SIMOX材料结构、电特性及杂质分析 被引量：1

1

作者 罗晏 李映雪 +3 位作者 姬成周 李国辉 王阳元 张兴 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期68-72,共5页

用扩展电阻（SRP）、二次离子质谱（SIMS）等方法，测量了SIMOX样品的各层结构、电特性和杂质分布．讨论了不同方法的测量，说明了SIMOX材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用．要制作适合器件需要的SOI材料，必须控制工艺过程中顶部... 用扩展电阻（SRP）、二次离子质谱（SIMS）等方法，测量了SIMOX样品的各层结构、电特性和杂质分布．讨论了不同方法的测量，说明了SIMOX材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用．要制作适合器件需要的SOI材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤． 展开更多

关键词 集成电路 SIMOX材料 结构 电特性 杂质

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LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

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作者 罗晏 唐景庭 +1 位作者 李雪春 卢志恒 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期204-207,共4页

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合 ,成功地分离出注入的氧峰 .数据处理结果表明 ,氧注量的均匀性以标准偏差表示为 7.8% ,基本上达到了设计要求 .计算了注氧层和表面硅层的厚度 ,并且还对注量进行了校正 .

关键词 LC-14型强流氧注入机 注入均匀性 背散射分析 SOI材料

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SIMOX结构及杂质的二次离子质谱分析

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作者 罗晏 王阳元 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期125-129,共5页

用二次离子质谱方法，测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构和杂质分布。讨论了测量的方法。说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的捩缺陷和杂质的施主作用。要制作适合器件需要的ＳＯＩ材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。

关键词 注氧隔离技术 顶部硅层 埋层 扩展缺陷 杂质

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瞬态退火过程中高密度缺陷运动对PN结漏电流影响的机理 被引量：2

4

作者 张通和 周生辉 +1 位作者 吴瑜光 罗晏 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期13-18,共6页

5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐... 5×10^(16)cm^(-2)的As高注量注入Si时,瞬态退火过程中出现高密度缺陷.它是由超饱和As浓度的存在造成的,其分布随退火时间增加而展宽.这种缺陷在退火过程中导致奇异扩展的出现.As浓度分布在高密度缺陷区与单晶区交界处出现拐点.拐点深度随退火时间加长而变深.高密度缺陷扩展结果导致PN结漏电流增加.讨论了缺陷运动对PN结漏电流影响的机理. 展开更多

关键词 离子注入 半导体 退火 PN结 漏电

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离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究 被引量：1

5

作者 张通和 李国辉 +3 位作者 阎凤章 罗晏 吴瑜光 王文勋 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1987年第3期41-48,共8页

利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品... 利用白光快速退火设备研究了白光退火特性,得到As通过siO_2注入Si制备0.1～0.15μm无缺陷浅结的最佳条件.发现As通过SiO_2注入的样品退火后其载流子浓度分布出现双峰现象,进而提出了分析这种现象的增强扩散模型.还发现B+As双注入的样品经瞬态退火后消除了减速场. 展开更多

关键词 双重离子注入 快速热退火 增强扩散 浅结 背散射分析

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离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用

6

作者 来永春 王大椿 +7 位作者 张通和 罗晏 沈京华 林振金 谢葆珍 刘有宝 卢英华 边江 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1986年第3期44-53,共10页

本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作... 本文用背散射技术、霍尔效应和X光衍射法测量As离子注入多晶Si浅结工艺在制备D.I2902电路中的基本参数:As在多晶Si中的扩散系数、电阻率、迁移率和晶粒大小。对影响电路参数的多晶Si与单晶Si之间的界面氧化层、多晶Si厚度和晶粒大小作了较详细的分析,指出极薄界面氧化层的存在影响As从多晶Si向单晶Si的扩散,也有利于发射效率的提高。最后给出D.I2902电路的工艺流程和基本电参数。 展开更多

