基片台结构和生长参数对单晶金刚石和多晶金刚石膜质量的影响

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作者 刘佳 翁俊 +3 位作者 刘繁 陈晓婧 汪建华 熊礼威 《武汉工程大学学报》 2025年第1期44-52,共9页

调整基片台的结构,在自制的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备上成功地批量生长了单晶金刚石,并沉积了直径为100 mm的多晶金刚石膜。通过对基片台上方的电场强度分布模拟研究发现,从衬底钼(Mo)或硅(Si)上表面到Mo片上表面之间的距离... 调整基片台的结构,在自制的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备上成功地批量生长了单晶金刚石,并沉积了直径为100 mm的多晶金刚石膜。通过对基片台上方的电场强度分布模拟研究发现,从衬底钼(Mo)或硅(Si)上表面到Mo片上表面之间的距离h对基片台上方的电场强度分布有重要影响,对决定金刚石生长质量的等离子体环境有重要作用;等离子体中甲烷(CH_(4))与氢气(H_(2))的体积比对单晶金刚石和多晶金刚石膜的生长质量有重要影响。研究表明:当h保持在0.8~1.0 mm、CH_(4)与H_(2)体积比为5%时的等离子体环境适合单晶金刚石的大面积生长;而h<0.2 mm、CH_(4)与H_(2)体积比为2%时的等离子体环境沉积的多晶金刚石膜具有较高的均匀性。利用两种不同结构的基片台在不同的CH_(4)与H_(2)体积比条件下成功地获得了数量较多、质量较好的单晶金刚石以及质量和形貌较均匀的大面积金刚石膜。 展开更多

关键词 单晶金刚石 多晶金刚石膜 微波等离子体 基片台

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金刚石半导体研究进展 被引量：8

2

作者 熊礼威 汪建华 +2 位作者 满卫东 刘长林 翁俊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期117-121,共5页

金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半... 金刚石具有一系列优异的物理化学性能,特别是独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有极佳的应用前景。通过详细评述金刚石的各种性能,以及与其他半导体材料的性能比较,提出了金刚石在半导体器件应用领域的优势。详细介绍了金刚石半导体掺杂以及金刚石半导体器件的种类和应用,并在此基础上展望了金刚石在半导体领域的应用。 展开更多

关键词 金刚石 半导体 掺杂

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微波烧结氧化铝陶瓷的纳米增韧研究 被引量：9

3

作者 熊礼威 张莹 +1 位作者 汪建华 崔晓慧 《武汉工程大学学报》 CAS 2013年第1期46-50,共5页

高纯度氧化铝陶瓷具有极高的机械强度,在航空航天等国防尖端技术领域具有极好的应用前景.针对目前采用普通方法烧结的高纯度氧化铝陶瓷韧性较差的问题,利用圆柱形微波多模烧结腔进行了高纯度氧化铝陶瓷的纳米增韧研究.以氧化铝(质量分数... 高纯度氧化铝陶瓷具有极高的机械强度,在航空航天等国防尖端技术领域具有极好的应用前景.针对目前采用普通方法烧结的高纯度氧化铝陶瓷韧性较差的问题,利用圆柱形微波多模烧结腔进行了高纯度氧化铝陶瓷的纳米增韧研究.以氧化铝(质量分数99.9%)、氧化镁(质量分数0.05%)和氧化钇(质量分数0.05%)为基准原料配比,在其中添加不同比例的纳米氧化铝粉末,研究不同比例纳米氧化铝粉末对陶瓷性能的影响.结果表明,当纳米氧化铝粉末添加量达到30%时,高纯度氧化铝陶瓷试样的密度、维氏硬度和断裂韧性分别达到3.92g/cm3、23.2GPa和4.21Pa.m1/2;与未添加纳米氧化铝粉末烧结得到的陶瓷试样相比,密度降低0.5%,但其维氏硬度增加了2.2%,断裂韧性甚至增强了33.7%. 展开更多

关键词 微波烧结 氧化铝陶瓷 纳米增韧 维氏硬度 断裂韧性

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基片温度对金刚石厚膜生长的影响 被引量：6

4

作者 熊礼威 汪建华 +2 位作者 满卫东 曹菊琴 谢鹏 《武汉工程大学学报》 CAS 2008年第1期83-86,共4页

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了Φ60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850... 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了Φ60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在Φ60 mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜. 展开更多

关键词 化学气相沉积 金刚石厚膜 微波等离子体

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MPECVD法在抛光石英玻璃上沉积金刚石薄膜 被引量：4

