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碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象: 1; 作者王川宝默江辉 +3 位作者朱延超王帅张力江付兴中《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期157-161,共5页; 在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常... 展开更多; 关键词 SiC晶圆铝薄膜磁控溅射异常结晶溅射温度; 在线阅读下载PDF 职称材料

5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制: 2; 作者闫锐默江辉 +3 位作者王川宝付兴中张力江崔玉兴《通讯世界》 2024年第6期28-30,共3页; 为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封... 展开更多; 关键词 GaN HEMT 功率器件场板; 在线阅读下载PDF 职称材料

晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究被引量：3: 3; 作者王川宝王强栋刘相伍《世界有色金属》 2016年第4期173-175,共3页; 针对晶圆正面无氰电镀金均匀性差的问题,通过分析电镀均匀性的影响因素,设计单因素对比实验,研究了晶圆挂镀无氰镀金工艺中阴极扎针个数、阴阳极距离、均匀性挡板开孔尺寸四个因素对正面镀金层厚度均匀性的影响,分析了各因素的影响机理... 展开更多; 关键词无氰镀金镀层均匀性晶圆均匀性挡板; 在线阅读下载PDF 职称材料

微孔互连无氰电镀金工艺研究被引量：1: 4; 作者王川宝胡泽先王伟《世界有色金属》 2016年第5期148-150,共3页; 针对高深宽比互连微孔内金镀层存在空洞问题，使用挂镀电镀台和喷镀电镀台在不同电流密度下进行了微孔互连电镀实验，研究了两种电镀台电镀过程中镀液流场的差异，分析了两种电镀台电镀结果存在明显差异的原因。采用FIB对电镀样品互连... 展开更多; 关键词无氰镀金互连微孔喷镀电镀; 在线阅读下载PDF 职称材料

对一道习题的商榷: 5; 作者张海霞王川宝冒守栋《大学化学》 CAS 2006年第1期53-54,共2页; 对武汉大学主编《分析化学》(第4版)中酸碱平衡和酸碱滴定部分的一道习题提出了不同的解题思路。; 关键词习题《分析化学》解题思路酸碱滴定酸碱平衡武汉大学; 在线阅读下载PDF 职称材料

