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InGaAsP/InPPFBH激光器 被引量:1
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作者 张静媛 王圩 +1 位作者 汪孝杰 田慧良 《高技术通讯》 CAS CSCD 1996年第12期10-12,共3页
采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导过多次,本文介绍用P-InP衬底研制InGaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向... 采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导过多次,本文介绍用P-InP衬底研制InGaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向的依赖关系,改进埋区的结构,使器件最高激射温度大于100℃。 展开更多
关键词 分布反馈 激光器 液相外延 磷化铟 INGAASP
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