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基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒
被引量：
1
1
作者
丁彬
程现铁
+1 位作者
徐国庆
张宏
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期1748-1753,共6页
提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面。通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六...
提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面。通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势。同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值。尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9%。
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关键词
多晶硅太阳能电池
表面制绒
湿法刻蚀
光刻法
负性光刻胶
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职称材料
题名
基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒
被引量：
1
1
作者
丁彬
程现铁
徐国庆
张宏
机构
西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室
西安交通大学苏州研究院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期1748-1753,共6页
基金
江苏省自然科学基金(BK20141215)
文摘
提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面。通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势。同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值。尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9%。
关键词
多晶硅太阳能电池
表面制绒
湿法刻蚀
光刻法
负性光刻胶
Keywords
polycrystalline silicon solar cell
surface texturization
wet etching
photolithography
negative photoresist
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒
丁彬
程现铁
徐国庆
张宏
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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