通孔内镀金工艺研究被引量：1: 6; 作者刘相伍王川宝 +1 位作者崔玉兴付兴昌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期438-441,共4页; 针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原因。喷液电镀台最佳工艺条件:直... 展开更多; 关键词大功率芯片通孔背面镀金喷液电镀通孔电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象: 1; 作者王川宝默江辉朱延超王帅张力江付兴中; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所河北博威集成电路有限公司; 出处《微纳电子技术》 CAS 2024年第5期157-161,共5页; 文摘在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常和异常区域表面形貌和粗糙度,结果表明“斑点”区域粗糙度明显低于正常区域,两者分别为1.7和5.6 nm。采用聚焦离子束分析技术对比剖面结构差异,发现“斑点”区域存在明显晶粒合并现象,金属表面晶界比正常区域少很多。“斑点”形成的可能原因是沉积过程温度过高,导致Al膜沉积初始成核过程中大量晶核合并、晶界消失,从而表面粗糙度显著降低。; 关键词 SiC晶圆铝薄膜磁控溅射异常结晶溅射温度; Keywords SiC wafer aluminum film magnetron sputtering abnormal crystallization sputtering temperature; 分类号 TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程] TN305.92 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制: 2; 作者闫锐默江辉王川宝付兴中张力江崔玉兴; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所北京大学; 出处《通讯世界》 2024年第6期28-30,共3页; 文摘为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封装技术,成功研制出Dohert结构的GaN功率器件。对设计出的GaN功率器件进行测试,在工作电压为48V、工作频段为740MHz~960MHz的条件下,实现输出功率达到708W,带内功率附加效率最高达77.8%,功率增益大于16.5dB,抗失配能力达到5:1的性能指标。; 关键词 GaN HEMT 功率器件场板; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究被引量：3: 3; 作者王川宝王强栋刘相伍; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《世界有色金属》 2016年第4期173-175,共3页; 文摘针对晶圆正面无氰电镀金均匀性差的问题,通过分析电镀均匀性的影响因素,设计单因素对比实验,研究了晶圆挂镀无氰镀金工艺中阴极扎针个数、阴阳极距离、均匀性挡板开孔尺寸四个因素对正面镀金层厚度均匀性的影响,分析了各因素的影响机理。确定最佳工艺条件为：压四根针,阴极抖动频率为40次/分钟,均匀性挡板开孔尺寸为70cm。生产过程中镀层目标后的为4μm时,均匀性可控制在0.23m以内。; 关键词无氰镀金镀层均匀性晶圆均匀性挡板; Keywords non-cyanide gold electroplating gold layer uniformity wafer uniformity mask; 分类号 TQ153 [化学工程—电化学工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微孔互连无氰电镀金工艺研究被引量：1: 4; 作者王川宝胡泽先王伟; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《世界有色金属》 2016年第5期148-150,共3页; 文摘针对高深宽比互连微孔内金镀层存在空洞问题，使用挂镀电镀台和喷镀电镀台在不同电流密度下进行了微孔互连电镀实验，研究了两种电镀台电镀过程中镀液流场的差异，分析了两种电镀台电镀结果存在明显差异的原因。采用FIB对电镀样品互连孔的剖面进行观察，结果显示，使用喷镀电镀台电流密度为0．2ASD时，介质孔内金镀层未见空洞，金镀层与介质孔壁之间无裂纹。确定介质孔内金镀层形成空洞的原因为：随着电镀进行，介质孔内镀液浓度降低，镀速下降，逐渐形成“自掩蔽”空洞。喷镀电镀具有可以促进孔内镀液交换，实现高深宽比微孔实心镀金的优势，是今后微孔实心电镀发展的重要方向之一。; 关键词无氰镀金互连微孔喷镀电镀; Keywords non-cyanide gold electroplating interconnection via spraying electroplating; 分类号 TQ153 [化学工程—电化学工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名对一道习题的商榷: 5; 作者张海霞王川宝冒守栋; 机构兰州大学化学化工学院兰州大学物理学院; 出处《大学化学》 CAS 2006年第1期53-54,共2页; 文摘对武汉大学主编《分析化学》(第4版)中酸碱平衡和酸碱滴定部分的一道习题提出了不同的解题思路。; 关键词习题《分析化学》解题思路酸碱滴定酸碱平衡武汉大学; 分类号 O65-4 [理学—分析化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名通孔内镀金工艺研究被引量：1: 6; 作者刘相伍王川宝崔玉兴付兴昌; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期438-441,共4页; 文摘针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原因。喷液电镀台最佳工艺条件:直流电镀,电流积为15 A·min,电流密度为0.4 A/dm2,镀液体积流量为20 L/min时,对深宽比约为2∶1的通孔样品进行电镀,得到孔内外镀层厚度比接近1∶1的良好电镀效果。实验结果表明:喷液电镀台在晶圆通孔电镀方面有较大优势,可在不增加背面镀金厚度的情况下增加通孔内镀层厚度,不仅解决了芯片通孔内镀金层薄的问题,而且有利于降低成本,是今后通孔电镀工艺发展的方向之一。; 关键词大功率芯片通孔背面镀金喷液电镀通孔电阻; Keywords high power chips via backside electroplating spraying electroplating via resistance; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象	王川宝默江辉朱延超王帅张力江付兴中	《微纳电子技术》 CAS	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制	闫锐默江辉王川宝付兴中张力江崔玉兴	《通讯世界》	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究	王川宝王强栋刘相伍	《世界有色金属》	2016	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	微孔互连无氰电镀金工艺研究	王川宝胡泽先王伟	《世界有色金属》	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	对一道习题的商榷	张海霞王川宝冒守栋	《大学化学》 CAS	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	通孔内镀金工艺研究	刘相伍王川宝崔玉兴付兴昌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料