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射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜
1
作者
郭宝海
王德真
+1 位作者
章玉萱
马腾才
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第6期644-646,650,共4页
采用射频等离子体增强磁控溅射同步沉积,在金属表面制备了Al2O3 膜.实验表明,采用本方法在工艺上是可行的,膜与基材结合性能好。
关键词
氧化铝
薄膜
磁控溅射沉积
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职称材料
题名
射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜
1
作者
郭宝海
王德真
章玉萱
马腾才
机构
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连理工大学分部
出处
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第6期644-646,650,共4页
基金
辽宁省科委资助项目
文摘
采用射频等离子体增强磁控溅射同步沉积,在金属表面制备了Al2O3 膜.实验表明,采用本方法在工艺上是可行的,膜与基材结合性能好。
关键词
氧化铝
薄膜
磁控溅射沉积
Keywords
high frequency discharge/Al2O3 films
RF plasma
plasma enhanced magnetron sputtering deposition
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
射频等离子体增强磁控溅射沉积Al_2O_3膜
郭宝海
王德真
章玉萱
马腾才
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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