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EPDM基涂层在8~14μm波段红外低发射率的研究 被引量:16
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作者 余慧娟 徐国跃 +2 位作者 邵春明 程传伟 胡晨 《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第3期154-157,共4页
以三元乙丙橡胶(EPDM)为粘合剂,通过优化填料的种类、用量和形貌制备了在8~14μm波段红外发射率为0.14的EPDM/Cu、EPDM/SS涂层。分别对涂层进行红外发射率、反射率、导电率测试,并采用红外吸收光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对其进行结构、... 以三元乙丙橡胶(EPDM)为粘合剂,通过优化填料的种类、用量和形貌制备了在8~14μm波段红外发射率为0.14的EPDM/Cu、EPDM/SS涂层。分别对涂层进行红外发射率、反射率、导电率测试,并采用红外吸收光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对其进行结构、形貌表征,从涂层反射、电导率、化学结构、微观形貌等角度分析了涂层低发射率的形成机理。对低发射率涂层样品进行耐温性、附着力、硬度等测试表明该涂层的工程应用性能优良。 展开更多
关键词 红外发射率 隐身涂层 三元乙丙橡胶 填料
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红外隐身涂层的制备及其与雷达吸波涂料的兼容性研究 被引量:13
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作者 李凤雷 徐国跃 +3 位作者 余慧娟 胡晨 邵春明 程传伟 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第7期415-419,共5页
采用双层涂覆的方法制备了雷达-红外隐身兼容涂层,研究了红外隐身涂层的填料种类、含量以及涂层厚度对雷达隐身涂层吸波性能的影响,通过优化条件得到对雷达吸波性能影响最小的红外隐身涂层。实验结果表明,用双层涂覆的方法,以特殊形态... 采用双层涂覆的方法制备了雷达-红外隐身兼容涂层,研究了红外隐身涂层的填料种类、含量以及涂层厚度对雷达隐身涂层吸波性能的影响,通过优化条件得到对雷达吸波性能影响最小的红外隐身涂层。实验结果表明,用双层涂覆的方法,以特殊形态片状微米级铝粉作为顶层红外隐身涂层的填料,填充量为40%,且涂层厚度达到20μm时,涂层的红外发射率可达0.15左右,其对底层雷达吸波层吸波性能的影响较小。 展开更多
关键词 红外隐身 雷达隐身 兼容隐身 饱和厚度
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不同形貌ZnO的制备、表征及8~1μgm红外发射率研究 被引量:4
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作者 沈轩 徐国跃 +2 位作者 程传伟 左永平 蔡刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期3988-3990,共3页
采用低温水热法,分别用溴化十六烷基三甲基铵(CTAB)和聚乙二醇(PEG-400)作为表面活性剂,合成了具有新颖结构的花瓣状和针状ZnO。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对花瓣状、针状以及四针状ZnO样品进行结构、形貌表征,用... 采用低温水热法,分别用溴化十六烷基三甲基铵(CTAB)和聚乙二醇(PEG-400)作为表面活性剂,合成了具有新颖结构的花瓣状和针状ZnO。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对花瓣状、针状以及四针状ZnO样品进行结构、形貌表征,用红外吸收光谱(IR)分析样品的红外吸收特性,通过IR-2型发射率测试仪测试样品在8~14μm波段的红外发射率。测试结果表明,花瓣状ZnO发射率最高,针状其次,四针状最低。利用粒子散射机制对形貌与发射率的关系进行了分析。 展开更多
关键词 形貌 氧化锌 发射率 粒子散射
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Cd_(1-x)Zn_xS体系红外光谱及发射率特性 被引量:4
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作者 顾冰芳 徐国跃 +1 位作者 任菁 程传伟 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期349-353,共5页
制备了Cd1-x,ZnxS三元系半导体材料。利用X射线衍射(XRD)对其结构进行了表征,结果表明实验所得样品均为纤锌矿结构。建立了Cd1-xZnxS混晶替位模型,根据所建模型和晶格振动理论,对Cd1-xZnxS红外光谱特性进行探讨。研究了Cd1-xZnxS... 制备了Cd1-x,ZnxS三元系半导体材料。利用X射线衍射(XRD)对其结构进行了表征,结果表明实验所得样品均为纤锌矿结构。建立了Cd1-xZnxS混晶替位模型,根据所建模型和晶格振动理论,对Cd1-xZnxS红外光谱特性进行探讨。研究了Cd1-xZnxS三元系半导体材料红外发射率特性,Cd1-xZnxS在3~5μm波段的发射率远远低于8~14μm波段的发射率,这与材料的红外吸收机制和光谱特性有关;Cd1-xZnsS半导体材料的红外发射率随着烧结温度的提高而降低,这是由于温度升高,晶格畸变减小并逐渐趋近于完整晶格。 展开更多
关键词 Cd1-xZnxS 红外光谱 晶格振动 发射率
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叶酸受体靶向CdS量子点应用于HepG2细胞成像研究 被引量:3
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作者 张培根 余德才 +4 位作者 程传伟 贺志鹏 张晓红 力虎林 张海黔 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1662-1666,共5页
