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采用深度学习的快速超分辨率图像重建方法 被引量:10
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作者 张圣祥 郑力新 +1 位作者 朱建清 潘书万 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2019年第2期245-250,共6页
为满足实际工业生产需要,提出一种基于深度学习的快速超分辨率图像重建方法.采用一种快速的卷积神经网络结构,使用级联的小卷积核以取得重建速度上的提升,加深卷积网络以取得重建质量上的提升.实验结果表明:在标准的公共数据集上,该算... 为满足实际工业生产需要,提出一种基于深度学习的快速超分辨率图像重建方法.采用一种快速的卷积神经网络结构,使用级联的小卷积核以取得重建速度上的提升,加深卷积网络以取得重建质量上的提升.实验结果表明:在标准的公共数据集上,该算法重建的高分辨率图像在主观视觉感受和客观的图像质量评价(峰值信噪比)上取得较好的效果,且重建时间大大缩短;将算法应用在实际的项目中,能达到阈值分割后准确检测物体的标准,减少企业对高额工业相机的经济开支. 展开更多
关键词 超分辨率图像重建 深度学习 卷积神经网络 级联
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基于视觉的经编机纺纱断线检测技术研究 被引量:3
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作者 谢一首 华鑫炎 +2 位作者 李庆 郑力新 潘书万 《科技创新与应用》 2017年第8期31-32,共2页
针对传统人工肉眼检测纺纱断线的低效率与误检率问题,设计基于机器视觉的经编机纺纱断线在线检测系统,摒弃数根数的常规思想,提出以断纱缺口特征为研究,结合LINQ技术与统计思想的图像算法。通过测试表明,该算法具有高准确性与实时性,满... 针对传统人工肉眼检测纺纱断线的低效率与误检率问题,设计基于机器视觉的经编机纺纱断线在线检测系统,摒弃数根数的常规思想,提出以断纱缺口特征为研究,结合LINQ技术与统计思想的图像算法。通过测试表明,该算法具有高准确性与实时性,满足企业生产需求,具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 断纱检测 LINQ 统计 缺口特征
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GaN基蓝绿光LED电应力老化分析 被引量:1
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作者 李志明 潘书万 陈松岩 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1521-1526,共6页
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较... 对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较大测量电流(20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18%)。同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3%。 展开更多
关键词 氮化镓 光衰减 电应力 退化机理
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硅(100)衬底表面快速热退火制备硒纳米晶薄膜的结晶动力学
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作者 潘书万 庄琼云 +3 位作者 陈松岩 黄巍 李成 郑力新 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1928-1931,1942,共5页
采用超高真空气相沉积系统在Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得Se纳米晶薄膜。SEM观察结果表明,当热退火温度高于140℃,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构。Raman和XRD测试分析发现,退火后的Se纳米... 采用超高真空气相沉积系统在Si(100)衬底上制备非晶硒(Se)薄膜,然后快速热退火制得Se纳米晶薄膜。SEM观察结果表明,当热退火温度高于140℃,薄膜表面形貌从条状裂纹逐渐变成孤立的六角块状结构。Raman和XRD测试分析发现,退火后的Se纳米晶均为三角晶型结构,当退火温度高于140℃时,Se开始沿(100)方向择优取向结晶。分析得出,在Si(100)衬底上的Se晶粒(100)晶面的激活能比(101)晶面的激活能低,因而在(100)面上的结晶速率比(101)面上的结晶速率大,使得Se在(100)方向择优结晶。笔者认为这是因为Si(100)衬底对Se的结晶具有诱导作用,致使硒的结晶具有各向异性。 展开更多
关键词 纳米晶薄膜 结晶动力学 硅衬底 快速热退火
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硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性
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作者 潘书万 庄琼云 郑力新 《华侨大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第5期696-700,共5页
采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于... 采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心. 展开更多
关键词 纳米晶 Ge/ZnO多层薄膜 硅衬底 光致发光 射频磁控溅射 快速热退火
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