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浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：2: 1; 作者于宗光陆锋 +4 位作者徐征叶守银黄卫王万业许居衍《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期90-91,95,共3页; 本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .; 关键词 EEPROM 浮栅隧道氧化层电荷泄漏; 在线阅读下载PDF 职称材料

FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：1: 2; 作者于宗光徐征 +4 位作者叶守银张国华黄卫王万业许居衍《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页; 本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现... 展开更多; 关键词 EEPROM 隧道氧化层擦写过程陷阱俘获电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS SRAM存储单元研究被引量：1: 3; 作者王万业《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期32-35,共4页; 阐述了采用１．０μｍＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理、结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＭＯＳＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较。; 关键词 CMOS SRAM 结构存储器; 在线阅读下载PDF 职称材料

一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨: 4; 作者王万业《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期61-64,F003,共5页; 本文从技术和技术管理的角度,研究探讨了一条多电路品种的CMOS科研开发线的运行机制.从多方面阐述了为保持这样一条科研开发线高水平、高效益运转所必须考虑的一些基本准则.本文阐述了一种自调整高效运筹法,介绍了该方法的基本要点、运... 展开更多; 关键词集成电路 MOS电路工艺生产线; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：2: 1; 作者于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍; 机构信息产业部微电子科研中心; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期90-91,95,共3页; 基金江苏省青年科技基金!(No.BQ960 4 0 ); 文摘本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .; 关键词 EEPROM 浮栅隧道氧化层电荷泄漏; Keywords EEPROM floating gate tunnel oxide charge leakage; 分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：1: 2; 作者于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍; 机构信息产业部无锡微电子科研中心; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期68-70,67,共4页; 基金江苏省青年科技基金!(BQ960 4 0 ); 文摘本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .; 关键词 EEPROM 隧道氧化层擦写过程陷阱俘获电荷; Keywords EEPROM Tunnel oxide Trapped charge Endurance Erase/Write Threshold voltage Field; 分类号 TP333.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS SRAM存储单元研究被引量：1: 3; 作者王万业; 机构中国华晶电子集团公司中央研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期32-35,共4页; 文摘阐述了采用１．０μｍＣＭＯＳ技术制作的２５６ｋＳＲＡＭ的存储单元。论述了存储单元的性能在ＣＭＯＳＳＲＡＭ中的重要性，分析了存储单元的工作原理、结构和主要参数性能。文章对几种类别的ＣＭＯＳＳＲＡＭ存储单元进行了分析比较。; 关键词 CMOS SRAM 结构存储器; 分类号 TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨: 4; 作者王万业; 机构中国华晶电子集团公司中央研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第5期61-64,F003,共5页; 文摘本文从技术和技术管理的角度,研究探讨了一条多电路品种的CMOS科研开发线的运行机制.从多方面阐述了为保持这样一条科研开发线高水平、高效益运转所必须考虑的一些基本准则.本文阐述了一种自调整高效运筹法,介绍了该方法的基本要点、运算实例以及与习惯方法相比较所具有的优点.; 关键词集成电路 MOS电路工艺生产线; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究	于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究	于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	CMOS SRAM存储单元研究	王万业	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1997	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一条多电路品种的CMOS科研开发工艺线运转机制探讨	王万业	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料