外,电卡效应峰发生在居里温度介电峰附近,随着PT含量的增加,电卡效应峰越来越尖锐并移向高温方向。 展开更多
关键词 PMN-PT 铁电 电卡效应 介电
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