期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Si,Ge,Zr和Sn掺杂SrTiO_(3)的电子结构和光催化性能第一性原理研究
1
作者 熊明姚 孔维静 +1 位作者 胡斌 杨淑敏 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第4期173-179,共7页
使用QUANTUM ESPRESSO(QE)软件包实现的密度泛函理论研究了Si, Ge, Zr和Sn掺杂SrTiO_(3)的结构,电子结构和光催化性能.使用广义梯度近似(GGA)获得SrTiO_(3)的晶格常数与先前的实验数据非常一致.同时,获得了SrTi_(0.875)X_(0.125)O_(3)(X... 使用QUANTUM ESPRESSO(QE)软件包实现的密度泛函理论研究了Si, Ge, Zr和Sn掺杂SrTiO_(3)的结构,电子结构和光催化性能.使用广义梯度近似(GGA)获得SrTiO_(3)的晶格常数与先前的实验数据非常一致.同时,获得了SrTi_(0.875)X_(0.125)O_(3)(X=Si, Ge, Zr, Sn)四种掺杂体系的晶格常数. SrTiO_(3)和SrTi_(0.875)X_(0.125)O_(3)(X=Si, Ge, Zr, Sn)四种掺杂的带隙值分别1.853 eV、1.849 eV、1.916 eV、1.895 eV和1.925 eV.在研究五种SrTiO_(3)体系的光催化性能时,采用剪刀算符对五种SrTiO_(3)体系的带隙值进行修正.计算本征SrTiO_(3)和SrTi_(0.875)X_(0.125)O_(3)(X=Si, Ge, Zr, Sn)四种掺杂体系的导带带边的还原电势(ECB)分别是-0.782 eV、-0.736 eV、-0.776 eV、-0.800 eV和-0.791 eV.计算得到五种SrTiO_(3)体系对应的的价带带边的氧化电势(EVB)分别为:2.418 eV、2.460 eV、2.487 eV、2.442 eV和2.481 eV.从氧化还原性质方面来看,SrTi_(0.875)X_(0.125)O_(3)(X=Zr, Sn)两种掺杂体系相对于本征SrTiO_(3)的氧化还原性提高,SrTi_(0.875)Si_(0.125)O_(3)的相对于本征SrTiO_(3)还原性降低,五种SrTiO_(3)体系的带边相对位置能够满足H2O分裂产生H_(2)和O_(2)的过程. 展开更多
关键词 掺杂 SrTiO_(3) 电子结构 光催化性能
在线阅读 下载PDF
第一性原理计算Mo浓度对Mo掺杂BiVO_(4)光催化性能的影响 被引量：1
2
作者 苟杰 熊明姚 +2 位作者 张志远 吴征成 苏欣 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第3期182-188,共7页
本文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了不同浓度的Mo掺杂BiVO_(4)的V位的电子结构、光学性质和光催化性能.缺陷形成能的计算结果说明BiMo_(x)V_(1-x)O_(4)(x=0.0625,0.125,0.25)三种掺杂体系都是可以稳定存在的.电子结构计算结果... 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了不同浓度的Mo掺杂BiVO_(4)的V位的电子结构、光学性质和光催化性能.缺陷形成能的计算结果说明BiMo_(x)V_(1-x)O_(4)(x=0.0625,0.125,0.25)三种掺杂体系都是可以稳定存在的.电子结构计算结果表明:BiMo_(x)V_(1-x)O_(4)(x=0,0.0625,0.125,0.25)四种体系的带隙分别为2.123 eV,2.142 eV,2.160 eV和2.213 eV.掺杂BiVO_(4)体系的带隙值均大于本征BiVO_(4),且带隙随着Mo浓度的增加而增大.BiMo_(x)V_(1-x)O_(4)(x=0.0625,0.125,0.25)三种掺杂体系的能带结构全部向低能量区域移动,导致掺杂体系导带底越过费米能级,Mo掺杂BiVO_(4)后具有n型半导体特性.