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在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究
被引量：
12
1
作者
吕反修
高旭辉
+7 位作者
郭会斌
陈广超
李成明
唐伟忠
佟玉梅
余怀之
程宏范
杨海
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期105-108,共4页
本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究。发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程...
本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究。发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致。本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价。
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关键词
硫化锌
金刚石膜涂层
陶瓷
过渡层
诱导形核
微波等离子体
CVD
ZNS
衬底
衬底材料
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职称材料
题名
在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究
被引量：
12
1
作者
吕反修
高旭辉
郭会斌
陈广超
李成明
唐伟忠
佟玉梅
余怀之
程宏范
杨海
机构
北京科技大学材料学院
北京有色金属研究总院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期105-108,共4页
文摘
本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究。发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致。本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价。
关键词
硫化锌
金刚石膜涂层
陶瓷
过渡层
诱导形核
微波等离子体
CVD
ZNS
衬底
衬底材料
Keywords
ZnS
diamond film coating
ceramic interlayer
induced nucleation
microwave plasma CVD
分类号
O484 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究
吕反修
高旭辉
郭会斌
陈广超
李成明
唐伟忠
佟玉梅
余怀之
程宏范
杨海
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
12
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