5

作者 熊礼威 汪建华 满卫东 《辽宁石油化工大学学报》 CAS 2006年第4期47-50,共4页

采用微波等离子体增强化学气相沉积方法（MPECVD），利用氢气和甲烷混合气体，在抛光石英基片上低温沉积出金刚石薄膜。用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪（Raman）和傅立叶红外光谱仪（FTIR）对薄膜的表面形貌、颗粒尺寸、纯度... 采用微波等离子体增强化学气相沉积方法（MPECVD），利用氢气和甲烷混合气体，在抛光石英基片上低温沉积出金刚石薄膜。用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪（Raman）和傅立叶红外光谱仪（FTIR）对薄膜的表面形貌、颗粒尺寸、纯度和光学透过性能进行了表征．．通过SEM发现，得到的金刚石薄膜的颗粒尺寸为0．2～0．3μm，形核密度超过10^9cm^-2，从薄膜形貌可以发现，较高温度有于提高薄膜的生长速率和颗粒尺寸的均匀性。通过拉曼光谱和红外透射光谱分析发现，较高温度下沉积的薄膜具有较高的金刚石相含量，薄膜的光学透过性能也相对较好。 展开更多

关键词 化学气相沉积 金刚石薄膜 石英玻璃 微波

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微波CVD金刚石热沉片的制备研究 被引量：3

6

作者 熊礼威 汪建华 +4 位作者 满卫东 谢鹏 孙蕾 吴斌 刘长林 《真空与低温》 2009年第1期9-13,共5页

采用化学气相沉积法(CVD)制备的金刚石薄膜具有接近于天然金刚石的导热性能,是目前最为理想的热沉材料。利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备了金刚石热沉片,并在此基础上研究了不同沉积工艺对金刚石热沉片散热性能的影响。采用... 采用化学气相沉积法(CVD)制备的金刚石薄膜具有接近于天然金刚石的导热性能,是目前最为理想的热沉材料。利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备了金刚石热沉片,并在此基础上研究了不同沉积工艺对金刚石热沉片散热性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)和激光拉曼光谱(Raman)检测了薄膜的表面形貌及纯度,金刚石热沉片的导热性能则通过测量封装LED后薄膜的散热效果来进行表征。结果表明,在其他条件不变的情况下,提高生长过程中的微波输出功率、降低反应气压以及增加基片温度有利于制备出散热性能更佳的金刚石热沉片。 展开更多

关键词 微波等离子体 化学气相沉积 金刚石膜 热沉片

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星形微波等离子体化学气相沉积装置上类金刚石薄膜的制备 被引量：1

7

作者 熊礼威 崔晓慧 +3 位作者 汪建华 翁俊 龚国华 张林 《武汉工程大学学报》 CAS 2013年第11期53-58,共6页

以甲烷、氢气和氧气为反应气体,分别在镜面抛光的单晶硅片和石英玻璃基片上制备了类金刚石薄膜,并用扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅立叶红外透射光谱仪等测试方法对薄膜的表面形貌、质量和光学性能进行了表征;通过对类金刚石(DLC)薄... 以甲烷、氢气和氧气为反应气体,分别在镜面抛光的单晶硅片和石英玻璃基片上制备了类金刚石薄膜,并用扫描电子显微镜、激光拉曼光谱和傅立叶红外透射光谱仪等测试方法对薄膜的表面形貌、质量和光学性能进行了表征;通过对类金刚石(DLC)薄膜制备过程中碳源浓度、基片温度等参数的研究,掌握了工艺参数对薄膜性能的影响规律,并在此基础上成功地对薄膜的沉积工艺进行了优化.结果表明,当反应气体中的流量配比为甲烷∶氢气∶氧气=10∶100∶1,腔体压力和基片温度分别为0.5kPa和400℃,制备出的DLC薄膜表面光滑平整,薄膜中的纳米金刚石特征峰明显,在石英玻璃上沉积的DLC薄膜在3 000～4 000cm-1波数区间透光率超过80%,达到了光学应用要求. 展开更多

