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Al栅a-Si TFT栅绝缘膜研究 被引量：5
1
作者 熊绍珍 谷纯芝 +6 位作者 李峻峰 周桢华 孟志国 代永平 张建军 丁世斌 赵颖 《光电子技术》 CAS 1995年第2期116-121,共6页
Al栅可明显降低AM－LCD中a－SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的阳极氧化技术，获得了适于a－SiTFT复合栅的Al2O3栅绝缘材料。
关键词 Al栅 非晶硅 薄膜晶体管 阳极氧化 栅绝缘膜
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a-Si PIN太阳能电池中PI间缓冲层的作用 被引量：2
2
作者 熊绍珍 孟志国 +5 位作者 王玉冰 王广才 孙云 王宗畔 孙钟林 徐温元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期39-43,共5页
本文测量了电池表观禁带宽度E_g^(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼... 本文测量了电池表观禁带宽度E_g^(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼顾电池性能与稳定性而优化选择缓冲层的厚度。 展开更多
关键词 太阳能电池 非晶硅 PI层 缓冲层
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低缺陷TFT-LCD研究 被引量：2
3
作者 熊绍珍 赵颖 +1 位作者 孟志国 孙钟林 《光电子技术》 CAS 1996年第4期321-331,共11页
综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的系列研究工作。它包括材料及器件优化研究，冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-si界面的氢化处理Al:Ti栅金属及其AI／Ta、Al_2O_3／SiN... 综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的系列研究工作。它包括材料及器件优化研究，冗余技术的研究以及器件检测系统研究与实际应用等。通过采用SiNx/a-si界面的氢化处理Al:Ti栅金属及其AI／Ta、Al_2O_3／SiNx双绝缘层、低温致密ITO及AI腐蚀相容性工艺以及TFT动态特性研究等手段，所研制的200×151象素的TFT矩阵可基本消除线缺陷仅存少量点缺陷。最后给出用我们研制的TFT－LCD屏所显示的电视效果。 展开更多
关键词 非晶硅 薄膜晶体管 氢化处理
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非晶硅太阳能电池载流子收集长度的自动测量
4
作者 熊绍珍 耿新华 +4 位作者 周启明 王玉冰 孟志国 孙仲林 徐温元 《电子科学学刊》 EI CSCD 1990年第1期57-64,共8页
提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生(?)流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模... 提出用光生电流偏压关系拟合非晶硅pin太阳能电池光态I-V特性曲线,测量光生(?)流子收集长度的模型.用计算机自动测量与分析处理系统采样,采用Marquardt数字计算拟合法对实测I-V值进行拟合验证,实验结果证明该模型拟合结果良好.用不同模型对同组数据进行拟合比较,对各模型拟合误差进行了讨论,本文的模型拟合误差较小,参数自动拟合调整较大,数据重复性、可靠性好,能反映实际使用条件下电池的特性. 展开更多
关键词 非晶硅 太阳能电池 载流子 测量
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单结a-Si太阳电池稳定性的研究
5
作者 熊绍珍 王玉冰 孙钟林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期15-19,共5页
本文报道了单结非晶硅太阳电池稳定性研究结果,对S-W效应在总衰退中所占的比重进行了分析,结合工艺提出了几项与改善电池稳定性有关的措施,最后对a-Si材料和电池稳定性的前景作了讨论。
关键词 电池 太阳能 单结 α-Si 稳定性
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PM-OLED驱动中的分场显示问题研究 被引量：12
6
作者 郭斌 吴春亚 +1 位作者 熊绍珍 张丽珠 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期182-188,共7页
提出了一种比率电流 +分场的概念 ,结合电流比率加分场的方法 ,设计了一种电流移位 (复用 )的驱动方法。这种电流比率 +电流移位的方法比现有的脉宽调制 (PWM )法结构简单、时序简化 ,容易电路集成。既保留PM OLED低成本的优点又达到较... 提出了一种比率电流 +分场的概念 ,结合电流比率加分场的方法 ,设计了一种电流移位 (复用 )的驱动方法。这种电流比率 +电流移位的方法比现有的脉宽调制 (PWM )法结构简单、时序简化 ,容易电路集成。既保留PM OLED低成本的优点又达到较高的灰度级显示 ,避免使用大的电流驱动。用较少的分级电流 (4个成比例电流 )实现较高的灰度级 (1 6级 ) ,实现了数字化显示 ,电流信号还可以避免串扰的影响。 展开更多
关键词 OLED 分场显示 被动矩阵 数字化驱动 电流比率 电流移位 有机发光二极管
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复合绒面透明导电薄膜研究 被引量：5
7
