期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
H_2在WO_3表面解离吸附反应的第一性原理研究(英文) 被引量:6
1
作者 田相桂 张跃 杨泰生 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1063-1069,共7页
采用第一性原理方法对H2在WO3表面的解离吸附反应进行了研究.首先通过清洁表面模型的计算,证明了c(2×2)重构表面是最稳定的WO3(001)表面构型;进而研究了4种可能的H2解离吸附模型,结果表明最可能的吸附反应为两个氢原子吸附在表面O1... 采用第一性原理方法对H2在WO3表面的解离吸附反应进行了研究.首先通过清洁表面模型的计算,证明了c(2×2)重构表面是最稳定的WO3(001)表面构型;进而研究了4种可能的H2解离吸附模型,结果表明最可能的吸附反应为两个氢原子吸附在表面O1c原子上,氢原子被氧化在表面形成水,同时伴随着产生一个表面氧空位.态密度结果表明氢的吸附导致体系能带下移,导带部分填充电子,从而阐明了实验中WO3吸附H2后电导率上升的微观机理. 展开更多
关键词 三氧化钨 第一性原理计算 气体传感器 氢气吸附
在线阅读 下载PDF
WO_3(001)极性表面及氢吸附特性的第一性原理研究 被引量:2
2
作者 田相桂 张跃 杨泰生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期323-328,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对WO3(001)的极性表面及其氢吸附特性进行了理论计算。通过对比WO表面和纯氧表面的表面化学势研究了两个极性表面的热力学稳定性,并分别计算了表面的几何结构和电子结构。结果表明:在贫氧环境中WO... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对WO3(001)的极性表面及其氢吸附特性进行了理论计算。通过对比WO表面和纯氧表面的表面化学势研究了两个极性表面的热力学稳定性,并分别计算了表面的几何结构和电子结构。结果表明:在贫氧环境中WO表面比较稳定,而在富氧环境中纯氧表面更稳定,WO表面和纯氧表面分别呈现n型半导体和p型半导体特性,表面原子通过调整W-O键长和键角实现表面弛豫。氢原子在两个极性表面不同吸附位置的计算表明:对WO表面和纯氧表面,W5c位和O1c位分别是稳定的吸附位置,且两者具有不同的反应特性。 展开更多
关键词 三氧化钨 极性表面 第一性原理计算 氢气吸附
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部