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题名一种非对称双向可控硅静电防护器件的设计
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作者
李炜峰
王欣
王谞芃
汪洋
杨红姣
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机构
湘潭大学物理与光电工程学院
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出处
《电子产品世界》
2021年第7期79-81,86,共4页
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基金
国家自然科学基金青年基金项目(61704145)
湖南省自然科学基金青年基金项目(2019JJ50609)。
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文摘
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压,基于0.18μm BCD工艺,设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真,证明HHVADDSCR具有高维持电压,避免了闩锁,且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
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关键词
非对称可控硅
维持电压
ESD
闩锁效应
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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