关键词 类金刚石薄膜 石英玻璃 红外透光率

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基片温度对纳米金刚石薄膜掺硼的影响 被引量：1

8

作者 熊礼威 崔晓慧 +2 位作者 汪建华 龚国华 邹伟 《武汉工程大学学报》 CAS 2014年第3期33-37,共5页

采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石(NCD)薄膜的生长过程掺硼,研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和硼原子浓度的影响.利用扫描电子显微镜和原子力显微镜观察NCD薄膜的... 采用微波等离子体化学气相沉积法,以氢气稀释的乙硼烷为硼源进行了纳米金刚石(NCD)薄膜的生长过程掺硼,研究了基片温度对掺硼NCD薄膜晶粒尺寸、表面粗糙度、表面电阻和硼原子浓度的影响.利用扫描电子显微镜和原子力显微镜观察NCD薄膜的表面形貌,并通过Imager软件对原子力显微镜数据进行分析获得薄膜的表面粗糙度及平均晶粒尺寸信息;采用四探针测量掺硼NCD薄膜的表面方块电阻,利用二次离子质谱仪对掺杂后NCD薄膜表面区域的硼原子浓度进行测量.实验结果表明,较高的基片温度有利于提高薄膜的导电能力,但随着基片温度的提高,NCD薄膜的平均晶粒尺寸和表面粗糙度逐渐增大;此外,当反应气体中的乙硼烷浓度一定时,掺杂后NCD薄膜的表面硼原子浓度随基片温度升高存在一个饱和值.在所选乙硼烷浓度为0.01%的条件下,基片温度在700℃左右可以在保证薄膜表面电性能的基础上保持较好的表面形貌. 展开更多

关键词 纳米金刚石薄膜 掺硼 化学气相沉积

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单晶硅表面磁控溅射铜栅极

9

作者 熊礼威 崔晓慧 +3 位作者 汪建华 翁俊 龚国华 张林 《武汉工程大学学报》 CAS 2014年第1期52-56,共5页

晶硅太阳能电池表面的导电栅极主要用于输出电能,若其与基体间的附着力较差,将会极大地降低电池元件的稳定性和使用寿命,而与其他制备方法相比,物理气相沉积法具有可控性好、成本低等优势.为了继承物理气相沉积法的相关优势,同时能够使... 晶硅太阳能电池表面的导电栅极主要用于输出电能,若其与基体间的附着力较差,将会极大地降低电池元件的稳定性和使用寿命,而与其他制备方法相比,物理气相沉积法具有可控性好、成本低等优势.为了继承物理气相沉积法的相关优势,同时能够使铜栅极与基片之间具有良好的附着力,利用磁控溅射法在单晶硅上进行铜栅极的制备实验,研究了磁控溅射过程中溅射功率和工作气压等参数对最终制得的铜栅极附着力的影响.采用超声震荡加强实验检测铜栅极的附着力,使用金相显微镜观察铜栅极的整体形貌及断线率,通过扫描电子显微镜观察铜膜的表面形貌.结果表明在溅射功率为180 W,工作气压为0.8 Pa的条件下制备的铜栅极线宽更为均匀,且进行加强实验后断线率为0. 展开更多

关键词 单晶硅太阳能电池 铜栅极 附着力

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用氢气／甲醇混合气体在微波等离子体CVD中合成纳米晶粒金刚石膜(英文) 被引量：9

10

作者 满卫东 江建华 +3 位作者 王传新 马志斌 王升高 熊礼威 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期126-128,131,共4页

用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了... 用微波等离子体增强化学气相沉积方法(MPECVD),利用氢气和甲醇的混合气体,在硅片上沉积出纳米晶粒的金刚石薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)及扫描隧道显微镜(STM)对薄膜的晶粒平面平整性及纯度进行了表征。通过SEM发现,提高甲醇浓度或降低沉积温度可以减小金刚石膜的晶粒尺寸。拉曼光谱显示薄膜中确实存在纳米晶粒的金刚石,并且薄膜的主要成分为金刚石。用AFM测得薄膜表面的粗糙度Rms<80nm,STM观测晶粒的平均尺寸在10-20nm之间。研究结果表明,用MPECVD方法,利用氢气和甲醇的混合气体是制备纳米晶粒金刚石膜的一种理想方法。 展开更多

关键词 纳米晶粒 金刚石膜 微波 化学气相沉积

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射频等离子体制备类金刚石薄膜及其表征 被引量：6

11

作者 谢鹏 汪建华 +3 位作者 王传新 王升高 满卫东 熊礼威 《武汉工程大学学报》 CAS 2009年第3期60-63,共4页

采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.... 采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.结果表明,制备出的类金刚石薄膜表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.492 nm;薄膜中含有sp2,sp3杂化键,具有典型的类金刚石结构特征;光学透过率比较高,薄膜的复合硬度可以高达507.3 kgf/cm2. 展开更多

