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基于AlGaN/GaN场效应晶体管的太赫兹焦平面成像传感器 被引量:12
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作者 罗木昌 孙建东 +9 位作者 张志鹏 李想 申志辉 王颖 陈红兵 董绪丰 张金峰 陈扬 周建勇 秦华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第3期234-239,共6页
太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成... 太赫兹波成像技术在人体安检、医学成像、无损检测等领域具有广泛的应用前景。文中面向高速、高灵敏度和便携式太赫兹成像应用需求,设计实现了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管自混频检测机制的太赫兹焦平面成像传感器。该焦平面成像传感器由探测器阵列芯片和CMOS读出电路通过倒装互连实现,阵列规模达到32×32。探测器阵列中具有对管差分功能的像元设计通过提高探测器的电压响应度和抑制共模电压噪声,提高了焦平面成像的灵敏度。焦平面成像传感器的输出模拟信号通过片外的模数转换(ADC)芯片转化为数字信号,由现场可编程门阵列(FPGA)采集后通过Camera Link图像数据与通信接口发送到计算机。利用该焦平面成像传感器,演示实现了太赫兹光斑、太赫兹干涉环和太赫兹光照下的旋转塑料叶片的视频成像,帧频达到30 Hz。 展开更多
关键词 太赫兹自混频探测器 高电子迁移率晶体管 CMOS读出电路 焦平面成像
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背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计 被引量:5
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作者 赵文伯 周勋 +2 位作者 李艳炯 申志辉 罗木昌 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第12期3358-3362,共5页
高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的特点,采用模拟计算与实验相结合的方法,设计了背照式高量子... 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构,结合MOCVD外延材料生长的特点,采用模拟计算与实验相结合的方法,设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程,并给出了设计结果,通过工艺实验,对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制,经测试试制器件,其峰值响应波长为270 nm,光谱响应范围为250~282 nm,峰值量子效率达到了57%(0 V),实验表明取得了比较理想的设计结果。 展开更多
关键词 高量子效率 ALGAN 日盲紫外探测器
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新型Ⅲ族氮化物日盲紫外变像管的研制及导弹逼近告警系统作用距离估算 被引量:2
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作者 任彬 江兆潭 +7 位作者 郭晖 石峰 程宏昌 拜晓锋 申志辉 杨晓波 周跃 崔穆涵 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期924-931,共8页
围绕Ⅲ族氮化物半导体在紫外战术导弹逼近告警系统中的潜在应用前景,设计出一种基于新型Ⅲ族氮化物半导体光电阴极的紫外变像管,确定了影响光电阴极光电发射性能的Al摩尔组分、膜层厚度和P型掺杂水平。利用高分辨率X射线衍射仪和紫外分... 围绕Ⅲ族氮化物半导体在紫外战术导弹逼近告警系统中的潜在应用前景,设计出一种基于新型Ⅲ族氮化物半导体光电阴极的紫外变像管,确定了影响光电阴极光电发射性能的Al摩尔组分、膜层厚度和P型掺杂水平。利用高分辨率X射线衍射仪和紫外分光光度计,对光电阴极结构和光学日盲特性进行仿真分析和测试。紫外变像管的光谱辐射灵敏度测试结果显示:探测器像管的辐射灵敏度在220~270 nm波段范围内波动较小,在波长266 nm处的辐射灵敏度为39.7 m A/W,光谱响应从波长270 nm之后开始急剧下降,表明其本征具有良好的日盲紫外属性。基于变像管的光谱辐射灵敏度测试结果及信噪比的作用距离模型,采用MODTRAN大气模拟软件包对以此变像管为核心探测器件的导弹逼近告警系统作用距离进行迭代求解。计算结果显示:导弹逼近告警系统的作用距离可达到7.1 km. 展开更多
关键词 兵器科学与技术 导弹逼近告警 紫外变像管 光电对抗 Ⅲ族氮化物 作用距离
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A theoretical and experimental evaluation of Ⅲ–nitride solar-blind UV photocathode 被引量:1
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作者 任彬 郭晖 +6 位作者 石峰 程宏昌 刘晖 刘健 申志辉 史衍丽 刘培 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期557-560,共4页
We have developed a superior solar-blind ultraviolet (UV) photocathode with an AlxGa1_xrN photocathode (x ~ 0.45) in semi-transparent mode, and assessed spectra radiant sensitivity related to practical use. Betbr... We have developed a superior solar-blind ultraviolet (UV) photocathode with an AlxGa1_xrN photocathode (x ~ 0.45) in semi-transparent mode, and assessed spectra radiant sensitivity related to practical use. Betbre being grown over a basal plane sapphire substrate by low-pressure metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a reasonable design was made to the photocathode epitaxy structure, focusing on the AlxGa1_xN: Mg active layer, then followed by a comprehen- sive analysis of the structural and optical characterization. The spectra radiant sensitivity is peaked of 41.395 mA/W at wavelength 257 nm and then decreases by about 3 to 4 decades at 400 nm demonstrating the ability of this photocathode for solar-blind application prospects. 展开更多
关键词 PHOTOCATHODE Ⅲ-nitride solar-blind UV
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AlGaN日盲紫外光电二极管光谱响应特性仿真及验证
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作者 申志辉 罗木昌 +1 位作者 周勋 王颖 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第11期683-686,701,共5页
对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟,并将仿真结果与实测数据进行了比较分析,发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数,并使用带尾吸收模型对测得的光... 对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟,并将仿真结果与实测数据进行了比较分析,发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数,并使用带尾吸收模型对测得的光吸收系数进行拟合,得到了AlGaN材料吸收带尾特征参数g、EUrbach分别为2.2×104cm-1、0.027 eV,补充和修正了AlGaN材料带内外光吸收模型,经验证使用该模型的仿真结果与实测结果具有很好的一致性。 展开更多
关键词 AlGaN光电探测器 日盲紫外 仿真 吸收系数 Urbach带尾
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