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题名半绝缘多晶硅钝化技术研究及其应用
被引量：3
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作者
陈福元
陈启秀
陈忠景
章婉珍
林玉瓶
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机构
浙江大学电力电子工程研究中心功率器件研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期26-30,共5页
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文摘
1 前言 半导体器件的稳定性除了与器件的制造材料、器件本身的结构有关外,在相当大的程度上还取决于对其表面的保护措施——即表面钝化。钝化是改善器件性能和提高可靠性所不可缺少的手段和重点工艺。早在五十年代。
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关键词
半绝缘
多晶硅
钝化
半导体器件
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名联栅晶体管的电压放大因子
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作者
郑海东
陈启秀
陈福元
章婉珍
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机构
浙江大学功率器件研究所
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出处
《科技通报》
1991年第3期179-180,共2页
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文摘
联栅晶体管(简称GAT)是具有高速高反压低饱和压降性能的功率开关器件,它是一种双极型晶体管的改进型结构。它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高。这一基区中伸出部分相当于JFET的栅,接近基区的集电区相当于源,远离基区的那部分集电区相当于漏,两栅之间的集电区作为沟道,基区其他部分作为普通NPN晶体管的基区作用。联栅晶体管克服了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的电阻率情况下得到较高的BV_(ceo)。
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关键词
晶体管
电压放大因子
联栅晶体管
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分类号
TN32
[电子电信—物理电子学]
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