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基于模型的光学校正系统的设计与实现 被引量:6
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作者 王国雄 严晓浪 +1 位作者 史峥 陈志锦 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期521-524,548,共5页
为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用... 为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术.根据光刻机和光刻胶特性,模拟了实际的光刻过程.校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块,通过调用光刻模拟器直接对输入待校正的掩模图形进行优化.最后通过对掩模版图的验证,保证校正后的掩模图形满足成像图形的精度要求.应用实例证明,该系统准确实现了版图的精确设计与校正. 展开更多
关键词 光刻模拟 光学邻近校正 移相掩模
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硅酸及其盐的研究(ⅪⅩ)--CNDO/2法研究单-、双-和三硅酸的酸强度 被引量:4
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作者 王国雄 毛延 +1 位作者 陈荣三 戴安邦 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1987年第2期103-108,共6页
本文用CNDO/2的量化计算方法估计了单硅酸、双硅酸和三硅酸分子中氢氧键的强度,并以此解释实验发现的这几种硅酸溶液的酸强度:单硅酸>双硅酸<三硅酸。
关键词 CNDO/2 酸强度 单硅酸 硅酸溶液 氢氧键
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用于快速光学邻近校正的可变阈值光刻胶模型 被引量:1
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作者 王国雄 史峥 +2 位作者 严晓浪 陈志锦 付萍 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期634-637,684,共5页
提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确... 提出了用于光刻仿真的建模流程.用高斯滤波器与空间影像进行卷积,得到改进的空间影像来模拟光刻胶的扩散,然后使用可变阈值光刻胶模型,以实际工艺数据拟合该模型参数,再把改进空间影像的相关信息作为输入,并根据可变阈值光刻胶模型所确定的光强阈值来预测CD(criticaldimension)变化,从而使光刻仿真的结果更精确地附合实际测量数据.由于正确地表征了实际工艺的特性,模拟结果显示,多参数光刻胶模型更适于实际开发的光学邻近校正(opticalproximitycorrection,OPC)仿真工具. 展开更多
关键词 光刻仿真 光学邻近校正 可变阈值光刻胶模型 集成电路 制造工艺 空间影像
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N-氧化吡啶-2-甲醛衍生物的配合物研究——(Ⅱ)与二胺生成的双希夫碱铜配合物的电子结构 被引量:1
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作者 王国雄 尹湛峰 +2 位作者 臧焰 陆勤 曾成 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1989年第3期305-30,共1页
用CNDO/2方法计算N-氧化吡啶-2-甲醛缩1,3-丙二胺合铜离子[Cu(piotn)(H_2O)_2]^(2+)和N-氧化吡啶-2-甲醛缩乙二胺合铜离子[Cu(pioen)(H_2O)]^(2+)的电子结构。以原子净电荷的变化和配合物大π键的形成说明配合物形成后红外谱中~vN-o波... 用CNDO/2方法计算N-氧化吡啶-2-甲醛缩1,3-丙二胺合铜离子[Cu(piotn)(H_2O)_2]^(2+)和N-氧化吡啶-2-甲醛缩乙二胺合铜离子[Cu(pioen)(H_2O)]^(2+)的电子结构。以原子净电荷的变化和配合物大π键的形成说明配合物形成后红外谱中~vN-o波数少减和~vC-N波数增加的原因。 展开更多
关键词 铜配合物 电子结构 双希夫碱配体
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成品率驱动的光刻校正技术 被引量:1
5
作者 王国雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期10-13,共4页
光刻校正技术已成为超深亚微米下集成电路设计和制造中关键的技术。简要介绍了几种典型的光刻校正技术的基本原理以及在IC设计中使用这些技术需要注意的问题,为可制造性设计提供有价值的指导。
