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一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
1
作者
熊泰来
杨亚兰
+4 位作者
徐卫刚
毕悦
林轩
曹太强
阳小明
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第12期1135-1143,共9页
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加...
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加电容来产生负压,加速SiC MOSFET关断。在LTspice软件中进行仿真分析,并搭建实验测试平台进行验证。实验结果表明,在200 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的49.1%和61.4%,在400 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的50.4%和57.7%,在600 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的66.7%和62.8%。与传统无源驱动电路相比,提出的有源串扰抑制驱动电路能够在不同电压工况下有效抑制串扰尖峰电压。
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关键词
SiC
MOSFET
寄生参数
半桥电路
有源驱动
串扰抑制
负压关断
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职称材料
题名
一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
1
作者
熊泰来
杨亚兰
徐卫刚
毕悦
林轩
曹太强
阳小明
机构
西华大学电气与电子信息学院
国网四川综合能源服务有限公司
成都四威高科技产业园有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第12期1135-1143,共9页
基金
成都市重点研发支撑计划“揭榜挂帅”项目(2023-JB00-00002-SN)
成都市重点研发支撑计划技术创新研发项目(2024-YF08-00016-GX,2024-YF08-00033-GX,2024-YF08-00041-GX,2024-YF08-00136-GX)。
文摘
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加电容来产生负压,加速SiC MOSFET关断。在LTspice软件中进行仿真分析,并搭建实验测试平台进行验证。实验结果表明,在200 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的49.1%和61.4%,在400 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的50.4%和57.7%,在600 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的66.7%和62.8%。与传统无源驱动电路相比,提出的有源串扰抑制驱动电路能够在不同电压工况下有效抑制串扰尖峰电压。
关键词
SiC
MOSFET
寄生参数
半桥电路
有源驱动
串扰抑制
负压关断
Keywords
SiC MOSFET
parasitic parameter
half-bridge circuit
active drive
crosstalk suppression
negative pressure shutdown
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
熊泰来
杨亚兰
徐卫刚
毕悦
林轩
曹太强
阳小明
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
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