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光寻址电位传感器及其应用 被引量:3
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作者 门洪 胡德建 +2 位作者 穆胜伟 靳继勇 王伟广 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2008年第6期12-14,17,共4页
光寻址电位传感器(LAPS)是一种基于半导体光电效应的化学传感器,在稳定性、重复性、灵敏度、准确性和响应速度等方面具有优良的性能。介绍了LAPS的基本原理和测量方法,阐述了LAPS在细胞传感器、图像传感器、金属离子敏感薄膜传感器、气... 光寻址电位传感器(LAPS)是一种基于半导体光电效应的化学传感器,在稳定性、重复性、灵敏度、准确性和响应速度等方面具有优良的性能。介绍了LAPS的基本原理和测量方法,阐述了LAPS在细胞传感器、图像传感器、金属离子敏感薄膜传感器、气体传感器及生物医学领域中的应用,并对其存在问题和研究方向进行了总结和展望。 展开更多
关键词 光寻址电位传感器 细胞 薄膜
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铜离子选择电流型薄膜传感器 被引量:2
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作者 门洪 靳继勇 +2 位作者 王伟广 穆胜伟 王平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期23-26,共4页
以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器。该传感器的线性区间为10^-4~10^-6mol/L,标准曲线的斜率为71nA/decade,检出限为3.0×10^-7mol/L,适宜pH范围4~6,响应时间不超... 以铜离子选择电极为靶材,采用脉冲激光沉积技术在p型单晶硅基底上制备了一种铜离子选择电流型薄膜传感器。该传感器的线性区间为10^-4~10^-6mol/L,标准曲线的斜率为71nA/decade,检出限为3.0×10^-7mol/L,适宜pH范围4~6,响应时间不超过2min,在12周内该薄膜传感器显示了良好的稳定性和重复性。该薄膜传感器采用交流红外调制光源激发,以外电路中电流幅值变化量为铜离子浓度测量依据,基于电流量来表征薄膜传感器线性区斜率,该薄膜传感器的检出限比对应的铜离子选择电压型电极低,灵敏度提高了2.45倍。 展开更多
关键词 微传感器 薄膜传感器 硅片 脉冲激光沉积 铜离子
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