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应用气相升华法制备CdTe晶体及其性质的研究
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作者 严永铁 董志武 +3 位作者 石卫东 邹慧珠 张济良 王宝琨 《仪表材料》 EI CAS CSCD 1989年第1期51-53,共3页
本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,是一种很有... 本文报道了用改进了的 Piper-Polich 法制备 CdTe 晶体的方法以及对晶体完整性的观测和晶体禁带宽度与电学参数的测量结果。这些结果表明,采用这种方法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料,设备简单,生长温度低,实验条件容易控制,是一种很有应用前途的方法。 展开更多
关键词 CdTe晶体 气相升华法 半导体材料
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高等职业技术师范院校课程设置及改革方向
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作者 韩文成 王宝琨 《职业技术教育》 北大核心 1989年第11期6-7,共2页
关键词 课程设置 改革 职业师范学院
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