关键词 光刻 光学邻近校正 移相掩模 可制造性设计
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用于提高光刻分辨率的光学成像算法的研究 被引量:1
6
作者 王国雄 王雪洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第9期24-27,共4页
通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程。建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所... 通过对光刻系统中光学成像系统的模拟,提出了改善光刻分辨率的途径以及基于卷积核的计算光强的方法,并介绍了光学系统的传输交叉系数具体计算过程。建立准确描述由于掩模制造工艺、光刻胶曝光、显影、蚀刻所引起的光学邻近效应和畸变所导致的关键尺寸变化的光刻工艺模型,有助于开发由成品率驱动的版图设计工具,自动地实现深亚微米下半导体制造中先进的掩模设计、验证和检查等任务。 展开更多
关键词 光刻仿真 分辨率提高技术 光学成像
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基于行业特色的高职院校育人机制探索与实践——以广东职业技术学院为例
7
作者 王国雄 胡刚 《当代职业教育》 2016年第8期75-79,共5页
为顺应职业教育发展,做好高职院校育人机制建设,基于纺织服装特色,广东职业技术学院努力探索和实践政、校、企、行等多元参与的高职教育模式,推动政校企行紧密合作。学院通过创建广东纺织服装协同创新发展中心、组建广东纺织职业教育集... 为顺应职业教育发展,做好高职院校育人机制建设,基于纺织服装特色,广东职业技术学院努力探索和实践政、校、企、行等多元参与的高职教育模式,推动政校企行紧密合作。学院通过创建广东纺织服装协同创新发展中心、组建广东纺织职业教育集团、组建校企合作育人基地、成立高明职教园区、设立二级学院等方式开展育人机制探索与实践,形成了以"厂中校"、"现代学徒制"等六种典型人才培养模式,通过分析六种典型人才培养模式,总结学院育人机制实践经验,以期为同类院校探索建设有行业特色的育人机制提供参考。 展开更多
关键词 行业特色 职业院校 育人机制 探索实践
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Si_3N_4结合的SiC质砖衬的蚀损行为
8
作者 王国雄 杜鹤桂 《东北工学院学报》 CSCD 1989年第4期363-369,共7页
系统地研究了 Si_2N_4 结合的 SiC 质砖衬在高炉冶炼环境中的氧化特征及其碱蚀行为,初步探讨了高炉用 SiC 砖衬的蚀损机理。结果表明;氧化→碱蚀→剥落或熔蚀是高炉用 SiC 砖蚀损的基本过程。传中杂质将使砖衬产生“溶洞”现象,热应力... 系统地研究了 Si_2N_4 结合的 SiC 质砖衬在高炉冶炼环境中的氧化特征及其碱蚀行为,初步探讨了高炉用 SiC 砖衬的蚀损机理。结果表明;氧化→碱蚀→剥落或熔蚀是高炉用 SiC 砖蚀损的基本过程。传中杂质将使砖衬产生“溶洞”现象,热应力将导致砖衬工作面形成龟裂。“熔洞”和龟裂直接破坏了砖衬工作面的完整性,结果将诱发和加速 SiC 砖衬的蚀损。 展开更多
关键词 高炉 SiC砖衬 蚀损机理 氧化
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初渣流动方式对高炉内硅传递过程的影响
9
作者 王国雄 李永镇 《东北工学院学报》 CSCD 1989年第3期238-244,共7页
从初渣偏斜流动的观点出发,对高炉滴落带生铁中硅含量的变化过程进行了热力学分析和实验研究,探讨了初渣偏流与炉内硅还原过程的相互关系。结果表明,高炉内生铁中硅含量的变化规律受初渣偏流和高温下焦炭对 SiO_(g)的还原反应所控制,从... 从初渣偏斜流动的观点出发,对高炉滴落带生铁中硅含量的变化过程进行了热力学分析和实验研究,探讨了初渣偏流与炉内硅还原过程的相互关系。结果表明,高炉内生铁中硅含量的变化规律受初渣偏流和高温下焦炭对 SiO_(g)的还原反应所控制,从而提出了合理的高炉冶炼低硅生铁的技术措施。 展开更多
关键词 初渣流动 高炉 硅传递 硅还原
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协同创新中心绩效评价研究:案例分析与逻辑框架 被引量:15
10
作者 刘芳 王炳富 王国雄 《研究与发展管理》 CSSCI 北大核心 2014年第6期129-134,共6页
协同创新中心绩效评价是"高等学校创新能力提升计划"实施的重要环节,也是协同创新中心机制体制改革的重要内容.本文研究了协同创新中心绩效评价学术评价和政府公共项目绩效评价的双重属性,选择美国联邦科研机构绩效评价和中... 协同创新中心绩效评价是"高等学校创新能力提升计划"实施的重要环节,也是协同创新中心机制体制改革的重要内容.本文研究了协同创新中心绩效评价学术评价和政府公共项目绩效评价的双重属性,选择美国联邦科研机构绩效评价和中国科学院科技评价改革进行案例研究,在此基础上构建了协同创新中心绩效评价整体逻辑框架,并提出了绩效评价的具体措施. 展开更多
