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应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响: 1; 作者滕敏康王志超《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第2期243-250,共8页; 应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。; 关键词正电子湮没 PCVD A-SI-H 薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究: 2; 作者施毅吴凤美 +3 位作者滕敏康沈德勋程开甲王长河《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期35-41,共7页; 本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了... 展开更多; 关键词二极管中子电子 γ 辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究: 3; 作者吴凤美滕敏康 +1 位作者沈德熏陈岭《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期39-42,共4页; 用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。; 关键词砷化镓正电子湮没退火行为辐照; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析: 4; 作者尹传元沈德勋 +1 位作者滕敏康周彩华《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期43-47,共5页; 本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没... 展开更多; 关键词硅橡胶正电子湮没寿命谱强度; 在线阅读下载PDF 职称材料

铝合金中氢效应的正电子湮没研究: 5; 作者吴奕初滕敏康夏元复《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 1994年第3期439-443,共5页; 铝合金的氢脆和应力腐蚀开裂是受到广泛重视的课题．本文采用正电子湮没（ＰＡ）技术研究了ＬＣ４铝合金在慢拉伸动态充氢时，在３．５％ＮａＣｌ＋２００ｍｇ／１Ａｓ２Ｏ３介质中，多普勒展宽（Ｄｏｐｐｌｅｒｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ）... 展开更多; 关键词铝合金氢正电子湮没; 在线阅读下载PDF 职称材料

高Tc超导体Y-Ba-Cu-O超导临界涨落的正电子湮没研究: 6; 作者陈岭滕敏康《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期36-40,共5页; 利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变溫... 展开更多; 关键词高TC超导体正电子湮没临界涨落; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响: 1; 作者滕敏康王志超; 机构南京大学物理系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第2期243-250,共8页; 文摘应用正电子湮没技术,研究在PCVD过程中不同衬底温度对a-Si:H薄膜结构的影响,并应用微晶模型进行解释。; 关键词正电子湮没 PCVD A-SI-H 薄膜; Keywords structure of a-Si:H film; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究: 2; 作者施毅吴凤美滕敏康沈德勋程开甲王长河; 机构南京大学物理系河北半导体研究所; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第3期35-41,共7页; 文摘本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了新工艺、新材料使器件只有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征。; 关键词二极管中子电子 γ 辐照; Keywords diode irradiation characteristic; 分类号 TN111 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究: 3; 作者吴凤美滕敏康沈德熏陈岭; 机构南京大学物理系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期39-42,共4页; 文摘用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。; 关键词砷化镓正电子湮没退火行为辐照; Keywords positron annihilation undoped SI-GaAs Irradiation; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析: 4; 作者尹传元沈德勋滕敏康周彩华; 机构南京大学物理系南京大学化学系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第1期43-47,共5页; 文摘本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没三种成份寿命的因素,随着分子量的增大,大分子链变长,单位体积中链的自由末端减小,使得硅橡胶的密度增大,乙烯基的密度增大,正电子湮没第一寿命减小;单位体积大分子链间的缠绕和交叠也随分子量增大而增多,使正电子湮没第二寿命减小;大分子间的额外空隙随着聚合物的密度增大而减小,使正电子湮没第三寿命减小。用这个观点对实验结果作了解释。; 关键词硅橡胶正电子湮没寿命谱强度; Keywords chain-kink fold positron annihilation lifetime intensity; 分类号 TQ333.93 [化学工程—橡胶工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铝合金中氢效应的正电子湮没研究: 5; 作者吴奕初滕敏康夏元复; 机构南京大学物理系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 1994年第3期439-443,共5页; 文摘铝合金的氢脆和应力腐蚀开裂是受到广泛重视的课题．本文采用正电子湮没（ＰＡ）技术研究了ＬＣ４铝合金在慢拉伸动态充氢时，在３．５％ＮａＣｌ＋２００ｍｇ／１Ａｓ２Ｏ３介质中，多普勒展宽（Ｄｏｐｐｌｅｒｂｒｏａｄｅｎｉｎｇ）Ｓ参数的变化．实验发现在阴极极化下，Ｓ参数下降．这是由于相当部分原来是深阱的正电子陷阱转为为浅阱，或者充氢后产生新的正电子陷阱引起，Ｍｇ与Ｈ互作用形成ＭｇＨ２是形成脆化的可能原因；在阳极极化下也观察到Ｓ参数下降，作者认为这是由于此时ＧＰ区（主要是ＭｇＺｎ２）的优先溶解．; 关键词铝合金氢正电子湮没; Keywords Alloy Aluminium, Hydrogen, Positron Annihilation; 分类号 TG146.21 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高Tc超导体Y-Ba-Cu-O超导临界涨落的正电子湮没研究: 6; 作者陈岭滕敏康; 机构南京大学物理系; 出处《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期36-40,共5页; 文摘利用正电子湮没技术寿命谱测量系统首次细致地测量了高Tc超导体Y-Ba-Cu-O材料在Tc转变点附近的正电子湮没寿命谱参数的变化特性,发现在Tc处正电子湮没寿命呈峰。根据超导涨落的KSS理论和BCS超导理论的形式,推导出了正电子在超导转变溫度Tc附近超导态和正常态内的湮没率公式。经计算机数值积分得到与实验一致的结果,从而解释了实验上发现的异常现象。; 关键词高TC超导体正电子湮没临界涨落; Keywords positron annihilation high Tc supercondnctor critical fluctuation; 分类号 O511.1 [理学—低温物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	操作
1	应用正电子湮没技术研究衬底温度对a-Si∶H薄膜结构的影响	滕敏康王志超	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1991	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究	施毅吴凤美滕敏康沈德勋程开甲王长河	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1989	在线阅读下载PDF 职称材料
3	未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究	吴凤美滕敏康沈德熏陈岭	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1990	在线阅读下载PDF 职称材料
4	硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析	尹传元沈德勋滕敏康周彩华	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1990	在线阅读下载PDF 职称材料
5	铝合金中氢效应的正电子湮没研究	吴奕初滕敏康夏元复	《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD	1994	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高Tc超导体Y-Ba-Cu-O超导临界涨落的正电子湮没研究	陈岭滕敏康	《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1989	在线阅读下载PDF 职称材料