先导光刻中的光学邻近效应修正 被引量：6

1

作者 韦亚一 粟雅娟 刘艳松 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第3期186-193,共8页

按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点... 按照逻辑器件发展的节点顺序,依次论述了各种光学邻近效应修正技术:基于经验的光学邻近效应修正、基于模型的光学邻近效应修正、曝光辅助图形、光源和掩模版的优化、反演光刻技术以及两次曝光技术等。概括了各种技术出现的逻辑技术节点、数据处理流程、修正的表现形式和效果、优势和发展前景等。最后就先导光刻工艺的研发模式(先建立光学和光刻胶模型,再进行"计算光刻"),论证了光刻工艺的研发必须和光学邻近效应修正的数据流程实现互动的观点,即任何光刻工艺参数的变动都会影响到"计算光刻"模型的准确性,需要重新进行修正,以避免原计算可能导致的失败。因此,光学邻近效应修正是先导光刻工艺研发的核心。 展开更多

关键词 光学邻近效应修正(OPC) 辅助图形 计算光刻 光源和掩模版的优化(SMO) 像素式光照 两次曝光技术

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针对分布式系统的快速能耗估计方法及应用 被引量：1

2

作者 粟雅娟 魏少军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1706-1709,共4页

本文针对包含可变电压处理单元的实时分布式系统提出了快速能耗估计算法FAEE,并在此基础上改进了低能耗分配方法.和现有方法相比可获得几乎相同优化结果,而CPU时间降低了约2个数量级.

关键词 低能耗 变电压 快速估计 CPU时间 FAEE

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用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS_2的有效性与可控性

3

作者 战俊 粟雅娟 +3 位作者 罗军 贾昆鹏 段宁远 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第4期229-234,共6页

通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制... 通过化学气相沉积(CVD)工艺成功生长出少层MoS_2薄膜,用Raman光谱仪对材料进行表征,验证了三层MoS_2材料的存在。基于CVD生长出的三层MoS_2薄膜材料完成了背栅场效应晶体管(FET)的制作工艺研发。对MoS_2FET器件进行了电学特性表征,研制的MoS_2FET器件的开关比可达到1.45×10~6,器件的电子载流子场效应迁移率约为1 cm^2·V^(-1)·s^(-1)。对等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN_x)工艺掺杂MoS_2材料进行了研究,掺杂后器件的驱动电流提高了3倍多,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的有效性。通过控制PECVD SiN_x时间工艺参数对SiN_x薄膜厚度与掺杂浓度的关系进行了研究,随着SiN_x薄膜厚度增加器件的驱动电流逐渐增强,验证了SiN_x掺杂MoS_2材料的可控性。最后,对PECVD SiN_x工艺掺杂MoS_2材料的机理进行了讨论。 展开更多

关键词 二硫化钼场效应晶体管(MoS2 FET) 掺杂 二维(2D)半导体材料 过渡金属硫化物(TMD) 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

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基于CVD单层MoS_2 FET的光电探测器

4

作者 战俊 粟雅娟 +2 位作者 贾昆鹏 罗军 闫祥宇 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期437-443,共7页

通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比... 通过化学气相沉积(CVD)工艺在SiO_2/Si衬底生长出MoS_2材料,对材料进行喇曼光谱表征,验证了单层MoS_2的存在;基于CVD生长的单层MoS_2完成了晶圆级背栅场效应晶体管(FET)光电探测器的工艺研发;对MoS_2 FET器件进行了电学特性表征,开关比可达到105数量级,场效应迁移率约为1 cm2·V-1·s-1,栅极漏电流为10-10 A数量级;对MoS2FET器件的光电特性进行了表征,该光电探测器具有普通光电导探测器的基本光电特性,其光电流随光照强度的增强以及源漏电压的增加而增加,同时由于栅极的调制提高了光电探测器的灵活性。通过控制栅极电压能够控制MoS2FET光电探测器的暗电流大小,实现对探测器η参数的有效调制。最后通过器件能带图对MoS_2 FET光电探测器的光电特性进行了阐释,为其走向实际应用奠定了理论基础。 展开更多

关键词 二硫化钼(MoS2) 场效应晶体管(FET) 二维(2D)半导体材料 光电探测器 过渡金属硫属化合物(TMD)

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石墨烯掺杂研究进展 被引量：5

5

作者 胡荣炎 贾昆鹏 +2 位作者 陈阳 战俊 粟雅娟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第11期692-700,共9页

