铈掺杂Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3的改性研究 被引量：3

1

作者 王宁章 李建业 +2 位作者 刘静 宁吉 高雅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期32-34,46,共4页

铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与... 铈掺杂Ba0.1Sr0.9TiO3陶瓷有着较高的介电常数和较低的压敏电压,但其烧结温度高,烧结成功率低,非线性系数小。用ZnO和过量TiO2加以改性,研究表明:适量TiO2起到了烧结助剂的作用,可将样品的烧结温度降低到1325℃,提高了样品烧结率,钛与锶的最佳物质的量比为5∶3;ZnO作为受主掺杂剂将样品的非线性系数提高到10以上,降低了介电损耗,其最佳的掺杂量为0.7%(摩尔分数)。最后用扫描电镜分析了掺杂ZnO样品的微观形貌。 展开更多

关键词 BA0 1Sr0 9TiO3陶瓷 二氧化钛 氧化锌 烧结助剂 介电性能

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3GHz～5GHz超宽带噪声系数稳定的低噪声放大器 被引量：5

2

作者 王宁章 高雅 +1 位作者 宁吉 徐辉 《电子技术应用》 北大核心 2013年第7期31-34,共4页

采用共源共栅级结构和源极负反馈电路设计了一款应用于超宽带系统的低噪声放大器电路。结合巴特沃斯滤波器的特性,实现放大器的输入、输出匹配网络,并详细分析了电路的噪声系数。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,在3 GHz～5 GHz频带范围内对... 采用共源共栅级结构和源极负反馈电路设计了一款应用于超宽带系统的低噪声放大器电路。结合巴特沃斯滤波器的特性,实现放大器的输入、输出匹配网络,并详细分析了电路的噪声系数。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,在3 GHz～5 GHz频带范围内对电路进行ADS软件仿真。仿真结果表明,在1.8 V供电电压下,功耗为13.2 mW,最大增益达到15 dB且增益平坦,最大噪声系数仅为1.647 dB,输入反射系数S11<-10 dB,输出反射系数S22<-14 dB。 展开更多

关键词 超宽带 巴特沃斯 低噪声放大器 噪声系数

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3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计 被引量：2

3

作者 王宁章 唐江波 +2 位作者 秦国宾 卢安栋 罗婕思 《电子技术应用》 北大核心 2011年第9期53-55,59,共4页

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6... 提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)。电路由窄带PCSNIMLNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器。仿真结果表明,在1.8 V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超宽带频段内,增益约为13.5 dB,输入、输出回波损耗S11、S22均小于-14 dB,噪声系数(NF)为0.875 dB～4.072 dB,三阶交调点IIP3均值为5.35 dB。 展开更多

关键词 CMOS 超宽带 低噪声放大器 高阶带通滤波器 并联低Q值负载结构

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真空烧结对SrTiO_3功能陶瓷性能的影响 被引量：5

4

作者 王宁章 马玉田 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期7-9,共3页

采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件。在此基础上探讨了Nb2O5和La2O3作为单、双施主掺杂对SrTiO3功能陶瓷半导化、电性能及显微结构的影响。研究结果表明... 采用真空烧结替代气氛烧结制备SrTiO3陶瓷材料,获得了既具有电容效应又具有良好压敏效应性能的SrTiO3复合功能陶瓷元件。在此基础上探讨了Nb2O5和La2O3作为单、双施主掺杂对SrTiO3功能陶瓷半导化、电性能及显微结构的影响。研究结果表明,双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3功能陶瓷半导化,而且对显微结构有重要的影响。在x(Nb2O5)∶x(La2O3)=0.6∶0.2时可获得性能较好的半导体材料。相比于气氛烧结工艺,真空烧结同样可以得到性能优良的SrTiO3功能陶瓷材料。 展开更多

关键词 真空烧结 SrTiO3功能陶瓷 施主掺杂 电性能

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真空低温烧结的SrTiO_3复合功能陶瓷 被引量：1

5

作者 王宁章 卢安栋 +2 位作者 唐江波 罗婕思 文章 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第16期156-159,共4页

