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利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究 被引量:2
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作者 张东国 李忠辉 +5 位作者 孙永强 董逊 李亮 彭大青 倪金玉 章咏梅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期328-330,344,共4页
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。... 采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相淀积 氮化镓 缓冲层 结晶
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GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系 被引量:2
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作者 倪金玉 李忠辉 +5 位作者 李亮 董逊 章咏梅 许晓军 孔月婵 姜文海 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期9-12,共4页
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核... 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。 展开更多
关键词 氮化镓 金属有机物化学气相淀积 氮化铝成核层
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突出中职生关键能力的培养——浅谈《机械制图》课程改革 被引量:1
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作者 章咏梅 《黑龙江科技信息》 2010年第35期192-192,共1页
职业教育的课程改革必须突出关键能力培养,必须关注现实工程技术,创新教学模式和采用行为引导教学法,从而全面提升学生的岗位综合技能,以培养出高质量的技能型人才。现结合《机械制图》课程教学改革,从课程内容结构、教学模式、实践教... 职业教育的课程改革必须突出关键能力培养,必须关注现实工程技术,创新教学模式和采用行为引导教学法,从而全面提升学生的岗位综合技能,以培养出高质量的技能型人才。现结合《机械制图》课程教学改革,从课程内容结构、教学模式、实践教学几方面,提出职业学校的课程教学改革必须突出学生关键能力培养的目标。 展开更多
关键词 关键能力 课程改革 教学模式 实践教学
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