0引言 量子点(quantum dots,QDs)又称半导体纳米晶体(semiconductor nanocrystal),是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的尺寸在2-20nm之间,稳定的微小晶粒。近年来,半导体量子点在生物学领域的应用受到了广泛的关注.尤其是自Alivi... 0引言 量子点(quantum dots,QDs)又称半导体纳米晶体(semiconductor nanocrystal),是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的尺寸在2-20nm之间,稳定的微小晶粒。近年来,半导体量子点在生物学领域的应用受到了广泛的关注.尤其是自Alivisatos和Nie的研究小组于1998年成功地对量子点表面进行改性和修饰.量子点在细胞成像方面的研究取得了长足的进展。 展开更多
关键词 量子点 表面修饰 细胞靶向 叶酸受体 生物成像
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CdS纳米晶体的合成与表征 被引量:3
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作者 胡晓丹 徐小齐 +1 位作者 程传伟 张海黔 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期418-422,共5页
以四甲基二硫化秋兰姆(TMTD)为新型有机硫源,与醋酸镉在不同的反应温度、时间下合成出纳米CdS晶体,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)等手段研究了CdS纳米晶体的结构和... 以四甲基二硫化秋兰姆(TMTD)为新型有机硫源,与醋酸镉在不同的反应温度、时间下合成出纳米CdS晶体,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)等手段研究了CdS纳米晶体的结构和形成。结果表明,反应温度、时间对CdS晶体的形貌和组成有影响,随温度升高,晶体形貌从粒子聚集体过渡到花形结构,同时讨论了纳米晶体的形成机理。 展开更多
关键词 硫化镉 花形纳米晶体 合成
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用低纯度铝制备AAO模板及其结构研究
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作者 周建华 唐敏 +4 位作者 何平 陈素晶 程传伟 王先友 何建平 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期15-18,22,共5页
在0.3mol/dm3草酸溶液中,通过不同纯度铝的恒电位二次阳极氧化制备了纳米孔氧化铝模板,并用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)观察模板结构。实验结果表明,一次氧化除膜后低纯度铝基体表面呈现较为规则的六边形结构,这... 在0.3mol/dm3草酸溶液中,通过不同纯度铝的恒电位二次阳极氧化制备了纳米孔氧化铝模板,并用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)观察模板结构。实验结果表明,一次氧化除膜后低纯度铝基体表面呈现较为规则的六边形结构,这种蜂巢结构有利于二次氧化过程中获得有序度更高的纳米孔模板。低纯度铝制备的模板表面被晶界分隔为微小的区域,只是在较窄区域内才出现六边形规则排列的纳米孔。恒电位40V时所得模板经扩孔处理后,孔径由35nm增大到100nm左右,且孔径大小几乎一致。从纳米孔的有序度来看,由低纯度铝制备模板还需要进一步优化阳极氧化参数。 展开更多
关键词 低纯铝 纳米孔 模板 阳极氧化 草酸
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EPDM基红外隐身涂层耐热性及使用寿命预测研究 被引量:8
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作者 黄嵘 徐国跃 +2 位作者 程传伟 余慧娟 胡晨 《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第12期693-696,共4页
从发射率变化的角度建立了红外隐身涂层失效的评价标准。根据Arrhenius公式研究了涂层寿命的估算方法。采用IR-2型发射率测试仪,测试了低红外发射率EPDM/Cu涂层在不同温度下发射率的变化,得出了涂层的最高耐受温度,并预测了涂层在不同M... 从发射率变化的角度建立了红外隐身涂层失效的评价标准。根据Arrhenius公式研究了涂层寿命的估算方法。采用IR-2型发射率测试仪,测试了低红外发射率EPDM/Cu涂层在不同温度下发射率的变化,得出了涂层的最高耐受温度,并预测了涂层在不同Ma数的飞机蒙皮上的使用寿命。结果表明:涂层的最高耐受温度为523K;涂层在1Ma和1.5Ma的蒙皮上的寿命分别可以达到4.91×105h和3.78×104h。理论计算结果与实验结论比较符合,这表明此预测方法在实际应用中有一定的普遍性,能够比较准确地预测红外隐身涂层的使用寿命。 展开更多
关键词 发射率 寿命预测 红外隐身涂层
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卧式加工中心工作台回转中心坐标的调整 被引量:1
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作者 王文剑 程传伟 +1 位作者 郭崇才 徐建立 《制造技术与机床》 北大核心 2013年第9期119-120,共2页
分析了卧式加工中心的结构形式,提出了T字形结构的卧加工作台回转中心坐标值的重要性,给出了实际位置与理论位置相偏差的几种可能性,明确了如何确定、调整该偏差的方法。
关键词 卧式加工中心 工作台回转中心坐标 实际坐标的偏差
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