选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损... 选择SiO2作为烧结助剂,Nb2O5作为施主掺杂,MnCO3作为受主掺杂,采用真空一次烧结工艺在1200℃制备出性能优良的压敏-电容复合功能陶瓷元件,样品的电阻率ρ>105Ω.cm,压敏电压V1mA<50V,非线性系数α接近10,介电常数ε>104,介电损耗tanδ可以控制在10%以下,漏电流可以控制在50μA以下。 展开更多

关键词 真空烧结 烧结助剂 低温烧结 SrTiO3陶瓷

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Ta、Nb掺杂Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)陶瓷铁电介电性能研究 被引量：1

6

作者 王宁章 容世龙 刘世丰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期271-274,共4页

采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3... 采用传统固相烧结工艺制备了掺杂Ta、Nb的Bi3.15Nd0.85Ti3O12材料,构成Bi3.15Nd0.85Ti3-2x TaxNbxO12(x=0,0.02,0.04,0.06)铁电陶瓷。研究了Ta、Nb掺杂对Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷晶体结构和铁电性能的影响。结果表明,Ta、Nb掺杂未改变Bi3.15Nd0.85Ti3O12陶瓷的钙钛矿晶体结构,剩余极化值提高,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在电压为45 V、测试频率为0.1kHz下,Bi3.15Nd0.85Ti3-2xTaxNbxO12铁电陶瓷的剩余极化强度(2Pr)及矫顽场强(2Ec)可分别达到25.07μC/cm2和31.1kV/cm,电容-电压(C-V)曲线呈标准的蝴蝶形。 展开更多

关键词 固相烧结 铁电陶瓷 钙钛矿结构 电滞回线 剩余极化 电容-电压(C-V)曲线

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极薄铁电薄膜J-V曲线温度特性的研究

7

作者 王宁章 鲍军波 +4 位作者 陈涛 冯汉华 黄新堂 袁润章 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第6期453-456,共4页

用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V... 用准分子激光扫描原位淀积法制备了极薄薄膜 BIT/ p- Si(10 0 )和 PZT/ p- Si(10 0 ) ,借助于 X-射线衍射(XRD)和扫描电镜 (SEM)研究了薄膜的显微结构 ,并对这两种极薄铁电薄膜 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )和 Au/ PZT/ p- Si(10 0 )的 J- V曲线温度特性进行了拟合分析讨论。模拟分析结果表明 ,在负温区 ,电流密度 J对温度 T有较强的依赖关系 ,但与通常欧姆电流温度关系不同。而在正温区 ,服从 J=K V2 关系 ,ε和 SCL C电流密度 J则与温度 展开更多

关键词 铁电薄膜 电流温度特性 半导体材料

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溶胶-水热法制备纳米SrTiO_3及其表面包覆Al_2O_3的研究

8

作者 王宁章 刘世丰 +1 位作者 刘静 容世龙 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期37-39,共3页

采用溶胶-水热法制备纳米SrTiO3粉体,并采用非均匀形核法在纳米SrTiO3粉体颗粒表面包覆一层Al2O3。借助X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪(SL)、红外光谱分析仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)对样品进行比较分析。... 采用溶胶-水热法制备纳米SrTiO3粉体,并采用非均匀形核法在纳米SrTiO3粉体颗粒表面包覆一层Al2O3。借助X射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪(SL)、红外光谱分析仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)对样品进行比较分析。结果表明,用溶胶-水热法制得的SrTiO3粉体颗粒具有较小的粒径,但团聚现象比较严重;经过表面包覆Al2O3后的SrTiO3粉体颗粒粒径小,形状规则,呈球状,分散性好,分布均匀,团聚现象得到改善。 展开更多

关键词 溶胶-水热法 纳米SrTiO3 非均匀形核法 包覆

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铁电薄膜Bi_(3.2)Nd_(0.8)Ti_3O_(12)的制备及其特性的研究

9

作者 王宁章 李兴教 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期523-525,共3页

用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3.20N d0.80T i3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕N d替代B i的B i3.20N d0.80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH ... 用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3.20N d0.80T i3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性。研究表明,用钕N d替代B i的B i3.20N d0.80T i3O12薄膜具有较好电滞回线(P-E),在应用电压为10 V,测试频率为1MH z下,其剩余极化(Pr)及矫顽场(Ec)分别达到27μC/cm2和70 kV/cm。更为重要的是,A u/B i3.20N d0.80T i3O12/p-S i(100)电容在读/写开关次数达到1010后仍表现出较好的抗疲劳特性。 展开更多

