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溅射非晶态硅的光致发光
1
作者
叶雅谷
俞志丰
+2 位作者
秦淑引
田静芬
胡行方
《太阳能学报》
EI
CAS
1983年第1期47-51,共5页
本文报道了在77K下测得溅射工艺制备非晶态硅的光致发光光谱,并与辉光放电工艺制得非晶态硅的光致发光光谱作了比较。文中还讨论了由于沉积温度T_d的不同,给予带隙内辐射复合渠道所带来影响而使发光特性发生的变化。
关键词
光致发光
非晶硅
GD
光电导
光致发光光谱
溅射
真空沉积
非晶态硅
激发光
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职称材料
题名
溅射非晶态硅的光致发光
1
作者
叶雅谷
俞志丰
秦淑引
田静芬
胡行方
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
1983年第1期47-51,共5页
文摘
本文报道了在77K下测得溅射工艺制备非晶态硅的光致发光光谱,并与辉光放电工艺制得非晶态硅的光致发光光谱作了比较。文中还讨论了由于沉积温度T_d的不同,给予带隙内辐射复合渠道所带来影响而使发光特性发生的变化。
关键词
光致发光
非晶硅
GD
光电导
光致发光光谱
溅射
真空沉积
非晶态硅
激发光
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射非晶态硅的光致发光
叶雅谷
俞志丰
秦淑引
田静芬
胡行方
《太阳能学报》
EI
CAS
1983
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