光学性质计算结果表明,本征BiVO_(4)和BiMo_(x)V_(1-x)O_(4)(x=0.0625,0.125,0.25)三种掺杂体系的介电常数分别为3.08,3.90,12.7和17.50,掺杂后的静介电常数都呈现增大的趋势.对于反射系数和介电函数虚部而言,掺杂BiVO_(4)体系在低能量区域内提升明显.对于吸收系数而言,在掺杂的三种体系中,Mo掺杂BiVO_(4)体系的光吸收系数对红外光的吸收提升明显.光催化性能计算结果表明,本征BiVO_(4)氧化H_(2)O生成O_(2)的能力最弱,BiMo_(0.25)V_(0.75)O_(4)氧化H_(2)O生成O_(2)的能力最强. 展开更多
关键词 BiVO_(4) 第一性原理 掺杂 光催化性能
在线阅读 下载PDF
Ag,O共掺实现p型氮化铝纳米管电子结构的第一性原理研究 被引量：3
3
作者 熊明姚 张锐 +1 位作者 文杜林 苏欣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期471-476,492,共7页
基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6,0)单壁氮化铝纳米管、Ag掺杂,以及Ag和O共掺纳米管进行了几何结构优化。计算讨论了掺杂前后氮化铝纳米管的能带结构、态密度和差分电荷密度。研究显示:本征氮化铝纳米管、Ag掺杂和Ag-O共掺氮化铝... 基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6,0)单壁氮化铝纳米管、Ag掺杂,以及Ag和O共掺纳米管进行了几何结构优化。计算讨论了掺杂前后氮化铝纳米管的能带结构、态密度和差分电荷密度。研究显示:本征氮化铝纳米管、Ag掺杂和Ag-O共掺氮化铝纳米管的带隙分别为2.49 eV、1.84 eV和1.80 eV。掺杂构型仍然保持半导体特性,Ag掺杂氮化铝纳米管的价带顶贯穿费米能级从而形成简并态,实现了氮化铝纳米管的p型掺杂,但Ag-4d态和N-2p态电子轨道间有强烈的杂化效应,Ag的单掺总体上是不稳定的。O掺入后,Ag与O之间的吸引作用克服了Ag原子之间的排斥作用,使Ag在氮化铝纳米管中的掺杂更加稳定;共掺纳米管体系的带隙相较于单掺纳米管体系更加窄化,导电性进一步增强。Ag和O共掺有望成为获得p型氮化铝纳米管的有效方法。 展开更多
关键词 氮化铝纳米管 半导体 共掺 P型掺杂 电子结构 第一性原理
在线阅读 下载PDF
Mn,Fe,Co掺杂GaAs电子结构与光学性质的第一性原理研究 被引量：3
4
作者 熊明姚 刘丹 +1 位作者 罗玲 苏欣 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第1期109-114,共6页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征GaAs以及3d过渡金属Mn、Fe、Co单掺杂GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行理论计算以及对比研究.计算结果表明:能带结构中三种掺杂体系均引入新的能级,能带条数增多,导带底与价带底顶向... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征GaAs以及3d过渡金属Mn、Fe、Co单掺杂GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行理论计算以及对比研究.计算结果表明:能带结构中三种掺杂体系均引入新的能级,能带条数增多,导带底与价带底顶向深能级移动,带隙减小;费米能级附近出现了杂质能级,导致掺杂体系光子能量位于0时介电函数虚部便有所响应,掺杂体系相较于本征体系的静介电常数有所提升;Mn、Fe、Co三种掺杂体系相较于本征体系在红外以及远红外区域吸收系数得到了明显的提升,其中Fe掺杂GaAs的光催化特性最好. 展开更多
关键词 GAAS 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质
在线阅读 下载PDF
KDP和尿素晶体电子结构的第一性原理研究 被引量：2
5