作者 朱锋 周祯华 +5 位作者 熊绍珍 吴春亚 李洪波 麦耀华 薛俊明 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期344-347,共4页
在常规非晶硅电池绒面SnO2 衬底上 ,采用Zn∶Al重量比为 5 %的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO ,构成复合绒面SnO2 /ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度 ,既能保持SnO2 绒面效果 ,又可阻挡H离子对SnO2 的还原作用 ,可作为微晶硅电池的前电... 在常规非晶硅电池绒面SnO2 衬底上 ,采用Zn∶Al重量比为 5 %的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO ,构成复合绒面SnO2 /ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度 ,既能保持SnO2 绒面效果 ,又可阻挡H离子对SnO2 的还原作用 ,可作为微晶硅电池的前电极。文中对ZnO沉积条件以及复合膜的形貌、电光性能进行了讨论。 展开更多
关键词 SNO2 复合绒面膜 直流反应磁控溅射 透明导电薄膜 非晶硅电池
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玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路 被引量：5
8
作者 吴春亚 孟志国 +6 位作者 李娟 马海英 赵淑云 刘建平 熊绍珍 郭海成 王文 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1349-1352,共4页
以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工... 以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUCpoly-SiTFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUCpoly-SiTFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 展开更多
关键词 金属诱导单一方向横向晶化 多晶硅薄膜晶体管 显示驱动电路 全集成显示
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大屏幕投影拼接系统的设计 被引量：6
9
作者 柴海峰 高国保 +8 位作者 郝大收 李学东 王中 杭力 刘召军 孙鹏飞 吴春亚 孟志国 熊绍珍 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期336-341,共6页
设计了一个可实现无缝拼接系统的研究示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,选用简单的线性函数关系,对待重叠部分进行了淡入淡出的处理,经这样叠加后重叠部分的重叠痕迹可适当消除... 设计了一个可实现无缝拼接系统的研究示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影。在投影之前,选用简单的线性函数关系,对待重叠部分进行了淡入淡出的处理,经这样叠加后重叠部分的重叠痕迹可适当消除。但鉴于像素信号与亮度之间还应满足伽马(Gamma)关系,故在处理过程中同时进行了Gamma校正的设计。研究过程中,考虑到不同成像终端之间,在色度表征方式以及Gamma校正已有自身规则,可方便转换,文章从简化研究出发,首次采用当前计算机监视器的液晶屏为投影成像的终端,研究它的融合结果,并实测融合图像部分的光强,以检查融合的实际效果。发现采用简单的线性函数并选择2.15的Gamma校正值,较之未作伽马校正前的,能改善融合区与未处理区的亮度差异达两个量级。最后给出了经这样处理后在液晶显示屏上获得较为良好的拼接效果。 展开更多
关键词 数字光处理 无缝拼接 边缘融合 GAMMA校正
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VHF-PECVD法高速率沉积氢化微晶硅薄膜 被引量：5
10
作者 杨恢东 吴春亚 +7 位作者 黄君凯 麦耀华 张晓丹 薛俊明 任慧志 赵颖 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期127-132,共6页
采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman... 采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc Si∶H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH 和H 的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论。通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc Si∶H薄膜的结构特征与表面形貌。基于当前的沉积系统,对μc Si∶H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc Si∶H薄膜的沉积速率提高到2 0nm/s。 展开更多
关键词 光发射谱 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体化学气相沉积 高速沉积
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微晶硅材料和电池特性的相关研究 被引量：6
11
作者 张晓丹 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 赵静 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1304-1307,共4页
