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利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究
被引量:
2
1
作者
张东国
李忠辉
+5 位作者
孙永强
董逊
李亮
彭大青
倪金玉
章咏梅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期328-330,344,共4页
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。...
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
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关键词
金属有机物化学气相淀积
氮化镓
缓冲层
结晶
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职称材料
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系
被引量:
2
2
作者
倪金玉
李忠辉
+5 位作者
李亮
董逊
章咏梅
许晓军
孔月婵
姜文海
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期9-12,共4页
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核...
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。
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关键词
氮化镓
金属有机物化学气相淀积
氮化铝成核层
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职称材料
突出中职生关键能力的培养——浅谈《机械制图》课程改革
被引量:
1
3
作者
章咏梅
《黑龙江科技信息》
2010年第35期192-192,共1页
职业教育的课程改革必须突出关键能力培养,必须关注现实工程技术,创新教学模式和采用行为引导教学法,从而全面提升学生的岗位综合技能,以培养出高质量的技能型人才。现结合《机械制图》课程教学改革,从课程内容结构、教学模式、实践教...
职业教育的课程改革必须突出关键能力培养,必须关注现实工程技术,创新教学模式和采用行为引导教学法,从而全面提升学生的岗位综合技能,以培养出高质量的技能型人才。现结合《机械制图》课程教学改革,从课程内容结构、教学模式、实践教学几方面,提出职业学校的课程教学改革必须突出学生关键能力培养的目标。
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关键词
关键能力
课程改革
教学模式
实践教学
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职称材料
题名
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究
被引量:
2
1
作者
张东国
李忠辉
孙永强
董逊
李亮
彭大青
倪金玉
章咏梅
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期328-330,344,共4页
文摘
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。
关键词
金属有机物化学气相淀积
氮化镓
缓冲层
结晶
Keywords
MOCVD
GaN
buffer layer
crystallize
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系
被引量:
2
2
作者
倪金玉
李忠辉
李亮
董逊
章咏梅
许晓军
孔月婵
姜文海
机构
单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期9-12,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076120和60807038)
文摘
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。
关键词
氮化镓
金属有机物化学气相淀积
氮化铝成核层
Keywords
GaN
MOCVD
AlN nucleation layer
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
突出中职生关键能力的培养——浅谈《机械制图》课程改革
被引量:
1
3
作者
章咏梅
机构
南京江宁中等专业学校
出处
《黑龙江科技信息》
2010年第35期192-192,共1页
文摘
职业教育的课程改革必须突出关键能力培养,必须关注现实工程技术,创新教学模式和采用行为引导教学法,从而全面提升学生的岗位综合技能,以培养出高质量的技能型人才。现结合《机械制图》课程教学改革,从课程内容结构、教学模式、实践教学几方面,提出职业学校的课程教学改革必须突出学生关键能力培养的目标。
关键词
关键能力
课程改革
教学模式
实践教学
分类号
TH126-4 [机械工程—机械设计及理论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究
张东国
李忠辉
孙永强
董逊
李亮
彭大青
倪金玉
章咏梅
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
在线阅读
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职称材料
2
GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系
倪金玉
李忠辉
李亮
董逊
章咏梅
许晓军
孔月婵
姜文海
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
突出中职生关键能力的培养——浅谈《机械制图》课程改革
章咏梅
《黑龙江科技信息》
2010
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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