关键词 射频等离子体 类金刚石薄膜 粗糙度 拉曼光谱 显微硬度

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PET材料表面制备氧化硅薄膜的研究 被引量：6

12

作者 刘玉兰 汪建华 +1 位作者 熊礼威 刘长林 《武汉工程大学学报》 CAS 2010年第5期70-73,共4页

为了满足材料在饮料、啤酒等包装领域方面的要求,在PET材料内壁涂覆氧化硅薄膜是一种十分有效的方法.本文分别使用磁控溅射法和微波等离子体化学气相沉积法(PECVD)在PET材料表面制备了氧化硅薄膜,通过结果分析,对两种方法从原理、各自... 为了满足材料在饮料、啤酒等包装领域方面的要求,在PET材料内壁涂覆氧化硅薄膜是一种十分有效的方法.本文分别使用磁控溅射法和微波等离子体化学气相沉积法(PECVD)在PET材料表面制备了氧化硅薄膜,通过结果分析,对两种方法从原理、各自优点等方面进行了比较,并就沉积时间、工作气压、电源功率对各自所沉积薄膜阻隔性的影响作了相应分析,得出了两种方法各自的最佳工艺条件. 展开更多

关键词 PET 氧化硅薄膜 磁控溅射 PECVD 阻隔性能

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CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展 被引量：11

13

作者 孙蕾 满卫东 +3 位作者 汪建华 谢鹏 熊礼威 李远 《真空与低温》 2008年第3期134-139,171,共7页

含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。

关键词 金刚石薄膜 掺杂 半导体 N型 P型

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大面积金刚石膜生长过程中的缺陷和内应力 被引量：4

14

作者 汪建华 刘鹏飞 +3 位作者 熊礼威 刘繁 江川 苏含 《武汉工程大学学报》 CAS 2012年第6期38-41,共4页

采用甲烷和氢气作为气源,在直径为50 mm的抛光单晶硅片上,利用新型微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置制备出金刚石膜.用扫描电子显微镜观测金刚石膜的表面形貌,利用激光Raman光谱表征金刚石膜的质量以及X射线衍射检测金刚石膜的成分... 采用甲烷和氢气作为气源,在直径为50 mm的抛光单晶硅片上,利用新型微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置制备出金刚石膜.用扫描电子显微镜观测金刚石膜的表面形貌,利用激光Raman光谱表征金刚石膜的质量以及X射线衍射检测金刚石膜的成分和晶界缺陷.结果表明V(CH4)/V(H2)为1%,基片温度为845℃时,生长金刚石膜的质量较好,并且具有完整的晶体形貌,但是扫描电子显微镜图×5 000倍时,观察到金刚石膜中明显的晶体缺陷存在,同时X射线衍射图表明金刚石膜的内应力较大. 展开更多

关键词 金刚石膜 微波等离子体 化学气相沉积 内应力

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圆柱形微波多模烧结腔烧结Al_2O_3陶瓷的性能 被引量：4

15

作者 李远 汪建华 +1 位作者 熊礼威 刘繁 《武汉工程大学学报》 CAS 2011年第4期58-61,共4页

应用微波加热技术进行高纯Al2O3陶瓷烧结是一种理想的选择.本文使用一种新型的圆柱形微波多模烧结腔体进行了Al2O3陶瓷的烧结研究,该设备可在短时间内达到较高的烧结温度,并能实现坯体的整体烧结.分别对纯Al2O3粉体和Al2O3/MgO混合粉体... 应用微波加热技术进行高纯Al2O3陶瓷烧结是一种理想的选择.本文使用一种新型的圆柱形微波多模烧结腔体进行了Al2O3陶瓷的烧结研究,该设备可在短时间内达到较高的烧结温度,并能实现坯体的整体烧结.分别对纯Al2O3粉体和Al2O3/MgO混合粉体进行了烧结实验,结果表明,添加MgO作为助烧剂烧结得到的陶瓷试样的相对密度高于纯Al2O3粉体烧结得到的陶瓷试样,在1 700℃下保温40 min,其相对密度可以达到理论密度的97.8%,维氏硬度达22.3 HV/GPa.从SEM图中可观察到试样微观结构良好,晶粒大小均匀,致密化程度高. 展开更多

关键词 微波烧结 多模腔体 AL2O3陶瓷

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基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响 被引量：2

16

作者 江川 汪建华 +3 位作者 熊礼威 翁俊 苏含 刘鹏飞 《武汉工程大学学报》 CAS 2012年第4期39-42,46,共5页

采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响.结果表明:在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有... 采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响.结果表明:在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有较大的影响,较低的基片温度更有利于制备高质量的纳米金刚石薄膜,实验所获得的优化基片温度为720℃左右. 展开更多

