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抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究
被引量：
1
1
作者
索思卓
库黎明
+5 位作者
黄军辉
葛钟
陈海滨
张国栋
盛方毓
阎志瑞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1084-1087,共4页
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光...
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
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关键词
精抛光
抛光垫
化学机械抛光
HAZE
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职称材料
高温氩退火对提高Si片质量的研究
被引量：
1
2
作者
李宗峰
冯泉林
+3 位作者
赵而敬
盛方毓
王磊
李青保
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期302-305,共4页
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几...
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。
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关键词
高温氩退火
空洞型微缺陷
栅氧化层完整性
直拉单晶硅
晶体原生粒子缺陷
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职称材料
砂轮粒径对300mm Si片双面磨削影响的研究
被引量：
7
3
作者
葛钟
闫志瑞
+5 位作者
库黎明
陈海滨
冯泉林
张国栋
盛方毓
索思卓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期289-291,共3页
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕...
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕和局部平整度,并分别进行了比较。结果表明,选择粒度更细的#3000砂轮能够有效地弱化Si片表面的磨削印痕,同时改善边缘局部平整度差的问题,从而提高Si磨削片表面的局部平整度。
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关键词
硅片
双面磨削
磨削印痕
局部平整度
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职称材料
题名
抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究
被引量：
1
1
作者
索思卓
库黎明
黄军辉
葛钟
陈海滨
张国栋
盛方毓
阎志瑞
机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1084-1087,共4页
文摘
抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一。由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣。通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高。从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义。
关键词
精抛光
抛光垫
化学机械抛光
HAZE
Keywords
final-polishing
polishing-pad
chemical mechanical polishing （CMP）
haze
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高温氩退火对提高Si片质量的研究
被引量：
1
2
作者
李宗峰
冯泉林
赵而敬
盛方毓
王磊
李青保
机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期302-305,共4页
基金
国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401
2009ZX02011)
文摘
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。
关键词
高温氩退火
空洞型微缺陷
栅氧化层完整性
直拉单晶硅
晶体原生粒子缺陷
Keywords
high temperature argon annealing
void defect
gate oxide integrity （GOI）
Czochralski silicon
crystal original particles
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
砂轮粒径对300mm Si片双面磨削影响的研究
被引量：
7
3
作者
葛钟
闫志瑞
库黎明
陈海滨
冯泉林
张国栋
盛方毓
索思卓
机构
有研半导体材料股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期289-291,共3页
基金
国家"863"十五重大专项支持(2002AA3Z1110)
文摘
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。通过选择#2000和#3000砂轮对Si片进行磨削实验,获得两种型号砂轮磨削出Si片的形貌图、磨削印痕和局部平整度,并分别进行了比较。结果表明,选择粒度更细的#3000砂轮能够有效地弱化Si片表面的磨削印痕,同时改善边缘局部平整度差的问题,从而提高Si磨削片表面的局部平整度。
关键词
硅片
双面磨削
磨削印痕
局部平整度
Keywords
Si wafer
double-side grinding
grinding marks
SFQR
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TG58 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
抛光垫使用期对300mm Si片Haze值影响研究
索思卓
库黎明
黄军辉
葛钟
陈海滨
张国栋
盛方毓
阎志瑞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
高温氩退火对提高Si片质量的研究
李宗峰
冯泉林
赵而敬
盛方毓
王磊
李青保
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
砂轮粒径对300mm Si片双面磨削影响的研究
葛钟
闫志瑞
库黎明
陈海滨
冯泉林
张国栋
盛方毓
索思卓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
7
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职称材料
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