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一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计: 1; 作者石浩王雯洁 +4 位作者付登源梁宗文王溯源张良章军云《电子与封装》 2023年第9期55-59,共5页; 为了解决当前GaN HEMT器件空气桥起桥角度、桥胶高度不稳定且易受后续步骤影响导致桥胶坍塌的问题,通过分别改变光刻胶定型桥的烘胶温度、烘胶时间以及曝光过程中的曝光焦距,观察不同条件下光刻胶定型桥桥胶的形貌和参数,选择最优的光... 展开更多; 关键词空气桥 GaNHEMT 烘胶温度烘胶时间曝光条件; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器被引量：3: 2; 作者王溯源章军云 +1 位作者彭龙新黄念宁《电子与封装》 2019年第8期39-43,共5页; 报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB... 展开更多; 关键词 248 nm扫描光刻机烘胶工艺 X波段 GAAS 单片限幅低噪声放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT 被引量：1: 3; 作者章军云王溯源 +1 位作者林罡黄念宁《电子与封装》 2018年第11期36-39,47,共5页; 报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19... 展开更多; 关键词 248 ninDUV光刻机烘胶工艺 GaAspHEMT KA波段低噪声放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 4; 作者章军云齐志央 +5 位作者凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页; 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开... 展开更多; 关键词铝镓砷砷化镓异质结 PIN二极管毫米波单刀三掷开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器被引量：6: 5; 作者彭龙新王溯源 +2 位作者凌志健章军云徐波《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期F0003-F0003,共1页; 南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，; 关键词低噪声放大器 GAAS衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺被引量：3: 6; 作者朱赤王溯源 +2 位作者章军云林罡黄念宁《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,共5页; 基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影... 展开更多; 关键词分辨率光刻胶流淌特征尺寸线宽收缩表面状态; 在线阅读下载PDF 职称材料

光刻机镜头漏光对光刻工艺的影响被引量：1: 7; 作者梁宗文石浩 +2 位作者王雯洁王溯源章军云《电子与封装》 2023年第4期65-68,共4页; 通过GaAs单片微波集成电路(MMIC)光刻工艺,试验得到不同掩模版透光区占空比下光刻机镜头的漏光率,分析了漏光率对曝光能量宽裕度以及光刻胶形状的影响。通过试验测量得出,掩模版透光区占空比的增加会导致曝光镜头的漏光率升高,进一步使... 展开更多; 关键词 365 nm步进式光刻机漏光掩模版 GaAs单片微波集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计: 1; 作者石浩王雯洁付登源梁宗文王溯源张良章军云; 机构中国电子科技集团公司第五十五研究所; 出处《电子与封装》 2023年第9期55-59,共5页; 文摘为了解决当前GaN HEMT器件空气桥起桥角度、桥胶高度不稳定且易受后续步骤影响导致桥胶坍塌的问题,通过分别改变光刻胶定型桥的烘胶温度、烘胶时间以及曝光过程中的曝光焦距,观察不同条件下光刻胶定型桥桥胶的形貌和参数,选择最优的光刻胶定型桥的制作方法。并将最优烘胶温度、最优烘胶时间以及最优曝光条件整合,设计了一种适用于生产的拱形空气桥制作方法,得到了具有良好拱形且表面光滑的高质量、稳定且适合生产的空气桥。; 关键词空气桥 GaNHEMT 烘胶温度烘胶时间曝光条件; Keywords air bridge GaN HEMT baking temperature baking time exposure conditions; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学] TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器被引量：3: 2; 作者王溯源章军云彭龙新黄念宁; 机构南京电子器件研究所; 出处《电子与封装》 2019年第8期39-43,共5页; 文摘报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。; 关键词 248 nm扫描光刻机烘胶工艺 X波段 GAAS 单片限幅低噪声放大器; Keywords 248 nm scanner resist thermal reflow process X band GaAs limiter LNA MMIC; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT 被引量：1: 3; 作者章军云王溯源林罡黄念宁; 机构南京电子器件研究所; 出处《电子与封装》 2018年第11期36-39,47,共5页; 文摘报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。; 关键词 248 ninDUV光刻机烘胶工艺 GaAspHEMT KA波段低噪声放大器; Keywords 248 nm DUV lithography resist thermal reflow process GaAs pHEMT Ka band low noise amplifier; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关: 4; 作者章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜; 机构南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页; 文摘研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。; 关键词铝镓砷砷化镓异质结 PIN二极管毫米波单刀三掷开关; Keywords AlGaAs GaAs heterojunction PIN diode millimeter-wave SP3T switch; 分类号 TN312.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器被引量：6: 5; 作者彭龙新王溯源凌志健章军云徐波; 机构单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期F0003-F0003,共1页; 文摘南京电子器件研究所首次研制出7～13GHz连续波40W大功率限幅器＋低噪声放大器集成单片。根据大功率和低噪声要求，将PIN二极管和低噪声PHEMT两种材料集成在同～GaAs衬底上，; 关键词低噪声放大器 GAAS衬底限幅器单片南京电子器件研究所 PIN二极管 PHEMT 大功率; 分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺被引量：3: 6; 作者朱赤王溯源章军云林罡黄念宁; 机构南京电子器件研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期305-309,共5页; 文摘基于0.15μm分辨率扫描式光刻机实现0.1μm栅光刻的光刻胶流淌工艺。通过合理选择光刻胶烘烤温度、烘烤时间和圆片表面处理工艺,实现线宽均匀性好、工艺窗口满足要求的0.1μm线条。实验结果表明,圆片表面状态对光刻胶流淌工艺有重要影响。采用热流淌工艺形成的胶剖面在HEMT器件双层胶工艺中有重要应用,可实现极限分辨率的突破及栅剖面形貌的优化,有利于提升器件成品率和可靠性。; 关键词分辨率光刻胶流淌特征尺寸线宽收缩表面状态; Keywords resolution resist reflow critical dimension line width shrink surface state; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光刻机镜头漏光对光刻工艺的影响被引量：1: 7; 作者梁宗文石浩王雯洁王溯源章军云; 机构南京电子器件研究所; 出处《电子与封装》 2023年第4期65-68,共4页; 文摘通过GaAs单片微波集成电路(MMIC)光刻工艺,试验得到不同掩模版透光区占空比下光刻机镜头的漏光率,分析了漏光率对曝光能量宽裕度以及光刻胶形状的影响。通过试验测量得出,掩模版透光区占空比的增加会导致曝光镜头的漏光率升高,进一步使得光刻工艺的能量宽裕度变小。同时,过高的漏光率会造成显影后图形的光刻胶损失,使光刻胶图形的对比度变差,从而严重影响GaAs MMIC光刻工艺的图形质量,造成器件性能退化,降低产品良率。; 关键词 365 nm步进式光刻机漏光掩模版 GaAs单片微波集成电路; Keywords 365 nm stepper lithography leakage mask GaAs MMIC; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计	石浩王雯洁付登源梁宗文王溯源张良章军云	《电子与封装》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器	王溯源章军云彭龙新黄念宁	《电子与封装》	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT	章军云王溯源林罡黄念宁	《电子与封装》	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关	章军云齐志央凌志健尹志军王溯源李信王学鹏陈堂胜	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	7～13 GHz GaAs单片40W限幅低噪声放大器	彭龙新王溯源凌志健章军云徐波	《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心	2017	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	光刻胶流淌实现深亚微米栅工艺	朱赤王溯源章军云林罡黄念宁	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2018	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	光刻机镜头漏光对光刻工艺的影响	梁宗文石浩王雯洁王溯源章军云	《电子与封装》	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料