关键词 铁电薄膜 Bi3.2Nd0.8Ti3O12 剩余极化 脉冲激光淀积

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2.4GHz 0.18μm CMOS低噪声放大器分析与设计

10

作者 王宁章 周长川 《电子技术应用》 北大核心 2007年第7期55-57,共3页

基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.... 基于低噪声放大器设计原理,从噪声、线性度、阻抗匹配等方面详细讨论了低噪声放大器的设计。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计,利用ADS2005A对电路进行谐波平衡、S参数分析及双音测试,结果表明,其噪声系数为1.795dB,正向增益为17.35dB,IIP3约为-1.43dBm,功耗约8.96mW。 展开更多

关键词 低噪声放大器(LNA) 线性度 匹配

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基于切比雪夫网络修正的噪声优化超宽带LNA设计

11

作者 王宁章 雷琳琳 闵仁江 《电子技术应用》 北大核心 2015年第10期49-51,54,共4页

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的研究,设计了一个应用于3~10 GHz超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。以经典的共源共栅的结构作为放大主架构,结合切比雪夫滤波器,实现超宽带输入匹配,并采用噪声消除技术优化LNA噪声性能。电路结构具有工作带宽大、输入匹配简单并且噪声性能优异的优点。仿真结果表明:在3~10 GHz频段内,S11和S22均小于-10 d B,S21为15 d B^10 d B,噪声系数NF为1.5 d B^2.3 d B,在1.8 V供电电压下电路功耗为14.5 m W。 展开更多

关键词 超宽带 切比雪夫 低噪声放大器 噪声消除技术

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层状结构铁电薄膜中频率对界面电位降的影响 被引量：4

12

作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 冯汉华 陈涛 周健 袁润章 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期445-448,共4页

利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜 ,借助 HP4 192 A低频率阻抗分析仪对样品的C- V特性进行了测试 ,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明 ,在同... 利用准分子激光原位淀积方法制备了层状结构铁电薄膜 ,借助 HP4 192 A低频率阻抗分析仪对样品的C- V特性进行了测试 ,对同一频率下不同结构的铁电薄膜的界面电压降及不同频率下同一结构的铁电薄膜的界面电压降进行计算。结果表明 ,在同一频率下不同结构的铁电薄膜其界面电压降不同 ,同一结构的多层铁电薄膜在不同频率下其界面电压降也不同。 展开更多

关键词 层状结构 铁电薄膜 界面电压降 频率

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视频压缩编码国际标准综述 被引量：7

13

作者 沙丽娜 王宁章 覃团发 《电子科技》 2005年第3期56-60,64,共6页

国际标准化组织和国际电信联盟制定了一系列视频压缩编码国际标准,有 H.261, MPEG1, MPEG2,H.263, MPEG4 和 H.264 等。该文分别对这些标准的技术特征和性能进行分析,并详细描述 H.264 中采用的视频编码新技术。

关键词 国际标准化组织 国际电信联盟 视频编码 国际标准

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多层铁电薄膜存储二极管的界面内建电压 被引量：1

14

作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 陈涛 冯汉华 袁润章 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期292-294,共3页

利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT... 利用准分子激光在 p型硅薄片上淀积了多层铁电薄膜 BIT/ PZT/ BIT、PZT/ BIT和 BIT。讨论了多层铁电薄膜界面内建电压 ,其中 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最小而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的 ΔVb 最大 ,但Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的ΔVb 与 Au/ BIT/ p- Si(10 0 )的Δ Vb 相差不多。 Au/ BIT/ PZT/ TBIT/ p- Si(10 0 )的I- V特性曲线非对称的整流特性和 P- V回线的刻印失效是最小的而 Au/ BIT/ p- Si(10 0 ) 展开更多

关键词 多层铁电薄膜 内建电压 刻印失效 整流特性 半导体存储器

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在层状铁电薄膜二极管中的界面电位降 被引量：1

15

作者 李兴教 王宁章 +4 位作者 鲍军波 邹雪城 徐静平 陈涛 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期374-377,共4页