主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高效率微晶硅薄膜太阳电池 表观带隙
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VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池初步研究 被引量：4
12
作者 张晓丹 朱锋 +4 位作者 赵颖 薛俊明 孙建 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期789-793,共5页
研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明:随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立... 研究了用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备的不同沉积气压下的微晶硅薄膜样品。随着沉积气压的逐渐增大,样品的沉积速率也逐渐增大;样品的光敏性和激活能测试结果表明:随气压的变化两者发生了规律性一致的变化;傅立叶变换红外(FTIR)测试表明制备的样品中含有一定量的氧,使得样品呈现弱n型;室温微区喇曼光谱测试分析得到样品的微晶化特征与IR的分析是一致的,用高斯函数对喇曼谱解谱分析定量得出了晶化程度;分析了H处理p/I界面对电池性能的影响;首次在国内用VHF-PECVD制备出效率达4.24%的微晶硅电池。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 微晶硅电池 微区喇曼光谱 傅立叶变换红外光谱
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非晶/微晶硅叠层电池中间层的研究进展 被引量：5
13
作者 蔡宁 耿新华 +6 位作者 赵颖 张晓丹 陈培专 陈新亮 张德坤 岳强 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期338-343,共6页
由于非晶硅光致衰退、微晶硅吸收系数低的原因,叠层结构电池成为提高电池效率和稳定性的有效途径。叠层电池各子电池较薄、太阳光的利用率较低,因此陷光结构在叠层电池中的作用尤其重要。具有绒面结构的前电极、叠层电池的中间层以及ZnO... 由于非晶硅光致衰退、微晶硅吸收系数低的原因,叠层结构电池成为提高电池效率和稳定性的有效途径。叠层电池各子电池较薄、太阳光的利用率较低,因此陷光结构在叠层电池中的作用尤其重要。具有绒面结构的前电极、叠层电池的中间层以及ZnO/Al或ZnO/Ag复合背电极共同组成硅薄膜太阳电池的陷光结构。中间层位于各子电池之间,作用是改变界面反射率,影响电池中光的传播路径。该文综述了叠层电池中间层的作用、要求以及此方面国内外的研究现状,并指出中间层研究中需要注意的主要问题和未来发展的趋势。 展开更多
关键词 太阳电池 非晶/微晶硅叠层电池 中间层
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基于FPGA的TFT显示屏控制系统的设计与实现 被引量：6
14
作者 赵二刚 孙鹏飞 +3 位作者 赵立晴 姚颖 孟志国 熊绍珍 《光电子技术》 CAS 北大核心 2009年第2期130-134,共5页
提出一套以大规模现场可编程门阵列(FPGA)-EP1C 12Q 240C 8为控制核心,对静态存储器实行乒乓操作,实时处理解码后来自显卡数字视频接口(DV I)的信号及产生相应控制信号,以实现驱动薄膜晶体管(TFT)显示屏的实时动态图像显示的方案,并成... 提出一套以大规模现场可编程门阵列(FPGA)-EP1C 12Q 240C 8为控制核心,对静态存储器实行乒乓操作,实时处理解码后来自显卡数字视频接口(DV I)的信号及产生相应控制信号,以实现驱动薄膜晶体管(TFT)显示屏的实时动态图像显示的方案,并成功验证了该驱动方法的可行性。该系统对于驱动不同类型的TFT液晶或OLED显示屏,只需根据具体的屏编写相应的软件和增加少量的接口电路就可以实现,具有多用途、可复用的特点。 展开更多
关键词 大规模现场可编程门阵列 乒乓操作 薄膜晶体管显示屏 可复用
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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究 被引量：2
15
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新 熊绍珍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期920-922,共3页
　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制... 　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 衬底温度
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微晶硅电池的制备及提高其效率的优化 被引量：2
16
