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超高速低功耗CMOS 4:1复接器
1
作者
冯军
管忻
李育军
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期1196-1200,共5页
研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响。提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片。该系统采用...
研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响。提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片。该系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成。核心电路锁存器在低速单元中用带有电平恢复的4_T电路构成,在高速单元中用动态传输门构成;选择器则用CMOS传输门构成的双路开关实现,每一电路都只用4只晶体管实现。芯片面积为0.39mm^2。芯片测试结果表明:在3.3V电源电压下,芯片核心功耗低于40mW,最高工作速率可达4Gb/s。
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关键词
CMOS逻辑
复接器
超高速
低功耗
工艺角
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职称材料
超高速低功耗4：1复接器设计、封装及测试
2
作者
周鹤
冯军
+3 位作者
管忻
章丽
李伟
管志强
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期234-237,共4页
采用CSM0.35μm CMOS工艺,设计了低功耗2.5-3.125Gbit/s4∶1复接器.该芯片既可以应用于光纤通信系统SDH STM-16（2.5Gbit/s）速率级别的光发射机,又可以应用于万兆以太网IEEE802.3ae10GBASE-X（3.125Gbit/s）速率级别的通道接口发送器....
采用CSM0.35μm CMOS工艺,设计了低功耗2.5-3.125Gbit/s4∶1复接器.该芯片既可以应用于光纤通信系统SDH STM-16（2.5Gbit/s）速率级别的光发射机,又可以应用于万兆以太网IEEE802.3ae10GBASE-X（3.125Gbit/s）速率级别的通道接口发送器.系统采用树型结构,核心电路由锁存器、选择器、分频器组成,并采用了CMOS逻辑实现.最高工作速率可达3.5Gbit/s.芯片供电电压3.3V,核心功耗为25mW.该芯片采用SOP-16封装.芯片封装后焊接在高速PCB板上进行测试,封装后芯片最高工作速率为2.3Gbit/s.
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关键词
CMOS
复接器
低功耗
封装
光纤通信
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职称材料
题名
超高速低功耗CMOS 4:1复接器
1
作者
冯军
管忻
李育军
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第11期1196-1200,共5页
基金
863计划(2001AA312010
2006AA01Z284)资助项目
文摘
研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响。提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片。该系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成。核心电路锁存器在低速单元中用带有电平恢复的4_T电路构成,在高速单元中用动态传输门构成;选择器则用CMOS传输门构成的双路开关实现,每一电路都只用4只晶体管实现。芯片面积为0.39mm^2。芯片测试结果表明:在3.3V电源电压下,芯片核心功耗低于40mW,最高工作速率可达4Gb/s。
关键词
CMOS逻辑
复接器
超高速
低功耗
工艺角
Keywords
CMOS logic, multiplexer, ultrahigh-speed, low power, comer
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
超高速低功耗4：1复接器设计、封装及测试
2
作者
周鹤
冯军
管忻
章丽
李伟
管志强
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
新志光电集成有限责任公司
出处
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期234-237,共4页
文摘
采用CSM0.35μm CMOS工艺,设计了低功耗2.5-3.125Gbit/s4∶1复接器.该芯片既可以应用于光纤通信系统SDH STM-16（2.5Gbit/s）速率级别的光发射机,又可以应用于万兆以太网IEEE802.3ae10GBASE-X（3.125Gbit/s）速率级别的通道接口发送器.系统采用树型结构,核心电路由锁存器、选择器、分频器组成,并采用了CMOS逻辑实现.最高工作速率可达3.5Gbit/s.芯片供电电压3.3V,核心功耗为25mW.该芯片采用SOP-16封装.芯片封装后焊接在高速PCB板上进行测试,封装后芯片最高工作速率为2.3Gbit/s.
关键词
CMOS
复接器
低功耗
封装
光纤通信
Keywords
complementary metal oxide semiconductor （CMOS）
multiplexer
low power
package
optical communication
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
操作
1
超高速低功耗CMOS 4:1复接器
冯军
管忻
李育军
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
2
超高速低功耗4：1复接器设计、封装及测试
周鹤
冯军
管忻
章丽
李伟
管志强
《东南大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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