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用液晶驱动芯片驱动有机发光显示屏的设计
被引量:
8
1
作者
程加力
司玉娟
+2 位作者
李春星
王丽杰
刘式墉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期597-601,共5页
应用TFT液晶驱动芯片设计了一个TFT有机发光显示屏用的驱动电路。目前有机发光显示屏(OLED)是平板显示领域的研究热点,在研制长寿命、高稳定的器件方面取得了一定的进展,但与之配套的驱动电路还不是很成熟,而且专用芯片又价格昂贵。液...
应用TFT液晶驱动芯片设计了一个TFT有机发光显示屏用的驱动电路。目前有机发光显示屏(OLED)是平板显示领域的研究热点,在研制长寿命、高稳定的器件方面取得了一定的进展,但与之配套的驱动电路还不是很成熟,而且专用芯片又价格昂贵。液晶显示器件的配套驱动芯片功能比较完善,且价格低廉,所以应用TFT液晶驱动芯片设计了TFT有机发光显示屏用的驱动电路很有实际意义。比较了TFT LCD与TFT OLED驱动原理的异同点,从原理上探讨了将TFT LCD用的驱动芯片加以改造,使其可用于驱动TFT OLED,并采用三星公司的TFT液晶驱动芯片S6C0655和S6C0671设计了一个驱动64×3×80的全彩色OLED显示屏的驱动电路。
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关键词
有机电致发光
液晶驱动
液晶驱动芯片
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职称材料
基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术
被引量:
2
2
作者
程加力
韩波
+2 位作者
李寿林
翟国华
高建军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期591-594,603,共5页
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻...
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。
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关键词
等效电路模型
参数提取
射频MOSFET
GAAS
STATZ模型
直流模型
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职称材料
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术
被引量:
5
3
作者
孟茜倩
程加力
高建军
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第3期263-266,共4页
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以...
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。
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关键词
CMOS器件
MOSFET模型
参数提取与模型仿真
MESFET模型
直流模型
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职称材料
题名
用液晶驱动芯片驱动有机发光显示屏的设计
被引量:
8
1
作者
程加力
司玉娟
李春星
王丽杰
刘式墉
机构
吉林大学集成光电子学国家重点联合实验室
吉林大学通信工程学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期597-601,共5页
基金
国家自然科学基金(60376028
60207003
+1 种基金
60476024)
国家"973"计划(2003CB314703)资助项目
文摘
应用TFT液晶驱动芯片设计了一个TFT有机发光显示屏用的驱动电路。目前有机发光显示屏(OLED)是平板显示领域的研究热点,在研制长寿命、高稳定的器件方面取得了一定的进展,但与之配套的驱动电路还不是很成熟,而且专用芯片又价格昂贵。液晶显示器件的配套驱动芯片功能比较完善,且价格低廉,所以应用TFT液晶驱动芯片设计了TFT有机发光显示屏用的驱动电路很有实际意义。比较了TFT LCD与TFT OLED驱动原理的异同点,从原理上探讨了将TFT LCD用的驱动芯片加以改造,使其可用于驱动TFT OLED,并采用三星公司的TFT液晶驱动芯片S6C0655和S6C0671设计了一个驱动64×3×80的全彩色OLED显示屏的驱动电路。
关键词
有机电致发光
液晶驱动
液晶驱动芯片
Keywords
OLED
liquid crystal drive
LCD drive chip
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TN837.3 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术
被引量:
2
2
作者
程加力
韩波
李寿林
翟国华
高建军
机构
华东师范大学信息科学技术学院
淮海工学院电子工程学院
复旦大学ASIC国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期591-594,603,共5页
基金
华东师范大学2010年优秀博士生培养基金项目(2010039)
文摘
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。
关键词
等效电路模型
参数提取
射频MOSFET
GAAS
STATZ模型
直流模型
Keywords
quivalent circuit model
parameter extraction
RF MOSFET
GaAs STATZ model
DC model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术
被引量:
5
3
作者
孟茜倩
程加力
高建军
机构
华东师范大学信息科学技术学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第3期263-266,共4页
文摘
常用的MOSFET模型模型参数多且复杂,在保证精确度的基础上应尽量简化模型。尝试采用目前比较成熟通用的MESFET非线性等效电路经验模型表征射频MOSFET的直流特性。进行模型参数提取,从模型对MOSFET的DC仿真与测量曲线数据的对比结果,以及采用这6个模型仿真MOSFET直流特性时的RMS误差结果来看,这6个常用的MESFET非线性模型可以表征MOSFET的直流特性,参数越多模型精度越高。
关键词
CMOS器件
MOSFET模型
参数提取与模型仿真
MESFET模型
直流模型
Keywords
CMOS device
MOSFET model
parameter extraction and model simulation
MESFET model
DC model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用液晶驱动芯片驱动有机发光显示屏的设计
程加力
司玉娟
李春星
王丽杰
刘式墉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术
程加力
韩波
李寿林
翟国华
高建军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
基于MESFET非线性模型的MOSFET DC建模技术
孟茜倩
程加力
高建军
《电子器件》
CAS
北大核心
2012
5
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职称材料
已选择
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