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VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅰ)
被引量：
5
1
作者
浦琮
周伟舫
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期260-265,共6页
用交流阻抗法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋金在4.5mol·L-1H2SO4溶液（20℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化2h而形成的阳极膜的半导体性质．根据Mott-Schottky图，此种膜为n型半导体．pb，pb-lat％As，Pb-lat％Sb和Sb-lat％Bi...
用交流阻抗法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋金在4.5mol·L-1H2SO4溶液（20℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化2h而形成的阳极膜的半导体性质．根据Mott-Schottky图，此种膜为n型半导体．pb，pb-lat％As，Pb-lat％Sb和Sb-lat％Bi上膜的平带电位分别为-0．95，-1.1,-1.0，-1.1V（vs.Hg／Hg2SO4）；相应的施主密度分别为0．82×1016，2．6×1016，1．2×1017和0．
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关键词
阳极
蓄电池
氧化物膜
VA族元素
铅
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职称材料
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)
被引量：
5
2
作者
浦琮
周伟舫
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期348-353,共6页
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝...
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．
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关键词
半导体
阳极
铅氧化物膜
ⅤA族元素
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职称材料
题名
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅰ)
被引量：
5
1
作者
浦琮
周伟舫
机构
复旦大学化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期260-265,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
用交流阻抗法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋金在4.5mol·L-1H2SO4溶液（20℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化2h而形成的阳极膜的半导体性质．根据Mott-Schottky图，此种膜为n型半导体．pb，pb-lat％As，Pb-lat％Sb和Sb-lat％Bi上膜的平带电位分别为-0．95，-1.1,-1.0，-1.1V（vs.Hg／Hg2SO4）；相应的施主密度分别为0．82×1016，2．6×1016，1．2×1017和0．
关键词
阳极
蓄电池
氧化物膜
VA族元素
铅
Keywords
Anodic plumbous oxide film, Semiconductor, Electrochemical impedance method, Hauffe rules
分类号
TM912 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)
被引量：
5
2
作者
浦琮
周伟舫
机构
复旦大学化学系
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994年第4期348-353,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．
关键词
半导体
阳极
铅氧化物膜
ⅤA族元素
Keywords
Anodic plumbous oxide film, Semiconductor, Photoelectrochemical current method, Hauffe rules
分类号
O646.5 [理学—物理化学]
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1
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅰ)
浦琮
周伟舫
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994
5
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职称材料
2
VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)
浦琮
周伟舫
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1994
5
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