石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和... 石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和替位掺杂两种主流掺杂方法的掺杂机制,比较了不同掺杂方法的优势与劣势,并提出了潜在的应用方向。由于简单表面转移掺杂和替位掺杂方法都使石墨烯掺杂后裸露在外界环境中,很容易受外界吸附物的影响,造成掺杂效果的退化,因此介绍了氮化硅钝化层和金属接触在石墨烯掺杂方面的独特优势,并且认为掺杂后隔绝石墨烯与外界环境是掺杂稳定存在的必要前提。最后,展望了掺杂石墨烯在未来电子器件中的应用。 展开更多

关键词 石墨烯 掺杂 吸附 替位 介质 金属

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基于机器学习的光刻坏点检测研究进展 被引量：4

6

作者 盖天洋 粟雅娟 +1 位作者 陈颖 韦亚一 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第6期421-428,434,共9页

基于机器学习的坏点检测技术已经成为光刻坏点检测的重要研究方向,在新技术节点开发与物理设计验证中具有重要意义。按照基于机器学习的光刻坏点检测技术的流程,依次介绍了特征提取、机器学习模型建模和待测样本提取等步骤中面临的问题... 基于机器学习的坏点检测技术已经成为光刻坏点检测的重要研究方向,在新技术节点开发与物理设计验证中具有重要意义。按照基于机器学习的光刻坏点检测技术的流程,依次介绍了特征提取、机器学习模型建模和待测样本提取等步骤中面临的问题,综述了近年研究中针对以上问题提出的关键技术及其优劣。对基于机器学习的坏点检测技术的发展方向和面临的挑战进行了展望。目前,完全基于机器学习技术的坏点检测技术中数据生成成本巨大,精度尚不满足集成电路行业应用的要求,因此与光刻仿真模型、图形匹配等传统方法的结合是基于机器学习的坏点检测技术最容易应用于实际生产的技术途径。 展开更多

关键词 机器学习 坏点检测 集成电路物理设计 计算光刻 设计工艺联合优化

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一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真 被引量：2

7

作者 宋之洋 郭沫然 +3 位作者 苏晓菁 刘艳松 粟雅娟 韦亚一 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期197-203,共7页

目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研... 目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。 展开更多

关键词 光刻 计算光刻 光学邻近效应校正(OPC) 光学邻近效应匹配 工艺窗口控制

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基于用户的IP核评测方法 被引量：2

8

作者 韩健 陈岚 +1 位作者 粟雅娟 连永懿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第11期43-46,50,共5页

在SoC设计中,IP的使用可以缩短设计周期、降低设计风险,已经成为SoC设计不可缺少的部分.IP共性技术,包括IP保护、IP评测是IP核使用中面临的重要问题.针对以上两个问题提出了综合的解决方案,提出了在IP打包过程中对IP进行评测的方法,搭... 在SoC设计中,IP的使用可以缩短设计周期、降低设计风险,已经成为SoC设计不可缺少的部分.IP共性技术,包括IP保护、IP评测是IP核使用中面临的重要问题.针对以上两个问题提出了综合的解决方案,提出了在IP打包过程中对IP进行评测的方法,搭建了兼容主流EDA工具的IP打包评测平台,并在此平台上完成了一款8051核的打包评测. 展开更多

关键词 IP核 质量评测 IP打包 平台

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VLSI详细布线算法研究进展 被引量：4

9

作者 屈通 盖天洋 +3 位作者 王书涵 苏晓菁 粟雅娟 韦亚一 《微电子学与计算机》 2021年第11期1-6,共6页

超大规模集成电路(VLSI)中的详细布线是物理设计中一个重要且具有挑战性的环节.在这一阶段,所有导线的路径都会被确定下来,布线的优劣直接关系到芯片的面积和性能,路径搜索是布线中最为耗时的步骤之一.本文介绍了基于网格的布线模型,将... 超大规模集成电路(VLSI)中的详细布线是物理设计中一个重要且具有挑战性的环节.在这一阶段,所有导线的路径都会被确定下来,布线的优劣直接关系到芯片的面积和性能,路径搜索是布线中最为耗时的步骤之一.本文介绍了基于网格的布线模型,将布线问题抽象为一个图搜索问题或者多商品流问题;总结了迷宫搜索算法、A*算法、整数线性规划(ILP)算法和并行加速算法在路径搜索中的应用和针对设计约束作出的优化,结合在布线器中应用情况分析其优劣;总结回顾了基于机器学习求解算法的研究进展,分析了存在的问题,并对详细布线算法的发展趋势做了展望.分析表明,A*算法在布线质量、稳定性和速度等方面的综合性能较其他算法更为优异,其难点在于设计合理的布线排序策略和图模型.强化学习具有巨大的研究潜力,目前的研究仅在规模较小的设计中测试,仍需要进一步改进和探索. 展开更多

