氧化对GaN基LED透明电极接触特性的影响 被引量：8

1

作者 秦志新 陈志忠 +5 位作者 于彤军 张昊翔 胡晓东 杨志坚 李忠辉 张国义 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期1-4,共4页

研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使... 研究了热退火对InGaN/GaN多量子阱LED的Ni/Au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象。Ni/Au p GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的N2中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复。同时对Ni/Au p GaN接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论。 展开更多

关键词 氮化镓基发光二极管 欧姆接触 氧化作用 量子阱 热退火 载流子浓度

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基于内容的图像检索技术概述 被引量：3

2

作者 秦志新 裴东兴 《数字技术与应用》 2012年第1期159-159,161,共2页

近年来随着因特网的快速普及,如何快速准确地在海量图像中搜索到自己所需的图像显得十分重要。本文综述了基于颜色、纹理、形状图像检索技术的主要方法,讨论了性能评价方法,并指出了应用方向。

关键词 CBIR 颜色 纹理 形状 性能评价方法

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采用N_2-RF等离子体氮化GaAs(001)(英文)

3

作者 秦志新 陈志忠 +1 位作者 周建辉 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-118,共5页

研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形... 研究了在MBE系统中 ,GaAs( 0 0 1 )表面的氮化过程。GaAs( 0 0 1 )表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2 气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2 发生器挡板的情况下 ,氮化导致GaAs( 0 0 1 )表面损伤 ,并且形成多晶结构。当增加N2 气压时 ,损伤变得更严重。但是 ,在关闭N2 发生器挡板的情况下 ,在 5 0 0℃下 ,经过氮化将观察到 ( 3× 3)再构的RHEED花样 ,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明 ,不开N2 发生器挡板 ,低温 ( 5 0 0℃下 )氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c GaN。 展开更多

关键词 GaN 分子束外延 MBE系统 GAAS 砷化镓 氮化镓 N2-RF等离子体氮化

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高N_2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN(英文)

4

作者 秦志新 陈志忠 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期209-212,共4页

在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10 14 到 2 4× 10 14 atoms/cm2 ·s范围内变化。用X 射线衍射 (XRD)和反射高能电子衍射 ... 在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10 14 到 2 4× 10 14 atoms/cm2 ·s范围内变化。用X 射线衍射 (XRD)和反射高能电子衍射 (RHEED)法对InN膜进行了表征。发现在生长的初始阶段 ,所生长的InN属立方相 ,但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变。X 射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(0 0 1)衬底上生长的六角相InN其c 展开更多

关键词 RHEED X-射线倒易空间图形 GAAS(001) 砷化镓 LnN 氮化铟 薄膜生长 MBE法 高氮气气流 N2

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MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究

5

作者 秦志新 陈志忠 +2 位作者 童玉珍 陆曙 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期43-47,共5页

利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～... 利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关. 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 MOCVD

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MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究(英文)

6

作者 秦志新 陈志忠 +2 位作者 童玉珍 陆曙 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期43-47,共5页

利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN... 利用X射线衍射 (XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量。利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为 0 1～ 0 34。通过测量XRD摇摆曲线的InN( 0 0 0 2 )和InGaN( 0 0 0 2 )的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为 0 0 6 84 %～ 2 6 396 %。根据XRD理论 ,计算出InN和InGaN的理论衍射强度。InN含量在所有样品中均小于 3% ,这表明样品的相分离度比较低。还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关。 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 MOCVD

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浅谈多媒体技术在《3ds max 7.0三维动画设计与制作》课堂教学中的应用 被引量：3

7

作者 秦志新 《长沙通信职业技术学院学报》 2008年第2期61-63,共3页

多媒体技术具有集成性、交互性和可挖性的特点,在《3ds max 7.0三维动画设计与制作》课堂教学中应用多媒体技术可以激发学习兴趣,促进学生记忆,节约教学时间,提高教学质量。