关键词 界面氧化层 浅结工艺 SI 双极集成电路 晶粒大小 背散射分析 光衍射 霍尔效应 离子注入 双极晶体管

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Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成

7

作者 张通和 吴瑜光 +2 位作者 梁宏 钱卫东 罗晏 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1994年第3期357-362,共6页

用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼，实验中发现，当注量均为５×１０１７ｃｍ－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ·ｍ... 用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼，实验中发现，当注量均为５×１０１７ｃｍ－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ·ｍ－２时，方块电阻Ｒ□最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ·ｍ－２注入时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认。当用０．５０Ａ·ｍ－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现。对０．２５Ａ·ｍ－２注入的样品退火实验表明，随退火温度的升高Ｒ□逐渐下降，经８００℃退火，Ｒ□突然下降至９．０Ω，最小值可达到４Ω。背散射分析表明，随束流密度的增大，注入到硅中的钼的总量增加，且钼硅原子比深度分布加宽。对于增加退火温度和增大束流密度所注入样品来说，Ｘ射线衍射测量结果有差别，这表明２种注入情况下硅化钼形成规律也存在某些差别．最后讨论形成这种差异的原因。 展开更多

关键词 钼离子 硅 离子注入 硅化钼

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BF^+对^(29)Si^+注入GaAs层的影响

8

作者 李国辉 韩德俊 +5 位作者 陈如意 罗晏 刘伊犁 姬成周 朱红清 王策寰 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期478-482,共5页

研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n... 研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF^+对离子注入层特性的影响。认为BF^+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替Ga位从而促使大量Si去替As位,形成B_(Ga)-Si_(As)和Si_(As)受主,从而减少了Si_(Ga)的施主浓度并且补偿了n型载流子浓度。因此B的掺入减小了注入层的电激活率。又因为B的掺入产生了一些空位和间隙原子等点缺陷,从而使注入层迁移率下降。实验说明避免BF^+对离子注入层的影响是提高注入层质量的重要关键。 展开更多

关键词 砷化镓 离子注入 硅离子

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氢氧注入在GaAs器件中的应用 被引量：1

9

作者 韩卫 罗晏 +2 位作者 朱红清 司丽荣 李国辉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1995年第4期456-460,共5页

从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，... 从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益。其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。 展开更多

关键词 氢 氧 离子注入 砷化镓器件

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B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究

10

作者 刘伊犁 罗晏 +1 位作者 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第4期472-477,共6页

B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B... B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。 展开更多

关键词 离子注入 砷化镓 硼离子

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离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究 被引量：1

11

作者 张通和 吴瑜光 罗晏 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第3期54-59,共6页

给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10^(15)cm^(-2)... 给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10^(15)cm^(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10^(16)cm^(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能. 展开更多

关键词 As和P离子注入 动力学 退火 激活能

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Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性

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作者 李国辉 朱德华 +2 位作者 张通和 罗晏 韩德俊 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期23-27,共5页

研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使... 研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si^+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET. 展开更多

关键词 离子注入 Si^+ S^+ GAAS 快速退华

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B^+和BF_2^+注入预非晶硅所形成浅结的比较

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作者 张朝明 卢志恒 +2 位作者 张荟星 李素杰 罗晏 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期56-58,共3页

剂量为1×10^(15)cm^(-2)的10keV B^+和45keV BF_2^+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B^+和BF_2^+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行... 剂量为1×10^(15)cm^(-2)的10keV B^+和45keV BF_2^+分别注入(100)n型预非晶硅中,随后在温度为1000和1100℃,时间为2,5和10s的条件下分别进行快速热退火.使用扩展电阻仪,对B^+和BF_2^+注入所形成浅结的结深及载流子的电激活率进行了测量、对比;通过横断面透射电镜照片,对退火后样品的剩余损伤进行了分析. 展开更多

关键词 预非晶硅 离子注入 浅结 B^+ BF2^+

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