关键词 详细布线 机器学习 强化学习 迷宫搜索 整数线性规划

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微纳机电开关研究现状 被引量：1

10

作者 曹合适 粟雅娟 +1 位作者 张斌珍 段俊萍 《电子技术应用》 北大核心 2015年第9期21-24,32,共5页

微纳机电开关是指特征尺寸在微米或纳米量级内的机械开关,是一个新兴的技术领域,具有体积小、速度快、零泄漏等优势,成为近年来的研究热点。首先介绍了微纳机电开关在射频器件和逻辑电路中的应用,并概述了其分类方式及各自特点。同时系... 微纳机电开关是指特征尺寸在微米或纳米量级内的机械开关,是一个新兴的技术领域,具有体积小、速度快、零泄漏等优势,成为近年来的研究热点。首先介绍了微纳机电开关在射频器件和逻辑电路中的应用,并概述了其分类方式及各自特点。同时系统综述了微纳机电开关的研究现状,包括在尺寸、阈值电压、稳定性、材料等方面取得的突破。最后,论述了微纳机电开关的发展趋势,阐述了其面临的问题和发展障碍,如微纳尺寸下的表面粘附效应、现有工艺技术的实现等。 展开更多

关键词 微纳机电开关 零泄漏 射频器件 逻辑电路 粘附力

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石墨烯/金属接触研究进展 被引量：1

11

作者 闫祥宇 粟雅娟 +3 位作者 贾昆鹏 李梅 马源骏 韦亚一 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第11期745-751,共7页

石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石... 石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石墨烯的电流主要通过边缘传输,通过在石墨烯与金属的接触界面引入边缘接触,增加了电流流经的路径,从而减小石墨烯与金属的接触电阻率。最后总结出边缘接触是最可能优化其接触电阻率的技术方案,并展望了石墨烯/金属接触的研究前景。 展开更多

关键词 石墨烯 金属 面接触 边缘接触 欧姆接触 二维材料

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基于功能分类的第三方IP质量评测 被引量：2

12

作者 连永懿 陈岚 +1 位作者 粟雅娟 韩健 《信息与电子工程》 2009年第2期146-150,共5页

分析目前几大IP质量评测标准特点,指出当前用于转让和交互的IP评测标准,着重于共同特征,缺乏个性特征,特别是针对功能特征的描述。基于功能分类,提出面向IP设计流程和IP功能目录的第三方质量评测方法。将IP功能特征引入质量空间,新的IP... 分析目前几大IP质量评测标准特点,指出当前用于转让和交互的IP评测标准,着重于共同特征,缺乏个性特征,特别是针对功能特征的描述。基于功能分类,提出面向IP设计流程和IP功能目录的第三方质量评测方法。将IP功能特征引入质量空间,新的IP质量评测标准更客观、可行。作为方法示例,介绍运算处理类软IP核的质量评测过程。 展开更多

关键词 片上系统 IP质量评测标准 嵌入式处理器-数字软IP

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化学外延方式的嵌段共聚物定向自组装

13

作者 郭成 粟雅娟 +5 位作者 陈睿 董立松 张利斌 陈颖 盖天洋 韦亚一 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第2期155-162,共8页

定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响。基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同"吸附"强度及退火时间下的... 定向自组装(DSA)是一种新型的光刻分辨率增强技术,为了探究制约DSA应用于大规模集成电路制造的因素,采用仿真手段评估了DSA工艺条件以及不同版图设计对DSA的影响。基于Cahn-Hilliard方程,模拟了不同"吸附"强度及退火时间下的线条图形光刻轮廓,分析了上述工艺条件对光刻结果的影响,发现增加退火时间、增强衬底的"吸附"强度可以有效减小电路制造缺陷。基于7 nm设计规则,改变引导图形周期,得到线条图形线宽粗糙度(LWR)以及通孔图形的光刻轮廓图,分析了引导图形周期和LWR及轮廓图质量的关系,得出当引导图形周期为2倍共聚物自然周期(2L0)时,可以得到更好的光刻图形质量,并通过2L0周期扰动实验进一步验证了该结论。 展开更多

关键词 定向自组装(DSA) 化学外延 嵌段共聚物(BCP) 光刻 大规模集成电路

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一种新型双重图形技术拆分方法

14

作者 于丽贤 粟雅娟 韦亚一 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第4期259-264,共6页

基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于... 基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于未在设计阶段考虑兼容DPT的设计版图,能够对版图顺利完成包含更改设计和引入切割的图形拆分过程;采用新方法拆分实际版图,进一步证明了该方法能够同时减少剩余冲突和引入切割数目;采用EDA工具模拟了拆分之后进行光源掩膜优化(SMO)和光学临近效应修正(OPC)的光刻分辨率增强流程,验证了DPT能够提高分辨率、增大光刻工艺窗口。 展开更多

关键词 光刻 双重图形技术(DPT) 图形拆分 光学临近效应修正(OPC) 奇数周期

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