利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由... 利用准分子激光原位淀积法制备了 BIT/ PZT/ BIT,PZT/ BIT和 BIT层状铁电薄膜 ,建立了一条修正的经验幂定律 I=A(ξ V) α和一个层状铁电薄膜电流密度 -电压 (I- V)曲线的近似公式 ,它包括了的非线性系数α和界面电位降特征参数 ξ。由修正的经验幂定律和 I- V曲线近似公式算出的界面电位降 Vi 与由 C- V曲线理论得出的结果一致。界面电位降与测量电容、薄膜电容及耗尽层电容有关。 展开更多

关键词 二极管 层状铁电薄膜 界面电位降 耗尽层

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OFDM分数倍频偏与码元定时的联合估计 被引量：1

16

作者 沙丽娜 仝宝琛 +1 位作者 王宁章 李军 《电子科技》 2010年第2期1-3,9,共4页

Smidle和Cox(SC)算法是OFDM系统中频偏和码元定时估计的经典算法。基于SC的导频设置,利用最大似然(ML)准则,提出一种分数倍频偏(FFO)和码元定时联合估计算法,通过计算机仿真比较可以看出,文中提出的联合估计算法的FFO估计性能与SC算法相... Smidle和Cox(SC)算法是OFDM系统中频偏和码元定时估计的经典算法。基于SC的导频设置,利用最大似然(ML)准则,提出一种分数倍频偏(FFO)和码元定时联合估计算法,通过计算机仿真比较可以看出,文中提出的联合估计算法的FFO估计性能与SC算法相同,而码元定时估计方法的性能明显优于SC算法。 展开更多

关键词 OFDM 最大似然准则 分数倍频偏 码元定时

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基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计 被引量：1

17

作者 高雅 王宁章 《电子技术应用》 北大核心 2014年第8期41-43,47,共4页

基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz^5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为... 基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz^5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB^19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB^2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。 展开更多

关键词 CMOS 超宽带 低噪声放大器 噪声消除

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Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

18

作者 李兴教 王宁章 +6 位作者 鲍军波 宁广蓉 陈涛 徐静平 陈振贤 邹雪城 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期440-444,共5页

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变... 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度PS及矫顽场VC之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。 展开更多

关键词 Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100) 存储器 铁电薄膜 电位降 内建电压 金属/铁电薄膜/半导体 结构

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Ca^(2+)掺杂对SrTiO_3压敏陶瓷介电损耗的影响

19

作者 宁吉 王宁章 +1 位作者 高雅 李建业 《现代电子技术》 2013年第12期100-102,共3页

采用真空碳管炉烧结SrTiO3陶瓷的方法,研究以CaCO3作为改性添加剂对SrTiO3陶瓷介电损耗的影响,并对添加剂的作用机理进行了解释。实验结果表明加入适量CaCO3能降低样品介电损耗。在1 300℃的烧结温度下,未掺杂有CaCO3的SrTiO3基电容-压... 采用真空碳管炉烧结SrTiO3陶瓷的方法,研究以CaCO3作为改性添加剂对SrTiO3陶瓷介电损耗的影响,并对添加剂的作用机理进行了解释。实验结果表明加入适量CaCO3能降低样品介电损耗。在1 300℃的烧结温度下,未掺杂有CaCO3的SrTiO3基电容-压敏陶瓷介电损耗tanδ最低为0.4,而掺杂有CaCO3的样品介电损耗有了显著变化,当CaCO3掺杂量2 mol%时,样品介电损耗tanδ为0.312。 展开更多

关键词 真空烧结 SrTiO3陶瓷 介电损耗 添加剂

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含铝相高是轻烧熟料快凝的主要原因 被引量：2

20

作者 王善拔 王宁章 胡国祥 《江苏建材》 1999年第1期45-47,共3页

讨论轻烧熟料的矿物组成,指出轻烧熟料中铝相的含量及其活性都比正常煅烧的熟料要高,轻烧熟料快凝的主要原因不是由于f·Cao水化引起而是由于它的含铝相高的缘故。

关键词 水泥熟料 轻烧 熟料 快凝 铝相 含量

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