关键词 协同创新 绩效评价 案例研究
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吡唑-3,5-二(N-烷基甲酰胺)类配体的双核铜配合物的磁性质和电子结构 被引量:2
11
作者 付德刚 王国雄 唐雯霞 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期149-153,共5页
合成了以双吡唑桥联的双核铜配合物的3个同系物。利用吡唑-3,5-二(N-甲基甲酰胺)合硝酸铜双聚物的粉末ESR谱计算了g∥和g⊥。变温磁化率的实验数据拟合表明了它们均为有较强反铁磁性的化合物,用半经验分子轨道方法分析了它们的磁交换途径。
关键词 吡唑 反铁磁性 双核铜络合物
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传输透明的SoC总线低功耗环算法 被引量:1
12
作者 沈海斌 王国雄 +1 位作者 赵旭鑫 胡国兴 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期221-225,共5页
为适应地址、读/写数据在不同传输方式下的特性,并保持SoC总线上IP可复用的特点,提出了传输透明的SoC总线低功耗环算法.描述了低功耗传输与总线编码的算法原理,以及在地址线、读/写数据线上的实现结构.在概率模型的基础上进行了分析,低... 为适应地址、读/写数据在不同传输方式下的特性,并保持SoC总线上IP可复用的特点,提出了传输透明的SoC总线低功耗环算法.描述了低功耗传输与总线编码的算法原理,以及在地址线、读/写数据线上的实现结构.在概率模型的基础上进行了分析,低功耗环有效地降低了SoC总线的信号翻转率.通过建立网络终端测试系统,在不同传输方式所占比例不同的情况下进行了测试,结果表明,低功耗环算法达到了降低功耗的目的. 展开更多
关键词 系统芯片 低功耗 总线
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卤代芳烃的脂水分配系数与分子结构的定量关系 被引量:1
13
作者 黄庆国 王连生 +2 位作者 韩朔睽 王国雄 高鸿 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期826-830,共5页
本文通过HMO法计算得到了46个卤代芳烃的部分量子化学参数,同时计算了它们的分子总表面积(TSA),以线性溶解能关系(LSER)理论为基础探讨了化合物的正辛醇/水分配系数与其分子结构间的定量关系,建立了一种良好的分配模型,该模型可准确计... 本文通过HMO法计算得到了46个卤代芳烃的部分量子化学参数,同时计算了它们的分子总表面积(TSA),以线性溶解能关系(LSER)理论为基础探讨了化合物的正辛醇/水分配系数与其分子结构间的定量关系,建立了一种良好的分配模型,该模型可准确计算出两种溶剂的表面张力之差。 展开更多
关键词 分子结构 卤代芳烃 脂水分配系数
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双臂套索冠醚双核铜(Ⅱ)配合物的磁性质研究
14
作者 张华 王国雄 +4 位作者 季峰 王谷丰 王德 胡宏纹 姚天扬 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期331-334,共4页
测定了双臂套索冠醚双核铜(Ⅱ)配合物[Cu2L(OH)](ClO4)3Me2CO(L=N,N′-二(8-喹啉甲基)-1,4,10,13-四氧-7,16-二氮环八环)的变温磁化率(4~300K),所加场强为5.0×... 测定了双臂套索冠醚双核铜(Ⅱ)配合物[Cu2L(OH)](ClO4)3Me2CO(L=N,N′-二(8-喹啉甲基)-1,4,10,13-四氧-7,16-二氮环八环)的变温磁化率(4~300K),所加场强为5.0×105A/m.拟合了变温磁化率数据,得到J=-279.4cm-1;加上分子场校正后,得J=-257.7cm-1,Zj′=-30.1cm-1.拟合结果表明,分子间存在反铁磁性交换作用,而分子内的磁交换(J<500cm-1)还未大到使其反铁磁性交换作用变为抗磁性.用自旋倾斜体系解释了其反常的χm-H图.晶体结构和Cu2+3d轨道的分析表明,磁交换作用是通过OH桥进行的.比较了另外2个类似的双核铜(Ⅱ)大环OH桥联配合物。 展开更多
关键词 冠醚 双臂套索冠醚 磁性 双核铜配合物 铜配合物
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双(N-氧化吡啶2-甲醛)缩1,2-丙二胺镍配合物的合成和晶体结构
15
作者 周忠远 尹湛峰 +3 位作者 藏焰 王国雄 曾成 戴安邦 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1990年第5期556-561,共6页