作者 熊明姚 罗玲 +1 位作者 刘丹 苏欣 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第2期10-14,共5页
基于第一性原理的平面波超软赝势法对KDP(KH_(2)PO_(4))和尿素(CH_(4)N_(2)O)晶体的能带结构、电子态密度、电荷差分密度以及布局分析进行了计算讨论.结果表明:尿素晶体中的C1-O1、C1-N1、N1-H2和N1-H1键都具有共价键特性,带隙值为4.636... 基于第一性原理的平面波超软赝势法对KDP(KH_(2)PO_(4))和尿素(CH_(4)N_(2)O)晶体的能带结构、电子态密度、电荷差分密度以及布局分析进行了计算讨论.结果表明:尿素晶体中的C1-O1、C1-N1、N1-H2和N1-H1键都具有共价键特性,带隙值为4.636 eV,价带顶主要由H-1s与N、O的2p态贡献,导带底主要是H-1s与C、N、O的2p态贡献;KDP晶体的H1-O1键具有离子性而P1-O1则具有共价性,带隙宽度为5.713 eV,价带顶主要由O-2p以及P-3p贡献,导带底主要由H-1s、P-3s和3p以及K-4s和3p态贡献. 展开更多
关键词 KDP晶体 尿素晶体 电子结构 第一性原理
在线阅读 下载PDF
铬,银掺杂和铬氧共掺杂n型,p型氮化硼纳米管第一性原理研究 被引量：1
6
作者 熊明姚 文杜林 +1 位作者 张苗 苏欣 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第4期75-80,共6页
基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6, 0)单壁氮化硼纳米管、Cr掺杂、Ag掺杂、以及Cr-O共掺纳米管进行电子结构和光学性质的计算.结果表明:Cr掺杂和Cr-O共掺体系相比于本征体系的带隙值均减小,掺杂体系的导带底穿过费米能级从而实现... 基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6, 0)单壁氮化硼纳米管、Cr掺杂、Ag掺杂、以及Cr-O共掺纳米管进行电子结构和光学性质的计算.结果表明:Cr掺杂和Cr-O共掺体系相比于本征体系的带隙值均减小,掺杂体系的导带底穿过费米能级从而实现了氮化硼纳米管的n型掺杂. Ag掺杂实现了纳米管的p型掺杂.本征氮化硼纳米管、Ag掺杂、Cr掺杂、以及Cr-O共掺纳米管的静态介电常数分别为1.17、1.61、1.32和1.48,相对于本征体系静介电性能有所提高. 展开更多
关键词 氮化硼纳米管 第一性原理 电子结构 光学性质
在线阅读 下载PDF
空位浓度对纤锌矿CdS电子结构和光学性质影响的第一性原理研究 被引量：3
7
作者 吴侦成 熊明姚 +3 位作者 文杜林 张志远 苟杰 苏欣 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2055-2062,共8页
本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,采用第一性原理研究了含Cd空位缺陷CdS和含S空位缺陷纤锌矿CdS的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。通过计算分析可知,含Cd空位缺陷的CdS体系均为p型半导体,含S空位缺陷的CdS体系跃... 本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,采用第一性原理研究了含Cd空位缺陷CdS和含S空位缺陷纤锌矿CdS的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。通过计算分析可知,含Cd空位缺陷的CdS体系均为p型半导体,含S空位缺陷的CdS体系跃迁方式均由直接跃迁变为间接跃迁。Cd、S空位缺陷的CdS体系的态密度总能量降低。空位CdS体系相较于本征CdS体系的静介电常数均有提高,并随着空位浓度的增大而增大,Cd空位缺陷体系更为明显,极化能力得到显著提升。空位Cd的CdS体系相较于本征CdS体系在红外波段存在明显的吸收,空位S的CdS体系相较于本征CdS体系在可见光波段存在明显的吸收。 展开更多
关键词 CDS 半导体 空位 第一性原理 电子结构 光学特性
