论述了一种基于芯片级封装(WLCSP)的双通道多功能芯片电路设计技术和封装应用方案,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺并基于有源矢量合成结构进行设计,测试结果表明该芯片增益大于12 d B,输出功率大于为7 d Bm,移相精度小于7°,通道隔离...论述了一种基于芯片级封装(WLCSP)的双通道多功能芯片电路设计技术和封装应用方案,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺并基于有源矢量合成结构进行设计,测试结果表明该芯片增益大于12 d B,输出功率大于为7 d Bm,移相精度小于7°,通道隔离度大于28 d B,单通道功电流小于90 m A,该芯片可大幅降低相控阵系统成本和体积,为5 G通信、卫星通信等应用领域提供研制基础。展开更多
文摘论述了一种基于芯片级封装(WLCSP)的双通道多功能芯片电路设计技术和封装应用方案,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺并基于有源矢量合成结构进行设计,测试结果表明该芯片增益大于12 d B,输出功率大于为7 d Bm,移相精度小于7°,通道隔离度大于28 d B,单通道功电流小于90 m A,该芯片可大幅降低相控阵系统成本和体积,为5 G通信、卫星通信等应用领域提供研制基础。
