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Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究
1
作者
陈勇跃
程佩红
黄仕华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期425-429,450,共6页
用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应。认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原...
用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应。认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳。
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关键词
Ta2O5薄膜
射频磁控溅射
C-V特性
退火
高介电常数
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职称材料
超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）
2
作者
徐大朋
程佩红
+1 位作者
陈琳
张卫
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期693-698,共6页
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻...
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.
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关键词
电场调制
阻变存储器
原子层沉积
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职称材料
题名
Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究
1
作者
陈勇跃
程佩红
黄仕华
机构
浙江师范大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期425-429,450,共6页
基金
国家自然科学基金(61076055)
金华科技计划项目(2009-1-141)
复旦大学应用表面物理国家重点实验室开放课题资助(FDS2008-B08)
文摘
用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理。用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应。认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小。同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳。
关键词
Ta2O5薄膜
射频磁控溅射
C-V特性
退火
高介电常数
Keywords
Ta2O5 film
RF magnetron sputter
C-V characteristic
annealing
high-k
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）
2
作者
徐大朋
程佩红
陈琳
张卫
机构
复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期693-698,共6页
基金
Supported by National Natural Science Foundation of China(61376092,61076114,61106108,51172046)
Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education(20110071130005)
文摘
研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.
关键词
电场调制
阻变存储器
原子层沉积
Keywords
electric-filed modulating effect
resistive random access memory(RRAM)
atomic layer deposition
分类号
TN30 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
Ta_2O_5高k介电薄膜的制备及其电学性质的研究
陈勇跃
程佩红
黄仕华
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
2
超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）
徐大朋
程佩红
陈琳
张卫
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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