关键词 多媒体技术 学习兴趣 发现式教学 学习效率 交流

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统计学习在海上遥感图像背景去噪的算法研究

8

作者 秦志新 《舰船科学技术》 北大核心 2020年第14期88-90,共3页

针对传统的海上遥感图像背景去噪算法中由于噪声分解遗漏情况造成的图像梯度值低的问题,提出统计学习在海上遥感图像背景去噪的算法研究。利用统计学习中的高斯概率分布模型建立遥感图像背景噪声模型,计算每个像素点灰度值的均值,并一... 针对传统的海上遥感图像背景去噪算法中由于噪声分解遗漏情况造成的图像梯度值低的问题,提出统计学习在海上遥感图像背景去噪的算法研究。利用统计学习中的高斯概率分布模型建立遥感图像背景噪声模型,计算每个像素点灰度值的均值,并一一对比,统计图像中噪声分布特征并分离噪声,依据噪声分布特征设计滤波器对,将滤波器对应用在小波变换滤波器中,利用滤波器分解图像中的噪声,经过逆变换重构图像,实现海上遥感图像背景去噪。实验结果表明,与传统的图像背景去噪算法相比,应用统计学习的海上遥感图像背景去噪的算法平均梯度值更高,说明该算法适合应用在海上遥感图像背景去噪中。 展开更多

关键词 统计学习 遥感图像 背景去噪 算法

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白光LED的加速老化特性 被引量：41

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作者 林亮 陈志忠 +3 位作者 陈挺 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期617-621,共5页

对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿... 对两组GaN基白光发光二极管(LED)进行了对比温度加速老化实验,环境温度分别是80,100℃。随着老化温度的升高,电流-电压(I-V)曲线的隧道电流段、扩散电流段以及反向漏电电流均增加,而串联电阻段则变化较小,这是位错密度升高和金属杂质沿着螺旋位错聚集及移动的结果;电容-电压(C-V)曲线中反向偏压下电容减少,正向偏压下电容增大,这是由于螺位错和混合位错产生了漏电的通道;电致发光光谱中黄光荧光成分比重增加;光通量随时间开始缓慢降低,在某一个时刻突然急剧降低,显示各个老化因素累积的影响会在某一时刻导致白光LED突然失效。最后使用阿列纽斯关系计算出所用白光LED的寿命为2.3万小时。 展开更多

关键词 GAN基白光LED 老化 电流-电压 电容-电压 光通量 寿命

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GaN基白光LED的结温测量 被引量：44

10

作者 陈挺 陈志忠 +3 位作者 林亮 童玉珍 秦志新 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期407-412,共6页

用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都... 用正向电压法、管脚法和蓝白比法等三种方法测量GaN基白光LED的结温,获得了较为准确的结温,误差可以控制在4℃以内。正向电压法在恒定电流的条件下,得到了正向电压与结温的线性关系;蓝白比法在不同环境温度和不同注入电流两种情况下,都得到了蓝白比与结温较好的线性关系。提出了蓝白比法可能的物理机制,提高环境温度和增大注入电流都会使结温升高,蓝光峰值波长也会改变,这两个因素都会影响荧光粉的激发和发光效率。降低结温需要考虑的主要因素有白光LED的接触电阻、串联电阻和外量子效率,封装材料的热导率,反射杯和管脚的设计,以及空气散热部分的散热面积等。 展开更多

关键词 GAN基白光LED 结温 正向电压 管脚温度 电致发光谱

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大功率白光LED的制备和表征 被引量：24

11

作者 陈志忠 秦志新 +6 位作者 胡晓东 于彤军 杨志坚 章蓓 姚光庆 邱秀敏 张国义 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期83-86,共4页

用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2... 用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2 0 0mA仍没有出现饱和或下降的趋势 ,白光的色温从 5 30 0K下降至 4 80 0K。 展开更多

关键词 白光发光二极管 荧光粉 色温 电流扩展 氮化镓基 光功率

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Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究 被引量：5

