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工艺参数对键合金丝质量影响的研究 被引量:4
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作者 王子伊 付明浩 +4 位作者 张晓宇 王晶 王代兴 孙浩洋 何钦江 《航天制造技术》 2023年第1期51-55,共5页
金丝键合技术是微电子领域的封装技术,一般采用金线,利用热、压、超声共同作用,完成微电子器件中电路内部连接,即芯片和电路或者引线框架之间的互连。本文在深入了解键合机理后,选用25μm金丝,基于正交试验方法,研究键合压力、超声功率... 金丝键合技术是微电子领域的封装技术,一般采用金线,利用热、压、超声共同作用,完成微电子器件中电路内部连接,即芯片和电路或者引线框架之间的互连。本文在深入了解键合机理后,选用25μm金丝,基于正交试验方法,研究键合压力、超声功率、键合时间等参数对楔焊键合及球焊键合后金丝拉力及焊点形貌的影响,根据键合强度拉力值确定键合的最佳工艺参数范围。 展开更多
关键词 楔焊键合 球焊键合 正交试验 工艺参数优化
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氧化石墨烯/多面体低聚倍半硅氧烷增强双马树脂合成及其性能表征
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作者 刘迅 刘俊杰 +2 位作者 贾海斌 王代兴 李晨东 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期48-54,共7页
在酸掺杂条件下,原位合成了多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)插层氧化石墨烯(GO)的GO/POSS_(C-I)复合材料。通过SEM、XRD、IR等手段对合成材料进行表。征结果表明,大量具有核-壳结构的无机-有机杂化POSS纳米粒子插层至片层结构GO表面。在增... 在酸掺杂条件下,原位合成了多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)插层氧化石墨烯(GO)的GO/POSS_(C-I)复合材料。通过SEM、XRD、IR等手段对合成材料进行表。征结果表明,大量具有核-壳结构的无机-有机杂化POSS纳米粒子插层至片层结构GO表面。在增强双马树脂固化过程中,GO/POSS_(C-I)良好分散于双马树脂基体中形成黑色均匀固化物。DMA试验结果表明,GO/POSS_(C-I)增强粒子对基体中有机碳链运动形成了显著的限制作用,提升材料热稳定性能,最佳玻璃化转变温度相比未增强双马树脂提升约127℃;同时,GO/POSS_(C-I)能够通过裂纹钝化或拨出效应,增强材料力学性能,弯曲强度和弯曲模量相比未增强双马树脂分别提升16.5%和3.4%。 展开更多
关键词 氧化石墨烯 多面体低聚倍半硅氧烷 双马树脂 合成
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大功率芯片高精度自动共晶焊接工艺技术研究
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作者 兰元飞 姬峰 +4 位作者 焦庆 张鹏哲 王代兴 张晓宇 郑晓华 《航天制造技术》 2022年第3期61-64,共4页
以固态发射机大功率芯片为研究对象,从自动共晶焊接专用吸嘴设计、大功率芯片载体表面可焊性、焊料片尺寸、焊接温度等方面研究了大功率芯片高精度自动共晶焊接工艺技术,测试了大功率芯片外观、空洞率、共晶焊接强度、共晶焊接精度。结... 以固态发射机大功率芯片为研究对象,从自动共晶焊接专用吸嘴设计、大功率芯片载体表面可焊性、焊料片尺寸、焊接温度等方面研究了大功率芯片高精度自动共晶焊接工艺技术,测试了大功率芯片外观、空洞率、共晶焊接强度、共晶焊接精度。结果表明,使用合适的共晶焊接吸嘴、选取适宜的芯片焊接载体、采用优化尺寸的焊料片以及适宜的焊接参数完成焊接的大功率芯片,每个边长的75%以上有焊料溢出,焊接层总空洞率≤10%,有源区焊接层空洞率≤3%,剪切强度满足标准要求,自动共晶焊接精度优于15μm,实现了大功率芯片高精度、高可靠性自动共晶焊接工艺技术的应用。 展开更多
关键词 大功率芯片 高精度 共晶焊接工艺技术
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