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题名等离子体辐照下钨表面氘致起泡行为分析
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作者
元梦辉
罗忠帆
客振华
朱秀丽
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机构
华北电力大学
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出处
《核聚变与等离子体物理》
北大核心
2025年第3期349-356,共8页
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基金
北京市自然科学基金(1242029)
中央高校基本科研业务费专项资金(2024MS053)。
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文摘
借助扫描电子显微镜和专业图像分析软件,研究了多组辐照参数下低能大束流等离子体辐照后钨材料的晶内和晶间氘致起泡行为,同时结合热脱附谱测试方法,对比了氘滞留量随辐照参数的变化。当前实验结果显示,低温辐照时,辐照剂量增加导致晶内泡数密度显著上升、尺寸分布趋势和平均尺寸变化不大;晶间泡数密度显著增加、尺寸分布范围变宽、甚至会有微米泡出现。辐照剂量一定时,辐照温度升高导致晶内泡数密度显著增加、平均尺寸有所下降,晶间泡数密度和平均尺寸均增加。相比于辐照剂量,氘致起泡行为对辐照温度更为敏感。氘滞留结果表明,低温辐照下的辐照剂量增加,氘滞留变化微弱;辐照温度升高到500 K以上时,氘滞留增加显著,主要表现为中高温脱附峰强度增强。起泡行为与氘滞留的对比结果表明,晶内泡数密度的显著增多对氘滞留总量的贡献很小,而晶间泡数密度的显著增多和尺寸增大可显著影响氘滞留行为,主要表现为氘扩散深度增强、高能捕获的氘滞留量显著增多。
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关键词
面对等离子体材料
钨
等离子体辐照
表面起泡
氘滞留
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Keywords
Plasma-facing materials
Tungsten
Plasma exposure
Surface blister
Deuterium retention
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分类号
TL622
[核科学技术—核技术及应用]
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