关键词 微波等离子体 化学气相沉积 纳米金刚石薄膜 沉积温度

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CO_2对MPCVD制备金刚石膜的影响研究 被引量：8

17

作者 刘聪 汪建华 熊礼威 《真空与低温》 2014年第4期234-238,共5页

应用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，以CH4／H2／N2为主要气源，通过添加CO2辅助气体，并与未添加CO2辅助气体进行对比，进行了金刚石膜沉积。研究了添加不同浓度CO2对生长金刚石膜的影响。结果表明：当CO2流量在0～25cm3／mi... 应用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，以CH4／H2／N2为主要气源，通过添加CO2辅助气体，并与未添加CO2辅助气体进行对比，进行了金刚石膜沉积。研究了添加不同浓度CO2对生长金刚石膜的影响。结果表明：当CO2流量在0～25cm3／min范围变化时，金刚石膜表面粗糙度分别为8．9nm、6．8nm、9．2nm、9．6nm。表明适量引入CO2可以降低膜面粗糙度，但是进一步提高CO2流量，膜面粗糙度反而上升。同时当CO：流量在0～15cm3／min范围变化时，金刚石膜的品质和生长都表现出上升趋势，但是超过该流量，其品质和生长率都出现下降趋势。另外，当CO2流量为15cm3／min，生长的金刚石膜不仅品质好，而且生长率也较高。 展开更多

关键词 MPCVD CO2 金刚石膜

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应用于半导体器件的掺杂纳米金刚石膜 被引量：2

18

作者 苏含 汪建华 +2 位作者 熊礼威 刘鹏飞 江川 《武汉工程大学学报》 CAS 2011年第10期68-72,共5页

金刚石膜有着高的热导率、宽禁带、高的介质击穿场强、高的载流子迁移率等优点,是非常理想的半导体材料.本文介绍了掺杂纳米金刚石薄膜作为半导体器件工作层的优点,综述了金刚石p型掺杂和n型掺杂的研究现状,并对影响纳米金刚石薄膜生长... 金刚石膜有着高的热导率、宽禁带、高的介质击穿场强、高的载流子迁移率等优点,是非常理想的半导体材料.本文介绍了掺杂纳米金刚石薄膜作为半导体器件工作层的优点,综述了金刚石p型掺杂和n型掺杂的研究现状,并对影响纳米金刚石薄膜生长的因素进行了探讨.指出了金刚石膜在半导体器件的应用趋势,并对其应用前景进行展望. 展开更多

关键词 纳米金刚石膜 半导体器件 掺杂

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不同氢浓度对超纳米金刚石膜结构及耐磨性影响的研究 被引量：2

19

作者 吕琳 汪建华 +2 位作者 翁俊 熊礼威 张莹 《真空与低温》 2014年第5期278-283,287,共7页

采用微波等离子体化学气相沉积技术(MPCVD),通过在甲烷和氩气的混合反应气源中加入不同浓度的氢气,合成了超纳米金刚石薄膜(UNCD)。利用扫描电镜,拉曼光谱及X射线衍射对薄膜表面形貌,结构进行表征,结果显示,随着氢气浓度的减少,所得到... 采用微波等离子体化学气相沉积技术(MPCVD),通过在甲烷和氩气的混合反应气源中加入不同浓度的氢气,合成了超纳米金刚石薄膜(UNCD)。利用扫描电镜,拉曼光谱及X射线衍射对薄膜表面形貌,结构进行表征,结果显示,随着氢气浓度的减少,所得到的超纳米金刚石膜的晶粒尺寸减小,金刚石相含量降低,金刚石膜逐步趋向于(111)面生长,并且还观察到以往在制备金刚石膜时从未出现的1 190 cm-1处拉曼峰。利用往复式摩擦磨损试验机对薄膜的耐磨性能进行测试,研究表明,超纳米金刚石硬度和弹性模量随氢气浓度减小而减小,薄膜的磨损率增大,但摩擦系数变化相对不明显。 展开更多

关键词 微波等离子体 化学气相沉积 超纳米金刚石 耐磨性

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ZnO薄膜的制备及p型掺杂研究进展 被引量：2

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作者 刘长林 汪建华 +4 位作者 熊礼威 翁俊 王文君 李远 陈冠虎 《真空与低温》 2009年第2期63-69,共7页

氧化锌是一种在声表面波传感器、压电器件以及太阳能电池等方面具有很好应用前景的材料。介绍了目前制备ZnO薄膜的主要方法,综述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对ZnO薄膜的研究进行了展望。

关键词 ZNO薄膜 制备方法 P型掺杂

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