作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 朱锋 高艳涛 麦耀华 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期419-422,共4页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同硅烷浓度系列的微晶硅电池。结果表明:电池的开路电压随着硅烷浓度的增大而逐渐增加,而电池的短路电流则先增加后减小,在转折点电池的效率达到最大,填充因子则变化不明显;(... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同硅烷浓度系列的微晶硅电池。结果表明:电池的开路电压随着硅烷浓度的增大而逐渐增加,而电池的短路电流则先增加后减小,在转折点电池的效率达到最大,填充因子则变化不明显;(220)择优取向出现,I(220)/I(111)比值大,电池的短路电流密度也大,电池的效率也最高;在实验的范围内,电池的短路电流密度和厚度成正比例关系;首次在国内制备出了效率达7.3%,短路电流密度(Jsc)为21.7mA/cm2,开路电压(Voc)为0.52V,填充因子(FF)为65%的微晶硅电池。 展开更多
关键词 微晶硅电池 甚高频等离子体增强化学气相沉积 短路电流密度
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晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究 被引量：3
17
作者 罗翀 李娟 +4 位作者 李鹤 孟志国 熊绍珍 郭海成 张志林 《光电子技术》 CAS 北大核心 2010年第3期172-178,共7页
以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LP... 以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。 展开更多
关键词 氢钝化处理 多晶硅薄膜 机制
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一种低带内相位噪声的立体声FM合成器 被引量：2
18
作者 曹政新 李学初 +3 位作者 李振 吴岳 宋树贵 熊绍珍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期386-390,共5页
研制一种低带内相位噪声的立体声FM频率合成器,该合成器基于小数分频锁相环技术,利用闭环方式对载波信号进行调制,显著提高系统的THD。采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺对其设计,系统测试结果表明,立体声解调后SNR>70dB,THD<0.08,立... 研制一种低带内相位噪声的立体声FM频率合成器,该合成器基于小数分频锁相环技术,利用闭环方式对载波信号进行调制,显著提高系统的THD。采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺对其设计,系统测试结果表明,立体声解调后SNR>70dB,THD<0.08,立体声分离度>40dB,最大带外辐射能量低于-90dBc/Hz。以上这些特性完全符合立体声发射机的要求。 展开更多
关键词 调频 小数分频锁相环 带内相位噪声
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VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析 被引量：1
19
作者 张晓丹 高艳涛 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期99-102,共4页
采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响;材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均... 采用VHF PECVD技术在多功能系统(clustertool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明:气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响;材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀,在将材料应用于器件上时,必须要考虑优化合适的工艺条件;硅烷浓度大,相应制备薄膜的晶化程度减弱,即薄膜中非晶成分增多。 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 薄膜均匀性 晶化率
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溶液法铝诱导晶化多晶硅薄膜 被引量：1
20
作者 王烁 罗翀 +1 位作者 赵颖 熊绍珍 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1689-1693,共5页
介绍了一种基于溶液的廉价制备Al诱导晶化多晶硅薄膜的方法.先以低压化学气相沉积(LPCVD)方法制备50nm厚的非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜作为前驱物,通过旋涂的方法,将含有Al的盐溶液涂覆在a-Si薄膜表面,550-620℃下氮气氛围退火... 介绍了一种基于溶液的廉价制备Al诱导晶化多晶硅薄膜的方法.先以低压化学气相沉积(LPCVD)方法制备50nm厚的非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜作为前驱物,通过旋涂的方法,将含有Al的盐溶液涂覆在a-Si薄膜表面,550-620℃下氮气氛围退火若干小时得到多晶硅薄膜.文中针对化学诱导源的种类、前驱物表面状况对晶化效果的影响进行了研究.发现只有反应生成物中含有偏铝酸根(AlO2-)的碱性溶液才能发生诱导晶化,而若Al溶液浓度过低,则不能得到连续的多晶硅薄膜.a-Si表面若附有薄氧化层会有利于Al盐溶液在表面上的粘附以及得到大尺寸的晶粒,然而又会增高退火晶化所需要的温度.同时溶液在薄膜表面的粘附状况还会受到溶液中存在的其它离子的影响.因此必须选用合适的实验条件. 展开更多
关键词 Al诱导晶化 化学诱导源 溶液法 多晶硅薄膜
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