针对无线通信应用的射频功率放大器,提出了一种新颖的温度补偿电路。应用该温度补偿电路,设计了一款基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了带温度补偿特性的有源偏置电路,能有效地提高线性度,补偿温度引起...针对无线通信应用的射频功率放大器,提出了一种新颖的温度补偿电路。应用该温度补偿电路,设计了一款基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了带温度补偿特性的有源偏置电路,能有效地提高线性度,补偿温度引起的性能偏差;输出匹配网络采用F类功率放大器谐波理论而设计。在1 920~1 980 MHz频段和电源电压3.4 V条件下,测得常温状态该功率放大器增益为27 d B;输出功率在28 d Bm时功率附加效率达到42%,邻信道功率比为?36 d Bc;在?20℃~80℃之间功率附加效率和邻信道功率比基本不变。展开更多
主要研究采用IBM公司SOI 0.18μm CMOS工艺设计应用于1.95 GHz WCDMA发射机的全集成线性功率放大器的设计方法。电路采用三级AB类放大器级联结构,模拟结果显示,在工作电压为2.5 V的情况下,CMOS射频功率放大器工作稳定,1 d B压缩点输出...主要研究采用IBM公司SOI 0.18μm CMOS工艺设计应用于1.95 GHz WCDMA发射机的全集成线性功率放大器的设计方法。电路采用三级AB类放大器级联结构,模拟结果显示,在工作电压为2.5 V的情况下,CMOS射频功率放大器工作稳定,1 d B压缩点输出功率约为30 d Bm,增益约为28 d B,最大功率增加效率(PAE)约为42%。展开更多
针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的...针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度。此外,输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率。该功放在工作电压为3.4 V,频率2.35 GHz处,分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得:增益为27.5 d B,1 d B压缩点为30 d Bm,最高效率点达到46%;平均输出功率为28 d Bm时,无线接入邻道泄漏率为-38.4d Bc,功率附加效率为38%。展开更多
针对传统Wilkinson功分器尺寸大且工作频率只局限于基波及其奇次谐波的问题,通过采用级联两条不同特性阻抗的周期性电容加载的传输线代替传统的1/4波长阻抗变换器,并结合RLC并联谐振网络,设计一种适用于任意两个频率的Wilkinson功分器,...针对传统Wilkinson功分器尺寸大且工作频率只局限于基波及其奇次谐波的问题,通过采用级联两条不同特性阻抗的周期性电容加载的传输线代替传统的1/4波长阻抗变换器,并结合RLC并联谐振网络,设计一种适用于任意两个频率的Wilkinson功分器,从而显著减小了功分器的尺寸。最后基于FR4基板,设计应用于900 MHz和1.8 GHz的双频Wilkin-son功分器。测量结果显示,功分器的三端口电路匹配良好,在900 MHz,S11约为-25 d B,S22约为-26 d B,S21约为-3.23 d B;在1.8 GHz,S11约为-23 d B,S22约为-17.5 d B,S21约为-3.39 d B;在两个频点下,输出端口的隔离度分别为-27 d B和-23 d B,仿真结果和测量结果吻合,验证了该方法的可行性和实用性。展开更多
文摘针对无线通信应用的射频功率放大器,提出了一种新颖的温度补偿电路。应用该温度补偿电路,设计了一款基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了带温度补偿特性的有源偏置电路,能有效地提高线性度,补偿温度引起的性能偏差;输出匹配网络采用F类功率放大器谐波理论而设计。在1 920~1 980 MHz频段和电源电压3.4 V条件下,测得常温状态该功率放大器增益为27 d B;输出功率在28 d Bm时功率附加效率达到42%,邻信道功率比为?36 d Bc;在?20℃~80℃之间功率附加效率和邻信道功率比基本不变。
文摘主要研究采用IBM公司SOI 0.18μm CMOS工艺设计应用于1.95 GHz WCDMA发射机的全集成线性功率放大器的设计方法。电路采用三级AB类放大器级联结构,模拟结果显示,在工作电压为2.5 V的情况下,CMOS射频功率放大器工作稳定,1 d B压缩点输出功率约为30 d Bm,增益约为28 d B,最大功率增加效率(PAE)约为42%。
文摘针对LTE应用的射频功率放大器,提出了一种结构简单的改善功率放大器性能的方法,并应用该方法设计了一个基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了三阶交调失真消除技术、级间谐波抑制网络和带温度补偿特性的有源偏置电路以达到高线性度。此外,输出采用F类功率放大器谐波理论以获得高效率。该功放在工作电压为3.4 V,频率2.35 GHz处,分别使用连续波信号和10 MHz LTE调制信号输入测得:增益为27.5 d B,1 d B压缩点为30 d Bm,最高效率点达到46%;平均输出功率为28 d Bm时,无线接入邻道泄漏率为-38.4d Bc,功率附加效率为38%。
文摘针对传统Wilkinson功分器尺寸大且工作频率只局限于基波及其奇次谐波的问题,通过采用级联两条不同特性阻抗的周期性电容加载的传输线代替传统的1/4波长阻抗变换器,并结合RLC并联谐振网络,设计一种适用于任意两个频率的Wilkinson功分器,从而显著减小了功分器的尺寸。最后基于FR4基板,设计应用于900 MHz和1.8 GHz的双频Wilkin-son功分器。测量结果显示,功分器的三端口电路匹配良好,在900 MHz,S11约为-25 d B,S22约为-26 d B,S21约为-3.23 d B;在1.8 GHz,S11约为-23 d B,S22约为-17.5 d B,S21约为-3.39 d B;在两个频点下,输出端口的隔离度分别为-27 d B和-23 d B,仿真结果和测量结果吻合,验证了该方法的可行性和实用性。