在线阅读 下载PDF
XPO_(4)(X=Lu,Y)电子结构的第一性原理研究 被引量：3
8
作者 文杜林 熊明姚 +1 位作者 张苗 苏欣 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第4期125-129,共5页
基于密度泛函理论(DFT)第一性原理对LuPO_(4)和YPO_(4)两种磷酸盐晶体的电子结构进行计算模拟.结果表明:LuPO_(4)的带隙为5.639 eV,YPO_(4)的带隙为4.884 eV.通过对态密度的分析得知LuPO_(4)的导带主要贡献来自Lu的5d态电子,费米能级附... 基于密度泛函理论(DFT)第一性原理对LuPO_(4)和YPO_(4)两种磷酸盐晶体的电子结构进行计算模拟.结果表明:LuPO_(4)的带隙为5.639 eV,YPO_(4)的带隙为4.884 eV.通过对态密度的分析得知LuPO_(4)的导带主要贡献来自Lu的5d态电子,费米能级附近价带主要由Lu的4f态和O的2p态电子贡献.YPO_(4)的导带主要贡献来自Y的4d态电子,价带顶的主要贡献来自于O的2p态电子.通过电荷密度和布局分析得知了材料内部原子间的电荷转移情况,进而对原子间成键情况进行了分析与讨论. 展开更多
关键词 LuPO_(4)晶体 YPO_(4)晶体 电子结构 第一性原理
在线阅读 下载PDF
空位浓度对纤锌矿BN电子结构和光学性质影响的第一性原理研究
9
作者 张志远 熊明姚 +2 位作者 文杜林 吴侦成 苏欣 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第5期161-165,共5页
本文采用了第一性原理研究了空位缺陷纤锌矿BN的电子结构和光学性质.通过对能带结构、态密度分析发现:缺陷体系由于B、N的缺失,费米能级附近出现杂质能级.相较于本征体系,随着空位浓度增加,杂质能级变多,跃迁能量减小.N空位缺陷的纤锌... 本文采用了第一性原理研究了空位缺陷纤锌矿BN的电子结构和光学性质.通过对能带结构、态密度分析发现:缺陷体系由于B、N的缺失,费米能级附近出现杂质能级.相较于本征体系,随着空位浓度增加,杂质能级变多,跃迁能量减小.N空位缺陷的纤锌矿BN态密度总体向低能区移动,且能级相较于B空位缺陷的纤锌矿B_(22)N_(24)明显增多.从复介电函数和光学吸收谱分析中发现,随着空位浓度的增加,缺陷体系纤锌矿BN在可见光区域的吸收逐渐增强.尤其是B22N24在可见光区域出现的吸收效果更好. 展开更多
关键词 第一性原理 空位 纤锌矿BN 电子结构 光学特性
在线阅读 下载PDF
LaPO_(4)和ScPO_(4)电子结构和光学性质的第一性原理研究
10
作者 张苗 熊明姚 +1 位作者 文杜林 苏欣 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第5期131-135,共5页
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对LaPO_(4)和ScPO_(4)的能带结构、电子态密度及光学性质进行计算和分析.计算结果表明:LaPO_(4)的禁带宽度为5.646 eV,ScPO_(4)的禁带宽度为4.531 eV.LaPO_(4)晶体价带顶主要由P-3s... 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对LaPO_(4)和ScPO_(4)的能带结构、电子态密度及光学性质进行计算和分析.计算结果表明:LaPO_(4)的禁带宽度为5.646 eV,ScPO_(4)的禁带宽度为4.531 eV.LaPO_(4)晶体价带顶主要由P-3s、P-3p及O-2p态贡献,导带底主要是由La-5d态贡献;ScPO_(4)晶体价带顶主要由P-3s、P-3p及O-2p态贡献,导带顶主要是由Sc-3d态贡献.就光学性质而言,ScPO_(4)的静介电常数是2.03,比LaPO_(4)(1.92)的静介电常数大,体系极化能力较好. 展开更多
关键词 LaPO_(4)晶体 ScPO_(4)晶体 电子结构 光学性质 第一性原理
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部