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3GHz~5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 被引量:2
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作者 王宁章 唐江波 +2 位作者 秦国宾 卢安栋 罗婕思 《电子技术应用》 北大核心 2011年第9期53-55,59,共4页
提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6... 提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz~5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB~4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。 展开更多
关键词 CMOS 超宽带 低噪声放大器 高阶带通滤波器 并联低Q值负载结构
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真空低温烧结的SrTiO_3复合功能陶瓷 被引量:1
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作者 王宁章 卢安栋 +2 位作者 唐江波 罗婕思 文章 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第16期156-159,共4页
选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损... 选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下。 展开更多
关键词 真空烧结 烧结助剂 低温烧结 SrTiO3陶瓷
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