合成所得双(N-氧化吡啶-2-甲醛)缩1,2-丙二胺的镍(Ⅱ)配合物[Ni(piopn)(H_2O)_2](ClO_4)_2的晶体属空间群C_?~4-C_c,晶胞参数α=7.397(3)A,b=13.187(7)A,c=25.502(14)A,β=102.18(4)°. 用分子轨道理论的近似方法分析了该配合物的... 合成所得双(N-氧化吡啶-2-甲醛)缩1,2-丙二胺的镍(Ⅱ)配合物[Ni(piopn)(H_2O)_2](ClO_4)_2的晶体属空间群C_?~4-C_c,晶胞参数α=7.397(3)A,b=13.187(7)A,c=25.502(14)A,β=102.18(4)°. 用分子轨道理论的近似方法分析了该配合物的电子结构和分子轨道,探讨了分子的结构特征与红外光谱的关系。 展开更多
关键词 镍配合物 Piopn CLO4 合成 结构
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三核铁苯甲酸配合物[Fe_3O(OBz)_6(CH_3OH)_3](NO_3)(
16
作者 张华 朱小蕾 +2 位作者 傅德刚 洪汇孝 王国雄 《高等学校化学学报》 CSCD 北大核心 1995年第10期1508-1511,共4页
测定了三核苯甲酸铁配合物[Fe_3O(OBz)_6(CH_3OH)_3](NO_3)(CH_3OH)_2(OBz~-=苯甲酸根)的电子光谱,应用配体场理论和T-S图求得配体场参数10Dq=12457cm^(-1)。用CNDO... 测定了三核苯甲酸铁配合物[Fe_3O(OBz)_6(CH_3OH)_3](NO_3)(CH_3OH)_2(OBz~-=苯甲酸根)的电子光谱,应用配体场理论和T-S图求得配体场参数10Dq=12457cm^(-1)。用CNDO/2方法对其简化模型进行了计算。 展开更多
关键词 配合物 苯甲酸 电子光谱
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城市高层住宅环境及其空间设计
17
作者 王国雄 《山西建筑》 2010年第32期17-18,共2页
介绍了城市高层住宅室内外公共环境设计技巧,从平面功能设计、环境设计等几个方面加以论述,并给出一些常用的设计手法,以期为城市高层住宅环境与空间设计提供指导。
关键词 高层住宅 空间设计 环境设计
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深亚微米下芯片电源网络的设计和验证 被引量:1
18
作者 樊俊峰 王国雄 +1 位作者 沈海斌 楼久怀 《电子器件》 EI CAS 2006年第4期1164-1167,共4页
随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往,集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18μm,这往往会引起芯片功能... 随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一。在以往,集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18μm,这往往会引起芯片功能失效。根据这个问题,本文首先介绍电压降(IR-Drop)和电子迁移率(Electro-migration)现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片(ECC&RSA)的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好。 展开更多
关键词 电源网络 电压降 电子迁移率
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深亚微米标准单元库的可制造性设计 被引量:1
19
作者 李宁 王国雄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期771-775,共5页
针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准。实例表明,新的工... 针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准。实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力。基于改进后的0.18μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 标准单元库 可制造性 工艺规则 光刻模拟
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1,4-二哌啶基-2,3-二(4-甲基苯基)-2,3-丁二醇的结构研究
20
作者 尹湛峰 王国雄 +3 位作者 周兆林 冯骏材 周忠远 郁开北 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第10期1107-1109,共3页
测定了1,4-二哌啶基-2,3-二(4-甲基苯基)-2,3-丁二醇(dl)的晶体结构,并在此基础上用半经验分子轨道理论方法研究了该分子的电子结构,讨论了分子结构的一些特征。
关键词 二氨基pian呐醇 晶体结构 分子轨道
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