利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光。研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显...利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光。研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度。结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 m L/min、抛光压力为9.4 k Pa、SiO2浓度为8wt%、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt%时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm)。展开更多
文摘利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光。研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度。结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 m L/min、抛光压力为9.4 k Pa、SiO2浓度为8wt%、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt%时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm)。
