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波形腹板钢箱梁加工制造过程质量问题分析
被引量:
1
1
作者
王万堂
《中国建筑金属结构》
2024年第6期178-180,共3页
为了解决波形腹板钢箱梁这种新型桥梁结构在生产加工过程中常见的各类质量问题,本文对波形腹板钢箱梁结构类型及其应用现状作了简要介绍,分析了波形腹板钢箱梁加工制造下料、腹板压型、制孔、组装、焊接、校正、剪力钉焊接、打砂、涂装...
为了解决波形腹板钢箱梁这种新型桥梁结构在生产加工过程中常见的各类质量问题,本文对波形腹板钢箱梁结构类型及其应用现状作了简要介绍,分析了波形腹板钢箱梁加工制造下料、腹板压型、制孔、组装、焊接、校正、剪力钉焊接、打砂、涂装、压型板安装等各个工序流程质量控制要点及常见的质量问题,提出了通过加强工序质量关键点的控制,能够有效避免或减少操作人员水平等不可控因素对产品质量造成不利影响的观点,为今后类似产品加工过程质量管理水平提升和产品质量保证提供了参考依据。
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关键词
波形腹板
钢箱梁
加工制造
质量问题
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职称材料
又睡不着了
2
作者
王万堂
《农电管理》
2002年第2期43-43,共1页
关键词
愁容满面
数到
精神不振
医生
咖啡
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职称材料
单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光
被引量:
2
3
作者
考政晓
张保国
+5 位作者
于璇
杨盛华
王万堂
刘旭阳
韦伟
马腾达
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第8期628-634,共7页
通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速...
通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H2O2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。
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关键词
单晶SiC
电化学腐蚀
化学机械抛光(CMP)
氧化剂
去除速率
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职称材料
题名
波形腹板钢箱梁加工制造过程质量问题分析
被引量:
1
1
作者
王万堂
机构
甘肃博睿交通重型装备制造有限公司
出处
《中国建筑金属结构》
2024年第6期178-180,共3页
文摘
为了解决波形腹板钢箱梁这种新型桥梁结构在生产加工过程中常见的各类质量问题,本文对波形腹板钢箱梁结构类型及其应用现状作了简要介绍,分析了波形腹板钢箱梁加工制造下料、腹板压型、制孔、组装、焊接、校正、剪力钉焊接、打砂、涂装、压型板安装等各个工序流程质量控制要点及常见的质量问题,提出了通过加强工序质量关键点的控制,能够有效避免或减少操作人员水平等不可控因素对产品质量造成不利影响的观点,为今后类似产品加工过程质量管理水平提升和产品质量保证提供了参考依据。
关键词
波形腹板
钢箱梁
加工制造
质量问题
分类号
TU758.11 [建筑科学—建筑技术科学]
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职称材料
题名
又睡不着了
2
作者
王万堂
出处
《农电管理》
2002年第2期43-43,共1页
关键词
愁容满面
数到
精神不振
医生
咖啡
分类号
I277 [文学—中国文学]
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职称材料
题名
单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光
被引量:
2
3
作者
考政晓
张保国
于璇
杨盛华
王万堂
刘旭阳
韦伟
马腾达
机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第8期628-634,共7页
基金
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)
文摘
通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H2O2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。
关键词
单晶SiC
电化学腐蚀
化学机械抛光(CMP)
氧化剂
去除速率
Keywords
single crystal SiC
electrochemical corrosion
chemical mechanical polishing(CMP)
oxidant
removal rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
波形腹板钢箱梁加工制造过程质量问题分析
王万堂
《中国建筑金属结构》
2024
1
在线阅读
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职称材料
2
又睡不着了
王万堂
《农电管理》
2002
0
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职称材料
3
单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光
考政晓
张保国
于璇
杨盛华
王万堂
刘旭阳
韦伟
马腾达
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
2
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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