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掺杂种类对磷化铟晶片切割损伤层及翘曲度的影响
1
作者
史艳磊
赵红飞
+8 位作者
孙聂枫
王书杰
张志忠
李晓岚
王阳
李亚旗
岳琳清
秦敬凯
徐成彦
《微纳电子技术》
CAS
2024年第7期70-76,共7页
研究了掺杂对磷化铟(InP)单晶切割损伤层及翘曲度的影响。使用化学腐蚀法研究了相同切割工艺条件下不同掺杂晶片的损伤层厚度的差别,得到了切割损伤层厚度以及在相同腐蚀条件下不同掺杂晶片的本征腐蚀速率。4种InP晶片的本征腐蚀速率排...
研究了掺杂对磷化铟(InP)单晶切割损伤层及翘曲度的影响。使用化学腐蚀法研究了相同切割工艺条件下不同掺杂晶片的损伤层厚度的差别,得到了切割损伤层厚度以及在相同腐蚀条件下不同掺杂晶片的本征腐蚀速率。4种InP晶片的本征腐蚀速率排序为掺S晶片>掺Fe晶片>非掺杂晶片>掺Zn晶片。研究晶片损伤层对翘曲度的影响时应结合晶体各向异性。利用Stoney公式,结合InP单晶加工应力特性,分析了损伤层厚度与晶圆翘曲度的关系。研究结果表明,由于[001]晶片表面各区域的加工性能呈现出较强的各向异性,造成表面损伤状态也呈现同样的规律,导致切割片呈现“马鞍”状。最后提出了如降低加工应力、优化腐蚀方案等降低InP切割片翘曲度的有效途径。
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关键词
磷化铟
切割
损伤层
翘曲度
腐蚀去除量
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职称材料
题名
掺杂种类对磷化铟晶片切割损伤层及翘曲度的影响
1
作者
史艳磊
赵红飞
孙聂枫
王书杰
张志忠
李晓岚
王阳
李亚旗
岳琳清
秦敬凯
徐成彦
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
哈尔滨工业大学(深圳)材料科学与工程学院索维奇智能材料实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
2024年第7期70-76,共7页
文摘
研究了掺杂对磷化铟(InP)单晶切割损伤层及翘曲度的影响。使用化学腐蚀法研究了相同切割工艺条件下不同掺杂晶片的损伤层厚度的差别,得到了切割损伤层厚度以及在相同腐蚀条件下不同掺杂晶片的本征腐蚀速率。4种InP晶片的本征腐蚀速率排序为掺S晶片>掺Fe晶片>非掺杂晶片>掺Zn晶片。研究晶片损伤层对翘曲度的影响时应结合晶体各向异性。利用Stoney公式,结合InP单晶加工应力特性,分析了损伤层厚度与晶圆翘曲度的关系。研究结果表明,由于[001]晶片表面各区域的加工性能呈现出较强的各向异性,造成表面损伤状态也呈现同样的规律,导致切割片呈现“马鞍”状。最后提出了如降低加工应力、优化腐蚀方案等降低InP切割片翘曲度的有效途径。
关键词
磷化铟
切割
损伤层
翘曲度
腐蚀去除量
Keywords
indium phosphide
cutting
damage layer
warpage
corrosion removal
amount
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
掺杂种类对磷化铟晶片切割损伤层及翘曲度的影响
史艳磊
赵红飞
孙聂枫
王书杰
张志忠
李晓岚
王阳
李亚旗
岳琳清
秦敬凯
徐成彦
《微纳电子技术》
CAS
2024
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