12

作者 陈志忠 秦志新 +5 位作者 胡晓东 于彤军 童玉珍 丁晓民 杨志坚 张国义 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2004年第2期36-39,共4页

通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN... 通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。 展开更多

关键词 n型氮化镓 欧姆接触 电流-电压特性 传输线法 两步合金法

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浅谈Office 2003与Office 2010的区别

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作者 秦志新 郭树杰 《山西电子技术》 2014年第6期57-58,67,共3页

Microsoft Office 2010,是微软推出的新一代办公软件,相对于Office 2003来说,界面有很大改变,新增加了Backstage视图、用户共同协作和共享文档、屏幕截图、粘贴预览等功能,又对功能区和语言进行加强,使操作更简便、快捷。

关键词 Backstage视图 功能区 编辑区 状态栏 图表 演示文稿

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InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文) 被引量：3

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作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期38-42,共5页

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 InN量子点 光致发光

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氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质 被引量：2

15

作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 沈波 朱建民 郑有炓 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期124-128,共5页

用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,... 用透射电子显微镜 (TEM) ,X射线衍射(XRD)和光荧光谱 (PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质。样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的。随着衬底氮化时间的增加 ,扩展缺陷的密度显著增加。在位错密度增加一个数量级时 ,XRD摇摆曲线半宽度 (FWHM)由 1 1″增加到 1 5″,PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的 1 0 0倍。结合生长条件 。 展开更多

关键词 氮化镓 氮化蓝宝石衬底 GAN薄膜 微结构 光学性质

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空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质 被引量：2

16

作者 杨华 秦志新 +5 位作者 陈志忠 胡成余 胡晓东 于彤军 杨志坚 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期691-695,共5页

研究了p GaN上的Au/Ni双金属层在空气气氛和氧气气氛下合金对其欧姆接触性质的影响。使用同步辐射高强度X射线衍射观察到明显的NiO衍射峰。随着合金时间的增加,NiO和Au的结晶性均明显变好,NiO的衍射峰强度随合金时间的增加而增强,同时发... 研究了p GaN上的Au/Ni双金属层在空气气氛和氧气气氛下合金对其欧姆接触性质的影响。使用同步辐射高强度X射线衍射观察到明显的NiO衍射峰。随着合金时间的增加,NiO和Au的结晶性均明显变好,NiO的衍射峰强度随合金时间的增加而增强,同时发现Au(111)沿GaN的(0001)面择优形成单晶。测得Ni/Au p GaN Ni/Au串联电阻在合金后明显降低,表明接触性质改善与结晶性的提高有关。同时发现氧气下合金比空气下合金形成NiO更快,相应的串联电阻也更快地下降。 展开更多

关键词 氮化镓 欧姆接触 同步辐射X射线衍射

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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量：1

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作者 杨志坚 胡晓东 +12 位作者 章蓓 陆敏 陆羽 潘尧波 张振声 任谦 徐军 李忠辉 陈志忠 秦志新 于彤军 童玉珍 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-76,共5页

在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生... 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。 展开更多

关键词 氮化镓 侧向外延生长 金属有机化学气相沉积

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InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱

18

作者 陈志忠 秦志新 +3 位作者 杨志坚 童玉珍 丁晓民 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期38-42,共5页

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和... 我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源. 展开更多

关键词 INGAN InN分凝 InN量子点 光致发光

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脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响

19

作者 桑立雯 秦志新 +6 位作者 方浩 代涛 杨志坚 沈波 张国义 张小平 俞大鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期154-157,共4页

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面... 在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。 展开更多

关键词 化合物半导体 位错 透射电镜 蓝宝石 氮化铝

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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂

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作者 唐宁 沈波 +4 位作者 韩奎 卢芳超 许福军 秦志新 张国义 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期147-149,共3页

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了... 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。 展开更多

关键词 AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 自旋

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